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在安徽合肥召开的世界制造业大会上，长鑫存储内存芯片自主制造项目宣布投产。该项目总投资约1500亿元，一期设计产能每月12万片晶圆。
大会现场，长鑫存储董事长兼首席执行官朱一明手持一颗指甲盖大小的芯片说，投产的8Gb DDR4通过了多个国内外大客户的验证，今年底正式交付，另有一款供移动终端使用的低功耗产品也即将投产。
长鑫存储以打造设计和制造一体化的内存芯片国产化制造基地为目标，5月由合肥市政府旗下投资平台合肥产投与细分存储器国产领军企业兆易创新共同出资组建，是安徽省单体投资最大的工业项目。目前，项目已通过层层评审，并获得工信部旗下检测机构中国电子技术标准化研究院的量产良率检测报告。
今年5月15日，长鑫存储董事长兼CEO朱一明曾表示，从技术来源角度，合肥长鑫与奇梦达合作，并结合了长鑫自己的技术。通过与奇梦达合作，将一千多万份有关DRAM的技术文件（约2.8TB数据）收归囊中。
今日长鑫存储副总裁、未来技术评估实验室负责人平尔萱博士表示，长鑫存储借助先进的设备已经把将奇梦达的46纳米DRAM推进到了10纳米级别。此次长鑫存储与国际主流DRAM产品同步的10纳米级第一代8Gb DDR4首度亮相。
<资讯来源于网络>
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