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这个20位总线接口D型锁存器设计用于1.65 V至3.6 VV CC 操作。< /p> SN74ALVCH162841具有三态输出,专为驱动高电容或相对低阻抗负载而设计。该器件特别适用于实现缓冲寄存器,单向总线驱动器和工作寄存器。 SN74ALVCH162841可用作两个10位锁存器或一个20位锁存器。 20个锁存器是透明的D型锁存器。该器件具有同相数据(D)输入,并在其输出端提供真实数据。锁存使能(1LE或2LE)输入为高电平时,相应的10位锁存器的Q输出跟随D输入。当LE变为低电平时,Q输出锁存在D输入设置的电平。 缓冲输出使能(10E或2OE)输入可用于放置输出。相应的10位锁存器处于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。 OE \不会影响锁存器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。 输出设计为吸收高达12 mA的电流,包括等效的26- 电阻可减少过冲和下冲。 确保上电或上电时的高阻态向下,OE \应通过上拉电阻连接到V CC ;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 提供有源总线保持电路,用于将未使用或浮动的输入保持在有效的逻辑电平。 SN74ALVCH162841的工...
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'LVTH162373器件是16位透明D型锁存器,具有3态输出,设计用于低压(3.3V)VCC操作,但能够为5 V系统环境提供TTL接口。这些器件特别适用于实现缓冲寄存器,I /O端口,双向总线驱动器和工作寄存器。
缓冲输出使能(OE < /span>)输入可用于将八个输出置于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动器提供了在没有接口或上拉组件的情况下驱动总线的能力。
OE不影响内部闩锁的操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。
输出设计为源或吸收高达12 mA,包括等效的22- 用于减少过冲和下冲的串联电阻。
有源总线保持电路保持未使用或未驱动输入处于有效的逻辑状态。建议不要使用上拉或下拉电阻与总线保持电路。
当VCC介于0和1.5 V之间时,器件处于高阻态上电或断电。但是,为了确保1.5 V以上的高阻态,OE应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。
这些器件完全适用于使用Ioff和上电3的热插拔应用-州。 Ioff电路禁用输出,防止在断电时损坏通...
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这个20位总线接口触发器设计用于1.65 V至3.6 VVCC操作。
SN74ALVCH16821可用作两个10位触发器或一个20位触发器。 20个触发器是边沿触发的D型触发器。在时钟(CLK)输入的正跳变时,器件在Q输出端提供真实数据。
缓冲输出使能(OE)输入可用于将10个输出放入正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。
OE \不会影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。
为确保上电或断电期间的高阻态,OE \应连接到VCC通过上拉电阻;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。
有源总线保持电路将未使用或未驱动的输入保持在有效的逻辑状态。不建议在上拉电路中使用上拉或下拉电阻。
特性
德州仪器广播公司的成员?系列
数据输入端的总线保持消除了对外部上拉/下拉电阻的需求
每个JESD的闩锁性能超过250 mA 17
ESD保护超过JESD 22
...
发表于 -10-12 15:46
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'ALVTH16373器件是16位透明D型锁存器,具有3态输出,设计用于2.5 V或3.3 VVCC < /sub>操作,但能够为5 V系统环境提供TTL接口。这些器件特别适用于实现缓冲寄存器,I /O端口,双向总线驱动器和工作寄存器。
这些器件可用作两个8位锁存器或一个16位锁存器。当锁存使能(LE)输入为高电平时,Q输出跟随数据(D)输入。当LE变为低电平时,Q输出锁存在D输入端设置的电平。
缓冲输出使能(OE \)输入可用于将8个输出置于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动器提供了在没有接口或上拉组件的情况下驱动总线线路的能力。
OE \不会影响锁存器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。
提供有源总线保持电路,用于保持有效逻辑电平的未使用或浮动数据输入。
当VCC介于0和1.2 V之间时,器件在上电或断电期间处于高阻态。但是,为了确保1.2 V以上的高阻态,OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。
SN54ALVTH1637...
