本专利申请案主张由松原康士(Yasushi Matsubara)于4月20日提出申请的标题为“用于保护存储器装置中的所存储数据的存取方案(ACCESS SCHEMES FOR PROTECTING STORED DATA IN A MEMORY DEVICE)”的美国专利申请案第15/958,973号的优先权，所述美国专利申请案受让于本发明受让人且以其全文引用的方式明确并入本文中。
技术领域
技术领域涉及用于保护存储器装置中的所存储数据的存取方案。
背景技术：
存储器装置广泛用于在各种电子装置(例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等等)中存储信息。通过编程存储器装置的不同状态而存储信息。举例来说，二进制存储器装置具有两个逻辑状态，通常由逻辑“1”或逻辑“0”表示。在其它存储器装置中，可存储多于两个逻辑状态。为存取所存储信息，电子装置的组件可读取或感测存储器装置中的所存储逻辑状态。为存储信息，电子装置的组件可在存储器装置中写入或编程逻辑状态。
存在各种类型的存储器装置，包含采用磁性硬盘的存储器装置、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)及其它。存储器装置可为易失性或非易失性的。非易失性存储器(例如PCM及FeRAM)可即使在不存在外部电源的情况下仍维持所存储逻辑状态达延长的时间周期。易失性存储器装置(例如DRAM)可随时间丢失所存储逻辑状态，除非所述易失性存储器装置由电源周期性地刷新。在一些情形中，非易失性存储器可使用与易失性存储器类似的装置架构，但可通过采用例如铁电电容或不同材料相的物理现象而具有非易失性性质。
改进存储器装置可包含增加存储器单元密度、增加读取/写入速度、增加可靠性、增加数据保持、减少电力消耗或减少制造成本以及其它度量。在一些情形中，对选定存储器单元进行存取操作可致使电荷在非选定存储器单元上积累，此可促成存储于非选定存储器单元中的数据的损失。
技术实现要素：
根据本发明的一种方法可包含：激活与第一存取线及存储器阵列的第一存储器单元耦合的第一切换组件，以选择性地耦合所述第一存储器单元与所述第一存取线；在激活所述第一切换组件之后，对所述第一存储器单元执行第一存取操作；在对所述第一存储器单元执行所述第一存取操作之后，激活与所述第一存取线及所述存储器阵列的第二存储器单元耦合的第二切换组件，以选择性地耦合所述第二存储器单元与所述第一存取线；停用所述第一切换组件及所述第二切换组件；及在停用所述第一切换组件及所述第二切换组件之后，对所述第一存储器单元或所述第二存储器单元中的至少一者执行第二存取操作。
根据本发明的一种设备可包含：多个存储器单元，其与数字线及板线耦合，所述多个存储器单元中的每一者包括单元选择组件，所述单元选择组件经配置以选择性地耦合所述多个存储器单元中的相应一者与所述数字线；多个字线，其各自与所述多个存储器单元中的所述相应一者的所述单元选择组件耦合；行解码器，其与所述多个字线中的每一者耦合；及存储器控制器。所述存储器控制器可操作以：通过致使所述行解码器激活所述多个字线中与所述多个存储器单元中的第一存储器单元的所述单元选择组件耦合的第一字线来对所述第一存储器单元执行存取操作；及响应于对所述第一存储器单元执行所述存取操作而通过致使所述行解码器激活所述多个字线中与所述多个存储器单元中的第二存储器单元的所述单元选择组件耦合的第二字线来对所述第二存储器单元执行均衡操作。
根据本发明的另一方法可包含：将存储器装置的多个字线偏置到第一电压；确定存取与所述多个字线中的第一字线耦合的存储器单元；在第一间隔期间，将所述第一字线从所述第一电压调整到比所述第一电压高的第二电压；在第二间隔期间，将所述多个字线中的第二字线偏置到第三电压；在所述第二间隔期间，对所述存储器单元执行存取操作；及在第三间隔期间，将所述第二字线从所述第三电压调整到比所述第三电压高的第四电压。
附图说明
图1图解说明根据本发明的实例的支持用于保护存储器装置中的所存储数据的存取方案的实例性存储器装置。
图2图解说明根据本发明的实例的支持用于保护存储器装置中的所存储数据的存取方案的实例性电路。
图3利用迟滞曲线图图解说明根据本发明的实例的针对支持用于保护存储器装置中的所存储数据的存取方案的存储器单元的非线性电性质的实例。
图4图解说明根据本发明的实例的支持用于保护存储器装置中的所存储数据的存取方案的电路的实例。
