SLM2110是一款高压、高速电源MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。专有HVIC和锁存免疫CMOS技术使坚固的单片建设逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出，低至3.3V思维方式输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级设计用于最小化驾驶员交叉传导。传播延迟与简化了在高频应用中的使用。这个浮动通道可用于驱动N通道高压侧的功率MOSFET或IGBT运行电压高达600 V的配置
同系列如下： SLM2106 SLM2104 SLM2103 SLM2101 SLM2103
特性：
SLM2110 替代IR2110S 移动储能解决方案
为引导操作设计的浮动通道
在+600 V下完全运行
耐受负瞬态电压，dV/dt免疫
栅极驱动电源范围从10 V到20 V
两个通道的欠压锁定
3.3 V、5 V和15 V逻辑兼容
逻辑和电源接地+/-5V偏移
交叉传导防止逻辑
具有下拉功能的CMOS施密特触发输入
逐周期边缘触发关闭逻辑
两个信道的匹配传播延迟
输出与输入同相
符合RoHS标准
SOIC-16（WB）封装
应用领域：
正弦波逆变器
变频水泵控制器
无刷电机驱动器
高压Class-D类功放
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