发表于 -10-12 15:44
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'LVTH162374器件是16位边沿触发D型触发器,具有3态输出,专为低压(3.3V)设计VCC操作,但能够为5 V系统环境提供TTL接口。它们特别适用于实现缓冲寄存器,I /O端口,双向总线驱动器和工作寄存器。
这些器件可用作两个8位触发器或一个16位触发器。在时钟(CLK)的正跳变时,触发器的Q输出采用在D输入端设置的逻辑电平。
缓冲输出使能(OE)输入可用于将8个输出置于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。
OE不影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。
输出设计为源或吸收高达12 mA,包括等效的22- 用于减少过冲和下冲的串联电阻。
有源总线保持电路保持未使用或未驱动输入处于有效的逻辑状态。建议不要使用上拉或下拉电阻与总线保持电路。
当VCC介于0和1.5 V之间时,器件处于高阻态上电或断电。但是,为了确保1.5 V以上的高阻态,OE应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸...
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这个16位边沿触发D型触发器设计用于1.65 V至3.6 VVCC操作。
特性
德州仪器宽带总线系列成员
工作电压范围为1.65 V至3.6 V
输入接受电压至5.5 V
最大tpd为4.5 ns,3.3 V
典型VOLP(输出接地反弹)
&lt; 0.8 V,VCC= 3.3 V,TA= 25°C
典型VOHV(输出V < sub> OH Undershoot)
&gt; 2 V在VCC= 3.3 V,TA= 25°C
Ioff支持实时插入,部分 - 电源关闭模式和后驱动保护
支持所有端口上的混合模式信号操作(5 V输入和输出电压
具有3.3 VVCC < /sub>)
数据输入上的总线保持消除了对外部上拉或下拉电阻的需求
闩锁性能超过250 mA
每JESD 17
< li> ESD保护超过JESD 22
2000-V人体模型(A114-A)
1000 V充电设备模型(C101)
参数 与其它产品相比D 类触发器
...
发表于 -10-11 17:45
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激光检测是一种不影响被测物体运动的非接触式测量,具有精度高、测量范围大、检测时间短的优势,同时具有很...
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这个20位触发器专为1.65 V至3.6 VVCC操作而设计。
SN74ALVCH16721的20个触发器是边沿触发的D型触发器,具有合格的时钟存储器。在时钟(CLK)输入的正跳变时,如果时钟使能(CLKEN)输入为低电平,器件在Q输出端提供真实数据。如果CLKEN \为高电平,则不存储数据。
缓冲输出使能(OE)\输入将20个输出置于正常逻辑状态(高或低)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。 OE \不会影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。
为确保上电或断电期间的高阻态,OE \应连接到VCC通过上拉电阻;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。
提供有源总线保持电路,用于保持有效逻辑电平的未使用或浮动数据输入。
< p> SN74ALVCH16721的工作温度范围为?? 40°C至85°C。
特性
Widebus,EPIC是德州仪器公司的商标。
德州仪器广播公司的成员?家庭
EPIC ?? (增强型高性能...
发表于 -10-11 17:10
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这个16位边沿触发D型触发器设计用于1.65 V至3.6 VVCC操作。
SN74ALVCH162374特别适用于实现缓冲寄存器,I /O端口,双向总线驱动器和工作寄存器。它可以用作两个8位触发器或一个16位触发器。在时钟(CLK)输入的正跳变时,触发器的Q输出采用在数据(D)输入端设置的逻辑电平。
输出使能(OE)输入可用于将八个输出置于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。 OE \不会影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。
输出设计为吸收高达12 mA的电流,包括等效的26- 电阻可减少过冲和下冲。
确保上电或上电时的高阻态向下,OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。
有源总线保持电路将未使用或未驱动的输入保持在有效的逻辑状态。不建议在上拉电路中使用上拉或下拉电阻。
特性
德州仪器广播公司的成员?系列
数据输入端的总线保持...
发表于 -10-11 16:41
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这个12位至24位多路复用D型锁存器设计用于1.65 V至3.6 V CC 操作。
SN74ALVCH162260用于必须将两个独立数据路径复用到单个数据路径或从单个数据路径解复用的应用中。典型应用包括在微处理器或总线接口应用中复用和/或解复用地址和数据信息。该器件在存储器交错应用中也很有用。
三个12位I /O端口(A1-A12,1B1-1B12和2B1-2B12)可用于地址和/或数据传输。输出使能(OE1B \,OE2B \和OEA \)输入控制总线收发器功能。 OE1B \和OE2B \控制信号还允许在A到B方向上进行存储体控制。
可以使用内部存储锁存器存储地址和/或数据信息。锁存使能(LE1B,LE2B,LEA1B和LEA2B)输入用于控制数据存储。当锁存使能输入为高电平时,锁存器是透明的。当锁存使能输入变为低电平时,输入端的数据被锁存并保持锁存状态,直到锁存使能输入返回高电平为止。
B输出,设计用于吸收高达12 mA的电流,包括等效的26- 电阻,以减少过冲和下冲。
确保上电或掉电期间的高阻态,OE \应通过上拉电阻连接到V CC ;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。
提供...