图5到7展示图解说明根据本发明的各种实施例的用于保护存储器装置中的所存储数据的实例性存取方案的操作的时序图。
图8到12图解说明根据本发明的实例的包含行组件的电路，所述行组件支持保护存储器装置中的所存储数据。
图13展示根据本发明的各种实施例的可支持用于保护存储器装置中的所存储数据的存取方案的存储器装置的框图。
图14展示根据本发明的各种实施例的可支持用于保护存储器装置中的所存储数据的存取方案的存储器控制器的框图。
图15展示根据本发明的各种实施例的包含可支持用于保护存储器装置中的所存储数据的存取方案的装置的系统的图式。
图16展示图解说明根据本发明的各种实施例的可支持用于保护存储器装置中的所存储数据的存取方案的方法的流程图。
图17展示图解说明根据本发明的各种实施例的可支持用于保护存储器装置中的所存储数据的存取方案的方法的流程图。
具体实施方式
根据本发明的方面，可通过执行用于保护存储器装置中的所存储数据的存取方案而较有效地维持非选定存储器单元的逻辑状态。举例来说，存储器装置可包含与数字线及板线耦合或耦合于所述数字线与所述板线之间的一组存储器单元。存储器单元中的每一者可包含单元选择组件，所述单元选择组件经配置以选择性地将存储器单元中的相应一者与数字线耦合。在一些实例中，单元选择组件中的每一者可(例如，在单元选择组件的控制节点、控制端子、选择节点或选择端子处)与多个字线中的相应一者耦合，所述多个字线可用于将特定单元选择组件激活或停用。
可对存储器单元中的选定一者(例如，被选择或以其它方式被识别用于存取操作的存储器单元)执行存取操作(例如，其可包含读取操作、写入操作、重写操作、刷新操作或其组合)。在一些实例中，存取操作可与将板线或数字线偏置相关联。在存取操作期间，可将选定存储器单元的单元选择组件激活，使得可将选定存储器单元选择性地与数字线及板线耦合。因此，作为针对存取操作而将数字线或板线偏置的结果，可使与存取操作相关联的信号(例如，与存取操作相关联的电压、与存取操作相关联的电荷、与存取操作相关联的电流)传递到选定存储器单元、从所述选定存储器单元传递或通过所述选定存储器单元。
虽然可将非选定存储器单元(例如，未被选择或未以其它方式被识别用于存取操作的单元)的单元选择组件停用，但电荷(例如，泄漏电荷)可流动穿过经停用单元选择组件。举例来说，当数字线或板线以与对选定存储器单元进行的存取操作相关联的电压进行偏置时，数字线或板线与非选定存储器单元之间的电压差可致使电荷跨越经停用单元选择组件流动且向非选定存储器单元或从所述非选定存储器单元流动(例如，在对选定存储器单元进行存取操作期间)。在一些实例中，泄漏电荷可导致跨越存储器单元(例如，原本将具有均衡偏置或电压的单元)的偏置(例如，非零偏置或电压)，所述存储器单元原本将不具有跨越存储器单元的此偏置。在连续存取操作中，此泄漏电荷或零偏置可在非选定存储器单元上或从所述非选定存储器单元积累，此在一些实例中可导致存储于非选定存储器单元中的数据的损失。
根据本发明的实例，可在对选定存储器单元进行存取操作之后执行操作以实现或以其它方式支持所积累泄漏电荷或偏置从非选定存储器单元耗散。举例来说，在对选定存储器单元进行存取操作之后，可将一或多个非选定存储器单元的单元选择组件激活(例如，通过激活与一或多个非选定存储器单元相关联的字线)。在将非选定存储器单元的单元选择组件激活的同时，可将相关联数字线及板线与支持所积累泄漏电荷或偏置的耗散的电压源耦合。举例来说，数字线及板线可与同一电压源耦合、与具有相同电压的电压源耦合或者与具有以其它方式支持积累于非选定存储器单元处的泄漏电荷或偏置的耗散的电压的电压源耦合。在一些实例中，与泄漏电荷或偏置的此耗散相关联的所描述操作可被称为耗散操作或均衡操作。
来自对选定存储器单元执行的存取操作的积累于非选定存储器单元处的泄漏电荷或偏置的耗散可防止或减小由存储器单元存储的逻辑状态的降级。举例来说，铁电存储器单元可基于非线性极化行为(例如，用以在不存在所施加电场的情况下存储电荷的能力)而操作。换句话说，作为一个实例，即使在未跨越存储器单元而主动施加电场时(例如，在均衡状态中)，经极化铁电存储器存储元件仍可存储电荷。然而，泄漏电荷或非零偏置可导致极化的降级或损失，且此极化降级可由从连续存取操作积累的泄漏电荷或偏置加重。通过执行本文中所描述的耗散或均衡操作，可(举例来说)在对选定存储器单元进行存取操作之后耗散积累于非选定铁电存储器单元处的泄漏电荷或非零偏置，此可减轻或防止跨越连续存取操作而积累泄漏电荷或偏置且改进存储器装置用以维持所存储数据的能力。
