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1506_TC275参考手册阅读笔记_ED芯片

时间:2024-07-21 03:36:33

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1506_TC275参考手册阅读笔记_ED芯片

全部学习汇总:GitHub - GreyZhang/g_TC275: happy hacking for TC275!

MCU其实是有两种大类型的,一个是产品芯片PD,还有一个是模拟芯片ED芯片。可以理解为,后者是产品芯片的一个增强版。

这个是一个ED芯片的基本架构,其实是在一个PD的基础上扩充了一些存储等功能。但是中间增加了一个链接模块,可以让扩展的部分以一种外扩功能的形式集成到PD的总线上。

这里再次看到了MCDS,这个其实也是一个我之前没有找到解释的缩写。本来计划后面做一个查询,但是发现看到后面其实有解释。

这个就是前面看到的MCDS的解释了,多喝调试解决方案。

ED主要用在两个常见的场景:1. 做标定; 2. 实现trace。

这里我有一点疑问:FIFO以及非FIFO的差异在于什么地方?难道说FIFO的模式会缓存多组数据?

RAM overlay到FLash的地址,理解下来应该主要是用来实现标定功能。

ED芯片中的RAM通过特殊的供电可以实现掉电数据不丢失,这个是一个比较特殊的功能,但是想来可能会需要特殊的硬件设计了。我想到了一款国产MCU似乎提供过类似的功能,他们的实现难道说与这个ED的方案是类似的?

从上面的描述看,难道说JTAG的调试接口在AURIX的芯片上不支持trace功能?

另外,调试支持同时trace 2个CPU,看起来三核是无法全都一起trace的?

HMS的描述还是可以理解的,毕竟这个算是一个全新的MCU,开发以及调试工具全都应该是不同的。

在这段文档中多次看到AGBT这样的接口描述了,感觉上应该是为了让数据的传输延时更少一些。

这个MCU的ED功能中,描述了CPU可以直接访问ED的部分,这还是一个新功能。由此推测,之前MCU实现这部分应该还是转发之类的机制,可能还是有延迟的。

最后这一段描述了一个速度的计算,为什么需要Gb的速度接口,其实这个很容易计算出来。

关于这个XCP的理解我疑惑了一段,但是后来网络上看到了劳特巴赫的介绍资料基本上清楚了。其实,这个Tool HW有一个功能就是实现对采集数据的操作优化的,真正的XCP是这个硬件模块实现的。

存储进行了分块,我觉得这个可能不是存储本身的属性而是overlay的属性。

如果要使用标定功能,需要用到两个接口,一个是LMU,另一个是BBB。猜测,LMU用来访问flash,而BBB则是用来连通ED上的RAM。

有一些存储上的使用限制,感觉上应该还是overlay功能本身的限制。

访问总线的时候有一个优先级仲裁,这个除了防止调试系统影响运行之外,其他的场景之下使用到优先级的可能性估计不是很大。

不可避免的一点:使用trace功能的时候,单片机的温度会升高。另外值得注意的是,总线的宽度是256bit,也就是32个字节。

多核链接模块的设计提供了多组定时器,可以用来变成实现触发以及利用触发信号消除某些信号信息。

出于保密的需求,这个芯片也是提供通过内部软件锁死调试接口功能的。不过,这个应该是全部的MCU都有的功能而不是ED的特有功能。

AGBT的实现看起来是使用了FPGA的技术,Xilinx FPGA这个名称之前在很多地方见到过了,不知道是一个品牌还是标准,后面一起学习了解一下。

根据前面的信息,AGBT会用到64K的RAM作为缓冲区。

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