发表于 -10-11 16:38
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这个20位总线接口D型锁存器设计用于1.65 V至3.6 VVCC操作。< /p>
SN74ALVCH16841具有三态输出,专为驱动高电容或相对低阻抗负载而设计。该器件特别适用于实现缓冲寄存器,单向总线驱动器和工作寄存器。
SN74ALVCH16841可用作两个10位锁存器或一个20位锁存器。 20个锁存器是透明的D型锁存器。该器件具有同相数据(D)输入,并在其输出端提供真实数据。锁存使能(1LE或2LE)输入为高电平时,相应的10位锁存器的Q输出跟随D输入。当LE变为低电平时,Q输出锁存在D输入设置的电平。
缓冲输出使能(10E或2OE)输入可用于放置输出。相应的10位锁存器处于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。
OE \不会影响锁存器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。
为确保上电或断电期间的高阻态,OE \应连接到VCC通过上拉电阻;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。
提供有源总线保持电路,用于保持有效逻辑电平的未使用或浮动数据输入。
< p> SN74ALVCH16841的工作温...
发表于 -10-11 16:06
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'LVTH16373器件是16位透明D型锁存器,具有3态输出,设计用于低压(3.3V)VCC操作,但能够为5 V系统环境提供TTL接口。这些器件特别适用于实现缓冲寄存器,I /O端口,双向总线驱动器和工作寄存器。
这些器件可用作两个8位锁存器或一个16位锁存器。当锁存使能(LE)输入为高电平时,Q输出跟随数据(D)输入。当LE变为低电平时,Q输出锁存在D输入设置的电平。
缓冲输出使能(OE)输入可用于将8个输出置于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动器提供了在没有接口或上拉组件的情况下驱动总线线路的能力。
OE不影响锁存器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。
有源总线保持电路将未使用或未驱动的输入保持在有效的逻辑状态。建议不要使用上拉或下拉电阻与总线保持电路。
当VCC介于0和1.5 V之间时,器件处于高阻态上电或断电。但是,为了确保1.5 V以上的高阻态,OE应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。
这些器件完全...
发表于 -10-11 15:53
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这个18位总线接口触发器设计用于1.65 V至3.6 VVCC操作。
SN74ALVCH16823具有三态输出,专为驱动高电容或相对低阻抗负载而设计。该器件特别适用于实现更宽的缓冲寄存器,I /O端口,带奇偶校验的双向总线驱动器和工作寄存器。
SN74ALVCH16823可用作两个9位触发器或一个18-位触发器。当时钟使能(CLKEN)输入为低电平时,D型触发器在时钟的低到高转换时输入数据。将CLKEN置为高电平会禁用时钟缓冲区,从而锁存输出。将清除(> CLR)输入设为低电平会使Q输出变为低电平而与时钟无关。
缓冲输出使能(< span style =“text-decoration:overline”> OE )输入可用于将九个输出置于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。
输出使能(OE)输入不影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。
为确保上电或断电期间的高阻态,OE应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定...