进一步参考图1到3在支持用于保护存储器装置中的所存储数据的存取方案的存储器阵列、存储器电路及存储器单元行为的上下文中描述上文所介绍的本发明的特征。接着参考图4到7描述特定实例，所述图以支持用于保护存储器装置中的所存储数据的存取方案的相关联时序图来图解说明特定电路。参考图8到12描述可支持所描述操作的电路的其它实例。进一步关于图13到17而描述本发明的这些及其它特征，所述图图解说明支持用于保护存储器装置中的所存储数据的存取方案的设备图式、系统图式及流程图。
图1图解说明根据本发明的各种实施例的支持用于保护存储器装置中的所存储数据的存取方案的实例性存储器装置100。存储器装置100还可被称为电子存储器设备。存储器装置100可包含可编程以存储不同逻辑状态的存储器单元105。在一些情形中，存储器单元105可编程以存储两个逻辑状态，表示为逻辑0及逻辑1。在一些情形中，存储器单元105可编程以存储多于两个逻辑状态。在一些实例中，存储器单元105可包含电容性存储器元件、铁电存储器元件、电阻式元件、自选择存储器元件或其组合。所述组存储器单元105可为存储器装置100的存储器阵列110(例如，存储器单元105的阵列)的一部分。
在一些实例中，存储器单元105可存储表示可编程逻辑状态的电荷(例如，将电荷存储于电容器中)。在一个实例中，经充电电容器及经放电电容器可分别表示两个逻辑状态。在另一实例中，带正电荷电容器及带负电荷电容器可分别表示两个逻辑状态。DRAM或FeRAM架构可使用此类设计，且所采用的电容器可包含具有线性或顺电极化性质的介电材料作为绝缘体。在一些实例中，电容器的不同电荷电平可表示不同逻辑状态(例如，在相应存储器单元105中支持多于两个逻辑状态)。在一些实例(例如FeRAM架构)中，存储器单元105可包含铁电电容器，所述铁电电容器具有铁电材料作为电容器的端子之间的绝缘层。铁电电容器的不同极化电平可表示不同逻辑状态(例如，在相应存储器单元105中支持两个或多于两个逻辑状态)。铁电材料具有非线性极化性质，包含参考图3进一步详细地论述的非线性极化性质。
在一些实例中，存储器单元105可包含材料部分，所述材料部分可被称为存储器元件、存储器存储元件、自选择存储器元件或自选择存储器存储元件。材料部分可具有表示不同逻辑状态的可变且可配置电阻。
举例来说，采用结晶原子配置或非晶原子配置(例如，能够在存储器装置100的周围操作温度范围内维持结晶状态或非晶状态)的形式的材料可取决于原子配置而具有不同电阻。材料的较结晶状态(例如，单晶体、可为大体上结晶的相对大晶粒的集合)可具有相对低电阻，且可替代地被称为“设定(SET)”逻辑状态。材料的较非晶状态(例如，完全非晶状态、可为大体上非晶的相对小晶粒的某种分布)可具有相对高电阻，且可替代地被称为“复位(RESET)”逻辑状态。因此，取决于存储器单元105的材料部分是处于较结晶状态中还是较非晶状态中，施加到此存储器单元105的电压可产生不同电流流动。因此，由向存储器单元105施加读取电压所产生的电流的量值可用于确定由存储器单元105存储的逻辑状态。
在一些实例中，存储器元件可配置有可产生中间电阻的结晶区与非晶区的各种比率(例如，原子有序与无序的不同程度)，所述各种比率可表示不同逻辑状态(例如，在相应存储器单元105中支持两个或多于两个逻辑状态)。此外，在一些实例中，材料或存储器元件可具有多于两个原子配置，例如非晶配置及两个不同结晶配置。虽然在本文中参考不同原子配置的电阻进行描述，但存储器装置可使用存储器元件的某一其它特性来确定与原子配置或原子配置的组合对应的所存储逻辑状态。
在一些情形中，处于较非晶状态中的存储器元件可与阈值电压相关联。在一些实例中，当跨越存储器元件而施加大于阈值电压的电压时，电流可流动穿过处于较非晶状态中的存储器元件。在一些实例中，当跨越存储器元件而施加小于阈值电压的电压时，电流可不流动穿过处于较非晶状态中的存储器元件。在一些情形中，处于较结晶状态中的存储器元件可不与阈值电压相关联(例如，可与阈值电压零相关联)。在一些实例中，响应于跨越存储器元件的非零电压，电流可流动穿过处于较结晶状态中的存储器元件。
在一些情形中，处于较非晶状态及较结晶状态两者中的材料可与阈值电压相关联。举例来说，自选择存储器可增强存储器单元的阈值电压在不同经编程状态之间的差(例如，通过不同组成分布的方式)。可通过随时间将存储器元件加热到支持形成特定原子配置或原子配置的组合的温度量变曲线而设定具有此存储器元件的存储器单元105的逻辑状态。
