出于在制造工艺方面的进步，DDR3内存颗粒均将以90nm甚至更为先进的制程进行生产，加之若获取相同Clock Frequence和Data Bus时DDR3将会有着更低的DRAM Core Frequence，因此其默认工作电压已由DDR2的1.8v下降至现时的1.5v。正如来自于韩国Samsung公司的Scott Kim先生在北京IDF上的一堂课程中所说：“DDR3内存是高速至冷的新一代产品。”
较之现时的DDR2规格，DDR3内存模组的I/O Buffer缓冲单元采用了更低的能耗设计，I/O Driver单元已由上一代34欧姆降低至现时的18欧姆，这也使得在相同的传输速率下DDR3的耗能表现将比DDR2降低30%左右。
值得一提的是，用户普遍认为DDR3在CAS Latency延迟值方面的表现不如DDR2，而这一观念显然是错误的。所谓CAS Latency延迟值，简言之是指内存颗粒需要多少个时钟周期才能够进行数据的读取，但是若要统计内存模组整体的延迟值，还应当将内存颗粒的时钟频率计算在内。实际上，JEDEC电子设备与工程联合委员会所规定的CL=4-4-4的DDR2-533、CL=5-5-5的DDR2-667和CL=6-6-6的DDR2-800，若计算其内存颗粒的时钟频率，三者的延迟值均为15ns。
而在DDR3内存模组方面，若同样将内存颗粒的时钟频率计算在内，CL=7-7-7的DDR3-1066、CL=8-8-8的DDR3-1333以及CL=9-9-9的DDR3-1600其延迟值分别为13.125ns、12ns和11.25ns，反而低于要低于DDR2内存模组。值得一提的是，考虑到现时DDR2规格已经十分成熟，部分内存颗粒的CAS Latency延迟值早已比JEDEC电子设备与工程联合委员会所规定的标准低出许多，因此我们也认为，随着DDR3技术的不断成熟与调整，其势必将会有低于官方规格的产品出现。
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