发表于 -10-11 15:12
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'ABT16373A是16位透明D型锁存器,具有3态输出,专为驱动高电容或相对低阻抗负载而设计。它们特别适用于实现缓冲寄存器,I /O端口,双向总线驱动器和工作寄存器。
这些器件可用作两个8位锁存器或一个16位锁存器。当锁存使能(LE)输入为高电平时,Q输出跟随数据(D)输入。当LE变为低电平时,Q输出锁存在D输入端设置的电平。
缓冲输出使能(OE \)输入可用于将8个输出置于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。
OE \不会影响锁存器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。
当VCC介于0和2.1 V之间时,器件在上电或断电期间处于高阻态。但是,为了确保2.1 V以上的高阻态,OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。
SN54ABT16373A的特点是可在-55°C至125°C的整个军用温度范围内工作。 SN74ABT16373A的特点是在-40°C至85°C的温度范围内工作。
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发表于 -10-11 15:07
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这个10位触发器设计用于1.65 V至3.6 VVCC操作。
< p> SN74ALVCH16820的触发器是边沿触发的D型触发器。在时钟(CLK)输入的正跳变时,器件在Q输出端提供真实数据。
缓冲输出使能(OE)输入可用于将10个输出放入正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。
OE \输入不会影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。
为确保上电或断电期间的高阻态,OE \应连接到VCC通过上拉电阻;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。
提供有源总线保持电路,用于将未使用或未驱动的输入保持在有效的逻辑电平。不建议在上拉电路中使用上拉或下拉电阻。
特性
德州仪器广播公司的成员?系列
数据输入端的总线保持消除了对外部上拉/下拉电阻的需求
每个JESD的闩锁性能超过250 mA 17
ESD保护超过JESD 22
2000-V人体模型(...
发表于 -10-11 14:49
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'ABT16374A是16位边沿触发D型触发器,具有3态输出,专为驱动高电容或相对低阻抗而设计负载。它们特别适用于实现缓冲寄存器,I /O端口,双向总线驱动器和工作寄存器。
这些器件可用作两个8位触发器或一个16位触发器。在时钟(CLK)输入的正跳变时,触发器的Q输出采用在数据(D)输入处设置的逻辑电平。
缓冲输出使能(OE \)输入可用于将8个输出置于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。
OE \不会影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。
当VCC介于0和2.1 V之间时,器件在上电或断电期间处于高阻态。但是,为了确保2.1 V以上的高阻态,OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。
SN54ABT16374A的特点是可在-55°C至125°C的整个军用温度范围内工作。 SN74ABT16374A的特点是在-40°C至85°C的温度范围内工作。
特性
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发表于 -10-11 11:46
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'AHCT16374器件是16位边沿触发D型触发器,具有3态输出,专为驱动高电容或相对较低的电容而设计阻抗负载。它们特别适用于实现缓冲寄存器,I /O端口,双向总线驱动器和工作寄存器。
这些器件可用作两个8位触发器或一个16位触发器。在时钟(CLK)输入的正跳变时,触发器的Q输出取数据(D)输入的逻辑电平。
缓冲输出使能(OE \)输入可用于将8个输出置于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。
为了确保上电或断电期间的高阻态,OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。
OE \不会影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。
SN54AHCT16374的特点是可在-55°C至125°C的整个军用温度范围内工作。 SN74AHCT16374的工作温度范围为-40°C至85°C。
特性
德州仪器WidebusTM家庭成员
EPICTM(...
发表于 -10-11 11:32
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CY74FCT16374T和CY74FCT162374T是16位D型寄存器,设计用作高速,低功耗总线应用中的缓冲寄存器。通过连接输出使能(OE)和时钟(CLK)输入,这些器件可用作两个独立的8位寄存器或单个16位寄存器。流通式引脚排列和小型收缩包装有助于简化电路板布局。
使用Ioff为部分断电应用完全指定此设备。 Ioff电路禁用输出,防止在断电时损坏通过器件的电流回流。
CY74FCT16374T非常适合驱动高电容负载和低阻抗背板。
CY74FCT162374T具有24 mA平衡输出驱动器,输出端带有限流电阻。这减少了对外部终端电阻的需求,并提供最小的下冲和减少的接地反弹。 CY74FCT162374T非常适合驱动传输线。
特性
Ioff支持部分省电模式操作
边沿速率控制电路用于显着改善的噪声特性
典型的输出偏斜< 250 ps
ESD&gt; 2000V
TSSOP(19.6密耳间距)和SSOP(25密耳间距)封装
工业温度范围-40°C至+ 85°C
VCC= 5V±10%
CY74FCT16374T特点:...
发表于 -10-11 11:28
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最近看到朋友圈晒各种小主机多少有点心动,特别是INTEL推出的骷髅峡谷迷你PC真是让人欲罢不能。回想...