存储器装置100可包含三维(3D)存储器阵列，其中多个二维(2D)存储器阵列(例如，层面、层级)形成于彼此顶部上。与2D阵列相比，此布置可增加可被放置或形成于单个裸片或衬底上的存储器单元105的数目，此又可减少生产成本或增加存储器装置100的性能或者此两者。所述层面可由电绝缘材料分离。每一层面或层级可经对准或定位使得存储器单元105可跨越每一层面而大约彼此对准，从而形成存储器单元105的堆叠。
在存储器装置100的实例中，存储器单元105的每一行可与多个第一存取线120中的一者(例如，字线(WL)，例如WL1到WLM中的一者)耦合，且存储器单元105的每一列可与多个第二存取线130中的一者(例如，数字线(DL)，例如DL1到DLN中的一者)耦合。在一些情形中，在存储器装置100中(例如，当观看存储器装置100的层面的平面时，如图1中所展示)，第一存取线120与第二存取线130可大体上彼此垂直。在不有损理解或操作的情况下，对字线及位线或其类似物的提及为可互换的。
一般来说，一个存储器单元105可位于存取线120与存取线130的相交点处(例如，与所述存取线耦合、耦合于所述存取线之间)。此相交点可被称为存储器单元105的地址。目标或选定存储器单元105可为位于经激励或以其它方式选定的存取线120与经激励或以其它方式选定的存取线130的相交点处的存储器单元105。换句话说，存取线120及存取线130可被激励或以其它方式被选择以在其相交点处对存储器单元105进行存取(例如，读取、写入、重写、刷新)。与同一存取线120或130进行电子通信(例如，连接到所述同一存取线)的其它存储器单元105可被称为非目标或非选定存储器单元105。
在一些架构中，存储器单元105的逻辑存储组件(例如，电容性存储器元件、铁电存储器元件、电阻式存储器元件、其它存储器元件)可通过单元选择组件而与第二存取线130电隔离。第一存取线120可与单元选择组件耦合(例如，经由单元选择组件的控制节点或端子)，且可控制存储器单元105的单元选择组件。举例来说，单元选择组件可为晶体管且第一存取线120可与晶体管的栅极耦合(例如，其中晶体管的栅极节点可为晶体管的控制节点)。激活存储器单元105的第一存取线120可导致存储器单元105的逻辑存储组件与其对应第二存取线130之间的电连接或闭合电路。可接着存取第二存取线130以对存储器单元105进行读取或写入。
在一些实例中，存储器单元105还可与多个第三存取线140中的一者(例如，板线(PL)，例如PL1到PLN中的一者)耦合。在一些实例中，所述多个第三存取线140可将存储器单元105与一或多个电压源耦合以进行各种感测及/或写入操作，包含本文中所描述的感测及/或写入操作。举例来说，当存储器单元105采用电容器来存储逻辑状态时，第二存取线130可提供对电容器的第一端子或第一板的存取，且第三存取线140可提供对电容器的第二端子或第二板(例如，与电容器的相对板相关联的端子(如与电容器的第一端子相对)、以其它方式位于电容的与电容器的第一端子相对的侧上的端子)的存取。
所述多个第三存取线140可与板组件145耦合，所述板组件可控制各种操作，例如激活所述多个第三存取线140中的一或多者，或者选择性地将所述多个第三存取线140中的一或多者与电压源或其它电路元件耦合。虽然将存储器装置100的所述多个第三存取线140展示为大体上平行于所述多个第二存取线130，但在其它实例中，多个第三存取线140可大体上平行于所述多个第一存取线120或呈任何其它配置。
虽然将参考图1所描述的存取线展示为存储器单元105与所耦合组件之间的直接线，但存取线可包含可用于支持存取操作(包含本文中所描述的存取操作)的其它电路元件，例如电容器、电阻器、晶体管、放大器、电压源、切换组件、选择组件及其它。在一些实例中，电极可与存储器单元105及存取线120耦合(例如，耦合于所述存储器单元与所述存取线之间)，或与存储器单元105及存取线130耦合(例如，耦合于所述存储器单元与所述存取线之间)。术语电极可指组件之间的电导体或其它电接口，且在一些情形中，所述电极可用作通向存储器单元105的电触点。电极可包含在存储器装置100的元件或组件之间提供导电路径的迹线、导线、导电线、导电层、导电垫等等。
