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抑制性突触后电位形成时 突触后膜通透性增加的离子是A.Na K 尤其是KB.Ca Cl 尤其

时间:2023-07-13 14:50:24

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抑制性突触后电位形成时 突触后膜通透性增加的离子是A.Na K 尤其是KB.Ca Cl 尤其

问题补充:

1.[单选题]抑制性突触后电位形成时,突触后膜通透性增加的离子是A.Na,K,尤其是K B.Ca,Cl,尤其是Ca C.Na,Cl,尤其是Na D.K,Cl,尤其是ClE.K,Ca,Na,尤其是CaABCDE

答案:

参考答案:D

参考解析:抑制性突触后电位的形成是因为突触后膜对Cl(为主)和K的通透性升高,引起Cl的内流和K的外流,使膜内负电位更负,引进突触后神经元产生抑制。

抑制性突触后电位形成时 突触后膜通透性增加的离子是A.Na K 尤其是KB.Ca Cl 尤其是CaC.Na Cl 尤其是NaD.K Cl 尤其是ClE

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