发表于 -10-11 11:19
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这个12位至24位多路复用D型锁存器设计用于1.65 V至3.6 VVCC操作。
SN74ALVCH16260用于必须将两个独立数据路径复用到单个数据路径或从单个数据路径解复用的应用中。典型应用包括在微处理器或总线接口应用中复用和/或解复用地址和数据信息。该器件在存储器交错应用中也很有用。
三个12位I /O端口(A1-A12,1B1-1B12和2B1-2B12)可用于地址和/或数据传输。输出使能(OE1B \,OE2B \和OEA \)输入控制总线收发器功能。 OE1B \和OE2B \控制信号还允许在A到B方向上进行存储体控制。
可以使用内部存储锁存器存储地址和/或数据信息。锁存使能(LE1B,LE2B,LEA1B和LEA2B)输入用于控制数据存储。当锁存使能输入为高电平时,锁存器是透明的。当锁存使能输入变为低电平时,输入端的数据被锁存并保持锁存,直到锁存使能输入返回高电平为止。
确保上电或断电期间的高阻态,OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。
提供有源总线保持电路,用于保持有效逻辑电平的未使用或浮动数据输入。
< p> SN74ALVCH16260的工...
发表于 -10-11 11:08
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这个16位边沿触发D型触发器设计用于1.65 V至3.6 VVCC操作。
SN74ALVCH16374特别适用于实现缓冲寄存器,I /O端口,双向总线驱动器和工作寄存器。它可以用作两个8位触发器或一个16位触发器。在时钟(CLK)输入的正跳变时,触发器的Q输出取数据(D)输入的逻辑电平。 OE \可用于将8个输出置于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。
OE \不会影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。
为确保上电或断电期间的高阻态,OE \应连接到VCC通过上拉电阻;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。
有源总线保持电路将未使用或未驱动的输入保持在有效的逻辑状态。不建议在上拉电路中使用上拉或下拉电阻。
特性
德州仪器广播公司的成员?系列
工作电压范围为1.65至3.6 V
最大tpd为4.2 ns,3.3 V
±24-mA输出驱动在3.3 V
数据输入...
发表于 -10-11 11:06
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这个16位透明D型锁存器设计用于1.65 V至3.6 VVCC操作。
SN74ALVCH16373特别适用于实现缓冲寄存器,I /O端口,双向总线驱动器和工作寄存器。该器件可用作两个8位锁存器或一个16位锁存器。当锁存使能(LE)输入为高电平时,Q输出跟随数据(D)输入。当LE变为低电平时,Q输出锁存在D输入设置的电平。
缓冲输出使能(OE)输入可用于将8个输出置于正常状态逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。 OE \不会影响锁存器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。
为确保上电或断电期间的高阻态,OE \应连接到VCC通过上拉电阻;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。
有源总线保持电路将未使用或未驱动的输入保持在有效的逻辑状态。不建议在上拉电路中使用上拉或下拉电阻。
特性
德州仪器广播公司的成员?系列
工作电压范围为1.65 V至3.6 V
最大tpd3.6 ns,3.3 V
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发表于 -10-11 11:02
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这个16位透明D型锁存器设计用于1.65 V至3.6 VVCC操作。
特性
德州仪器宽带总线系列成员
典型VOLP(输出接地反弹)
&lt; 0.8 V,VCC= 3.3 V,TA= 25°C
典型VOHV(输出V < sub> OH Undershoot)
&gt; 2 V在VCC= 3.3 V,TA= 25°C
Ioff支持实时插入,部分 - 电源关闭模式和后驱动保护
支持混合模式信号操作(具有3.3VVCC的5V输入和输出电压)
< li>数据输入端的总线保持消除了对外部上拉或下拉电阻的需求
每个JESD的闩锁性能超过250 mA 17
ESD保护超过JESD 22 < ul>
2000-V人体模型(A114-A)
200-V机型(A115-A)
参数 与其它产品相比D 类锁存器
Technology Family
VCC (Min) (V)
VCC (Max) (V)
Bits (#)
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发表于 -10-11 11:00