可通过激活或选择与存储器单元105耦合的第一存取线120、第二存取线130及/或第三存取线140(此可包含向相应存取线施加电压、电荷或电流)而对存储器单元105执行例如读取、写入、重写及刷新等存取操作。存取线120、130及140可由导电材料(例如金属(例如，铜(Cu)、银(Ag)、铝(Al)、金(Au)、钨(W)、钛(Ti))、金属合金、碳或者其它导电或半导电材料、合金或化合物)制成。在选择存储器单元105后，可即刻使用所得信号来确定由存储器单元105存储的逻辑状态。举例来说，可选择具有存储逻辑状态的电容性存储器元件的存储器单元105，且可检测经由存取线的所得电荷流及/或存取线的所得电压以确定由存储器单元105存储的经编程逻辑状态。
可通过行组件125(例如，行解码器)、列组件135(例如，列解码器)或板组件145(例如，板驱动器)而控制存取存储器单元105。举例来说，行组件125可从存储器控制器170接收行地址且基于所接收行地址而激活适当第一存取线120。类似地，列组件135可从存储器控制器170接收列地址且激活适当第二存取线130。因此，在一些实例中，可通过激活第一存取线120及第二存取线130而存取存储器单元105。在一些实例中，此类存取操作可伴随着板组件145将第三存取线140中的一或多者偏置，此可被称为“移动存储器单元105或存储器阵列的板”。
在一些实例中，存储器控制器170可通过各种组件(例如，行组件125、列组件135、板组件145、感测组件150)而控制存储器单元105的操作(例如，读取操作、写入操作、重写操作、刷新操作、放电操作、耗散操作、均衡操作)。在一些情形中，行组件125、列组件135、板组件145及感测组件150中的一或多者可与存储器控制器170共置或以其它方式包含在一起。存储器控制器170可产生行地址信号及列地址信号以激活所要存取线120及存取线130。存储器控制器170还可产生或控制在存储器装置100的操作期间使用的各种电压或电流。举例来说，存储器控制器170可在存取一或多个存储器单元105之后将放电或均衡电压施加到存取线120、存取线130或存取线140中的一或多者。
一般来说，所施加电压、电流或电荷的振幅、形状或持续时间可被调整或变化，且可针对在操作存储器装置100中所论述的各种操作为不同的。此外，可同时存取存储器装置100内的一个、多个或所有存储器单元105。举例来说，可在复位操作期间同时存取存储器装置100的多个或所有存储器单元105，在所述复位操作中，将所有存储器单元105或存储器单元105的群组设定到单个逻辑状态。
当存储器单元105经存取(例如，与存储器控制器170协作)以确定由存储器单元105存储的逻辑状态时，存储器单元105可由感测组件150读取(例如，感测)。举例来说，感测组件150可经配置以响应于读取操作而感测穿过存储器单元105的电流或电荷，或感测由将存储器单元105与感测组件150或其它介入组件(例如，介于存储器单元105与感测组件150之间的信号形成组件)耦合所产生的电压。感测组件150可将指示由存储器单元105存储的逻辑状态的输出信号提供到一或多个组件(例如，列组件135、输入/输出组件160、存储器控制器170)。
在一些实例中，在存取存储器单元105期间或之后，存储器单元105的逻辑存储部分可放电或以其它方式准许电荷或电流经由其对应存取线120、130或140流动。此电荷或电流可由偏置或者从存储器装置100的一或多个电压源或供应器(未展示)向存储器单元105施加电压而产生，其中此电压源或供应器可为行组件125、列组件135、板组件145、感测组件150、存储器控制器170或某一其它组件(例如，偏置组件)的一部分。在一些实例中，存储器单元105的放电可导致存取线130的电压的改变，感测组件150可将所述电压的改变与参考电压进行比较以确定存储器单元105的所存储状态。在一些实例中，可将电压施加到存储器单元105(例如，使用对应存取线120及存取线130)且所得电流的存在可取决于存储器单元105的存储器元件的所施加电压及电阻状态，感测组件150可使用所述所得电流的存在来确定存储器单元105的所存储状态。
在一些实例中，当跨越具有存储第一逻辑状态(例如，与较结晶原子配置相关联的设定状态)的存储器元件的存储器单元105而施加读取信号(例如，读取脉冲、读取电流、读取电压)时，存储器单元105由于读取脉冲超过存储器单元105的阈值电压而传导电流。作为响应或基于此，感测组件150可因此检测穿过存储器单元105的电流作为确定由存储器单元105存储的逻辑状态的一部分。当将读取脉冲施加到具有存储第二逻辑状态(例如，与较非晶原子配置相关联的复位状态)的存储器元件的存储器单元105(此可在跨越具有存储第一逻辑状态的存储器元件的存储器单元105而施加读取脉冲之前或之后发生)时，存储器单元105可由于读取脉冲未超过存储器单元105的阈值电压而不传导电流。感测组件150可因此检测穿过存储器单元105的极少电流或无穿过所述存储器单元的电流作为确定所存储逻辑状态的一部分。