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SN54ABT16260和SN74ABTH16260是12位至24位多路复用D型锁存器,用于必须复用两条独立数据路径的应用中,或者从单个数据路径中解复用。典型应用包括在微处理器或总线接口应用中复用和/或解复用地址和数据信息。该器件在存储器交错应用中也很有用。
三个12位I /O端口(A1-A12,1B1-1B12和2B1-2B12)可用于地址和/或数据传输。输出使能(OE1B \,OE2B \和OEA \)输入控制总线收发器功能。 OE1B \和OE2B \控制信号还允许A-to-B方向的存储体控制。
可以使用内部存储锁存器存储地址和/或数据信息。锁存使能(LE1B,LE2B,LEA1B和LEA2B)输入用于控制数据存储。当锁存使能输入为高电平时,锁存器是透明的。当锁存使能输入变为低电平时,输入端的数据被锁存并保持锁存状态,直到锁存使能输入返回高电平为止。
当VCC介于0和2.1 V之间时,器件在上电或断电期间处于高阻态。但是,为了确保2.1 V以上的高阻态,OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。
提供有源总线保持电路,用于保持有效逻辑电平的未使用或浮动数据输入。
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发表于 -10-11 10:51
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这些18位总线接口触发器具有3态输出,专为驱动高电容或相对低阻抗负载而设计。它们特别适用于实现更宽的缓冲寄存器,I /O端口,带奇偶校验的双向总线驱动器和工作寄存器。
?? ABT162823A器件可用作两个9位触发器或一个18位触发器。当时钟使能(CLKEN)\输入为低电平时,D型触发器在时钟的低到高转换时输入数据。将CLKEN \置为高电平会禁用时钟缓冲器,从而锁存输出。将清零(CLR)\输入设为低电平会使Q输出变为低电平而与时钟无关。
缓冲输出使能(OE)\输入将9个输出置于正常逻辑状态(高电平)或低电平)或高阻抗状态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动器提供了驱动总线线路的能力,无需接口或上拉组件。 OE \不会影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。
输出设计为源电流或吸收电流高达12 mA,包括等效的25- 串联电阻,用于减少过冲和下冲。
这些器件完全符合热插拔规定使用Ioff和上电3状态的应用程序。 Ioff电路禁用输出,防止在断电时损坏通过器件的电流回流。上电和断电期间,上电三态电路将输出置...
发表于 -10-11 10:48
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'ABTH162260是12位至24位多路复用D型锁存器,用于两个独立数据路径必须复用或复用的应用中。 ,单一数据路径。典型应用包括在微处理器或总线接口应用中复用和/或解复用地址和数据信息。这些器件在存储器交错应用中也很有用。
三个12位I /O端口(A1-A12,1B1-1B12和2B1-2B12)可用于地址和/或数据传输。输出使能(OE1B \,OE2B \和OEA \)输入控制总线收发器功能。 OE1B \和OE2B \控制信号还允许A-to-B方向的存储体控制。
可以使用内部存储锁存器存储地址和/或数据信息。锁存使能(LE1B,LE2B,LEA1B和LEA2B)输入用于控制数据存储。当锁存使能输入为高电平时,锁存器是透明的。当锁存使能输入变为低电平时,输入端的数据被锁存并保持锁存状态,直到锁存使能输入返回高电平为止。
B端口输出设计为吸收高达12 mA的电流,包括等效的25系列电阻,以减少过冲和下冲。
提供有源总线保持电路,用于保持有效逻辑电平的未使用或浮动数据输入。
当VCC介于0和2.1 V之间时,器件在上电或断电期间处于高阻态。但是,为了确保2.1 V以上的高阻态,OE \应通过...
发表于 -10-11 10:45
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这些20位透明D型锁存器具有同相三态输出,专为驱动高电容或相对低阻抗负载而设计。它们特别适用于实现缓冲寄存器,I /O端口,双向总线驱动器和工作寄存器。
?? ABT162841器件可用作两个10位锁存器或一个20位锁存器。锁存使能(1LE或2LE)输入为高电平时,相应的10位锁存器的Q输出跟随数据(D)输入。当LE变为低电平时,Q输出锁存在D输入设置的电平。
缓冲输出使能(10E或2OE)输入可用于放置输出。相应的10位锁存器处于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。
输出设计为吸收高达12 mA的电流,包括等效的25- 用于减少过冲和下冲的串联电阻。
这些器件完全适用于使用I的热插入应用关闭并启动3状态。 Ioff电路禁用输出,防止在断电时损坏通过器件的电流回流。上电和断电期间,上电三态电路将输出置于高阻态,从而防止驱动器冲突。
为确保上电或断电期间的高阻态, OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。
OE \不影响锁存器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据...