在一些实例中，可界定阈值电流以用于感测由存储器单元105存储的逻辑状态。阈值电流可被设定为高于可在存储器单元105响应于读取脉冲而未达到阈值时通过存储器单元105的电流，但等于或低于在存储器单元105响应于读取脉冲而确实达到阈值时穿过存储器单元105的预期电流。举例来说，阈值电流可高于相关联存取线120、130或140的泄漏电流。在一些实例中，可基于由被读取脉冲驱动的电流所产生的电压(例如，跨越分路电阻)而确定由存储器单元105存储的逻辑状态。举例来说，可将所得电压与参考电压进行比较，其中所得电压小于参考电压对应于第一逻辑状态且所得电压大于参考电压对应于第二逻辑状态。
在一些实例中，在读取存储器单元105时可施加多于一个电压(例如，可施加多个电压作为读取操作的一部分)。举例来说，如果所施加读取电压并不产生电流流动，那么可施加一或多个其它读取电压(例如，直到由感测组件150检测到电流为止)。基于评估产生电流流动的读取电压，可确定存储器单元105的所存储逻辑状态。在一些情形中，可将读取电压斜升(例如，平滑地增加量值)直到由感测组件150检测到电流流动或其它条件为止。在其它情形中，可施加预定读取电压(例如，以逐步方式增加量值的预定读取电压序列)直到检测到电流为止。同样，可将读取电流施加到存储器单元105且用以形成所述读取电流的电压的量值可取决于存储器单元105的电阻或总阈值电压。
感测组件150可包含用以检测或放大感测信号的差(例如，读取电压与参考电压之间的差、读取电流与参考电流之间的差、读取电荷与参考电荷之间的差)(在一些实例中，此可被称为锁存)的各种切换组件、选择组件、晶体管、放大器、电容器、电阻器或电压源。在一些实例中，感测组件150可包含针对连接到感测组件150的一组存取线130中的每一者而重复的组件(例如，电路元件)的集合。举例来说，感测组件150可针对与感测组件150耦合的一组存取线130中的每一者包含单独感测电路(例如，单独感测放大器、单独信号形成组件)，使得针对与所述组存取线130中的相应一者耦合的相应存储器单元105而单独地检测逻辑状态。在一些实例中，参考信号源(例如，参考组件)或所产生参考信号可在存储器装置100的若干组件之间共享(例如，在一或多个感测组件150当中共享、在感测组件150的单独感测电路当中共享)。
感测组件150可包含于装置中，所述装置包含存储器装置100。举例来说，感测组件150可与存储器的可耦合到存储器装置100的其它读取及写入电路、解码电路或寄存器电路包含在一起。在一些实例中，可通过列组件135而输出存储器单元105的所检测逻辑状态作为输出。在一些实例中，感测组件150可为列组件135或行组件125的一部分。在一些实例中，感测组件150可连接到列组件135或行组件125或者以其它方式与所述列组件或所述行组件进行电子通信。
虽然展示单个感测组件150，但存储器装置100可包含多于一个感测组件150。举例来说，第一感测组件150可与存取线130的第一子集耦合且第二感测组件150可与存取线130的第二子集(例如，不同于存取线130的第一子集)耦合。在一些实例中，感测组件150的此划分可支持多个感测组件150的并行(例如，同时)操作。在一些实例中，感测组件150的此划分可支持将具有不同配置或特性的感测组件150与存储器装置的存储器单元105的特定子集匹配(例如，支持存储器单元105的不同类型、支持存储器单元105的子集的不同特性、支持存取线130的子集的不同特性)。另外或替代地，两个或多于两个感测组件150可与同一组存取线130耦合(例如，用于组件冗余)。在一些实例中，此配置可支持维持功能性以克服冗余感测组件150中的一者的故障或另外不良操作。在一些实例中，此配置可支持用以针对特定操作特性(例如，如与电力消耗特性相关、如与针对特定感测操作的存取速度特性相关、如与以易失性模式或非易失性模式操作存储器单元105相关)选择冗余感测组件150中的一者的能力。
在一些存储器架构中，存取存储器单元105可使所存储逻辑状态降级或毁坏且可执行重写或刷新操作以将原始逻辑状态返回到存储器单元105。在DRAM或FeRAM中，举例来说，存储器单元105的电容器可在感测操作期间部分地或完全地放电，借此损毁存储于存储器单元105中的逻辑状态。在PCM中，举例来说，感测操作可导致存储器单元105的原子配置的改变，借此改变存储器单元105的电阻状态。因此，在一些实例中，可在存取操作之后重写存储于存储器单元105中的逻辑状态。此外，激活单个存取线120、130或140可导致与经激活存取线120、130或140耦合的所有存储器单元105的放电。因此，可在存取操作之后对与相关联于存取操作的存取线120、130或140耦合的数个或所有存储器单元105(例如，经存取行的所有单元、经存取列的所有单元)进行重写。
在一些实例中，读取存储器单元105可为非破坏性的。也就是说，在读取存储器单元105之后可不需要重写存储器单元105的逻辑状态。举例来说，在非易失性存储器(例如PCM)中，存取存储器单元105可不会毁坏逻辑状态且因此，存储器单元105可不需要在存取之后重写。然而，在一些实例中，在不存在或存在其它存取操作的情况下，可或可不需要刷新存储器单元105的逻辑状态。举例来说，可通过施加适当写入、刷新或均衡脉冲或偏置而以周期性间隔来刷新由存储器单元105存储的逻辑状态以维持所存储逻辑状态。刷新存储器单元105可减少或消除因存储器元件随时间的电荷泄漏或原子配置改变所致的读取干扰错误或逻辑状态损毁。
还可通过激活相关第一存取线120、第二存取线130及/或第三存取线140而对存储器单元105进行设定或写入。换句话说，可将逻辑状态存储于存储器单元105中。行组件125、列组件135或板组件145可(举例来说)经由输入/输出组件160而接受将被写入到存储器单元105的数据。在一些实例中，写入操作可至少部分地由感测组件150执行，或写入操作可经配置以绕过感测组件150。
在电容性存储器元件的情形中，可通过将电压施加到电容器且接着将电容器隔离(例如，将电容器与用于对存储器单元105进行写入的电压源隔离)以将电荷存储于与所要逻辑状态相关联的电容器中而对存储器单元105进行写入。在铁电存储器的情形中，可通过施加量值足够高而以与所要逻辑状态相关联的极化使存储器单元105的铁电存储器元件(例如，铁电电容器)极化的电压(例如，施加饱和电压)而对所述铁电存储器元件进行写入，且可将铁电存储器元件隔离(例如，浮动)，或可跨越铁电存储器元件而施加零净电压(例如，使跨越铁电存储器元件的电压接地、虚接地或均衡)。在PCM的情形中，可通过施加具有致使(例如，通过加热及冷却方式)存储器元件形成与所要逻辑状态相关联的原子配置的量变曲线的电流而对存储器元件进行写入。
在根据本发明的一些实例中，存储器装置100可包含与第二存取线130及第三存取线140耦合或耦合于所述第二存取线与所述第三存取线之间的一组存储器单元105。存储器单元105中的每一者可包含单元选择组件，所述单元选择组件经配置以选择性地将存储器单元105中的相应一者与第二存取线130或第三存取线140耦合。在一些实例中，可将单元选择组件中的每一者(例如，在相应单元选择组件的控制节点或控制端子处)与第一存取线120中的相应一者耦合，所述第一存取线可用于将特定单元选择组件激活或停用。
可对存储器单元105中的选定一者执行可包含读取操作、写入操作、重写操作、刷新操作或其组合的存取操作。在一些实例中，存取操作可与将相关联第二存取线130或相关联第三存取线140偏置相关联。在存取操作期间，可将选定存储器单元105的单元选择组件激活，使得可将选定存储器单元105选择性地与第二存取线130及第三存取线140耦合。因此，作为针对存取操作而将第二存取线130或第三存取线140偏置的结果，可使与存取操作相关联的信号(例如，与存取操作相关联的电压、与存取操作相关联的电荷、与存取操作相关联的电流)传递到选定存储器单元105、从所述选定存储器单元传递或通过所述选定存储器单元。
虽然可将非选定存储器单元105的单元选择组件停用，但泄漏电荷可流动穿过经停用单元选择组件。举例来说，当相关联第二存取线130或第三存取线140以与对选定存储器单元105进行的存取操作相关联的电压进行偏置时，非选定存储器单元105与第二存取线130或第三存取线140之间的电压差可致使泄漏电荷跨越经停用单元选择组件而流动到非选定存储器单元105或从所述非选定存储器单元流动(例如，在对选定存储器单元进行存取操作期间)。在连续存取操作中，此泄漏电荷可在非选定存储器单元105上积累，或可致使非零偏置或电压在非选定存储器单元处积累。在一些实例中，泄漏电荷或偏置的此积累可导致存储于非选定存储器单元105中的数据的损失。