发表于 -10-11 10:43
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'ALVTH16821器件是20位总线接口触发器,具有3态输出,设计用于2.5 V或3.3 VVCC操作,但能够为5 V系统环境提供TTL接口。
这些器件可用作两个10位触发器或一个20位触发器。 20位触发器是边沿触发的D型触发器。在时钟(CLK)的正跳变时,触发器存储在D输入端设置的逻辑电平。
缓冲输出使能(OE \)输入可用于将10个输出置于正常逻辑状态(高电平或低电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。
OE \不会影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。
当VCC介于0和1.2 V之间时,器件在上电或断电期间处于高阻态。但是,为了确保1.2 V以上的高阻态,OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。
提供有源总线保持电路,用于保持有效逻辑电平的未使用或浮动数据输入。
SN54ALVTH16821的特点是可在-55°C至125°C的整个军用温度范围内工作。 SN74ALVTH16821的工作温度范围为-40&de...
发表于 -10-11 10:35
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贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始分销Microchip Technol...
发表于 -10-11 10:32
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'ALVTH16374器件是16位边沿触发D型触发器,具有3态输出,设计用于2.5V或3.3VV < sub> CC 操作,但能够为5 V系统环境提供TTL接口。这些器件特别适用于实现缓冲寄存器,I /O端口,双向总线驱动器和工作寄存器。
这些器件可用作两个8位触发器或一个16位翻转器。翻牌。在时钟(CLK)的正跳变时,触发器存储在数据(D)输入处设置的逻辑电平。
缓冲输出使能(OE)输入可用于将8个输出置于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。
OE不影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。
提供有源总线保持电路,用于保持有效逻辑电平的未使用或浮动数据输入。 /p>
当VCC介于0和1.2 V之间时,器件在上电或断电期间处于高阻态。但是,为了确保1.2 V以上的高阻态,OE应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。
SN54ALVTH16374的特点是在-55°C至125°C的整个军用温度...
发表于 -10-11 10:31
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选中“块”(Blocks) 下的“复位为出厂默认设置”(Reset to factory defau...
发表于 -10-10 17:54
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这些18位触发器具有3态输出,专为驱动高电容或相对低阻抗负载而设计。它们特别适用于实现更宽的缓冲寄存器,I /O端口,带奇偶校验的双向总线驱动器和工作寄存器。
'ABTH16823可用作两个9位触发器或一个18位触发器。当时钟使能(CLKEN \)输入为低电平时,D型触发器在时钟的低到高转换时输入数据。将CLKEN \置为高电平会禁用时钟缓冲器,锁存输出。将清零(CLR \)输入置为低电平会使Q输出变为低电平,与时钟无关。
缓冲输出使能(OE \)输入可用于将9个输出置于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。
OE \不会影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。
当VCC介于0和2.1 V之间时,器件在上电或断电期间处于高阻态。但是,为了确保2.1 V以上的高阻态,OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。
提供有源总线保持电路,用于保持有效逻辑电平的未使用或浮动数据输入。
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发表于 -10-10 17:15
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当时给出的算力参数为5G,10G,50G和1500G,预计3月发货,且性价比非常高,5G售...
发表于 -10-10 17:15
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SNxAHCT16373器件是16位透明D型锁存器,具有3态输出,专为驱动高电容或相对低阻抗负载而设计。它们特别适用于实现缓冲寄存器,I /O端口,双向总线驱动器和工作寄存器。
特性
德州仪器Widebus™系列的成员
EPIC™(增强型高性能注入CMOS)工艺
输入兼容TTL电压
分布式VCC和GND引脚最大限度地提高高速
开关噪声
流通式架构优化PCB布局
每个JESD的闩锁性能超过250 mA 17
ESD保护每个MIL-STD超过2000 V- 883,
方法3015;使用机器型号超过200 V(C = 200 pF,R = 0)
封装选项包括:
塑料收缩小外形(DL)封装
< li>薄收缩小外形(DGG)封装
薄超小外形(DGV)封装
80-mil精细间距陶瓷扁平(WD)封装
25密耳的中心间距
参数 与其它产品相比D 类锁存器
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发表于 -10-10 16:23
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由于芯片与散热器的接触面无法做到物理上完全光滑平整,所以当散热器与芯片直接接触时就会存在空气,因此芯...
发表于 -10-09 16:56
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