根据本发明的实例，可在对选定存储器单元105进行存取操作之后执行操作以促进或以其它方式支持所积累泄漏电荷或偏置从非选定存储器单元105耗散。举例来说，在对选定存储器单元105进行存取操作之后，可将一或多个非选定存储器单元105的单元选择组件激活(例如，通过激活与一或多个非选定存储器单元相关联的第一存取线120)。在将非选定存储器单元105的单元选择组件激活的同时，可将相关联第二存取线130及第三存取线140与支持所积累泄漏电荷或电压偏置的耗散的电压源耦合。举例来说，第二存取线130及第三存取线140可与同一电压源耦合或与具有相同电压的电压源耦合或者与具有以其它方式支持积累于非选定存储器单元105处的泄漏电荷或偏置的耗散的电压的电压源耦合。
在一些实例中，与泄漏电荷或偏置的此耗散相关联的所描述操作可被称为耗散操作或均衡操作。通过执行本文中所描述的耗散或均衡操作，可在对选定存储器单元105进行存取操作之后耗散积累于非选定存储器单元105处的泄漏电荷或电压偏置，此可减轻或防止跨越连续存取操作而积累泄漏电荷且改进存储器装置100用以维持所存储数据的能力。
图2图解说明根据本发明的各种实施例的支持用于保护存储器装置中的所存储数据的存取方案的实例性电路200。电路200可包含存储器单元105-a，所述存储器单元可为参考图1所描述的存储器单元105的实例。电路200还可包含感测放大器290，所述感测放大器可为参考图1所描述的感测组件150的一部分。电路200还可包含字线205、数字线210及板线215，在一些实例中，所述字线、数字线及板线可分别对应于如参考图1所描述的第一存取线120、第二存取线130及第三存取线140。电路200还可包含由感测放大器290使用以确定存储器单元105-a的所存储逻辑状态的参考线265。
如图2中所图解说明，感测放大器290可包含第一节点291及第二节点292，在一些实例中，所述第一节点及所述第二节点可与电路的不同存取线(例如，分别电路200的信号线260及参考线265)或不同电路(未展示)的共同存取线耦合。然而，根据本发明的各种实施例，存取线及/或参考线的其它配置为可能的。
存储器单元105-a可包含逻辑存储组件(例如，存储器元件)，例如具有第一板—单元板221及第二板—单元底部222的电容器220。单元板221与单元底部222可通过定位于其间的介电材料(例如，在DRAM应用中)而电容性耦合，或通过定位于其间的铁电材料(例如，在FeRAM应用中)而电容性耦合。单元板221可与电压Vplate相关联，且单元底部222可与电压Vbottom相关联，如电路200中所图解说明。在不改变存储器单元105-a的操作的情况下，单元板221及单元底部222的定向可为不同的(例如，翻转)。可经由板线215而存取单元板221且可经由数字线210而存取单元底部222。如本文中所描述，可通过将电容器220充电、放电及/或极化而存储各种逻辑状态。
电容器220可与数字线210进行电子通信，且可通过操作在电路200中表示的各种元件而读取或感测电容器220的所存储逻辑状态。举例来说，存储器单元105-a还可包含单元选择组件230，在一些实例中，所述单元选择组件被称为与存取线(例如，数字线210)及电容器220耦合的切换组件。在一些实例中，单元选择组件230可被视为在存储器单元105-a的说明性边界外部，且单元选择组件可被称为与存取线(例如，数字线210)及存储器单元105-a耦合的切换组件。
当将单元选择组件230激活(例如，通过激活逻辑信号的方式)时，电容器220可选择性地与数字线210耦合，且当将单元选择组件230停用(例如，通过停用逻辑信号的方式)时，电容器220可选择性地与数字线210隔离。可将逻辑信号或其它选择信号或电压施加到单元选择组件230的控制节点235(例如，控制节点、控制端子、选择节点、选择端子)(例如，经由字线205)。换句话说，单元选择组件230可经配置以基于经由字线205施加到控制节点235的逻辑信号或电压而选择性地将电容器220与数字线210耦合或解耦。
在一些实例中，将单元选择组件230激活可被称为选择存储器单元105-a且在一些实例中，将单元选择组件230停用可被称为取消选择存储器单元105-a。在一些实例中，单元选择组件230为晶体管且可通过将激活电压施加到晶体管栅极(例如，控制或选择节点或端子)而控制所述晶体管的操作。用于激活晶体管的电压(例如，晶体管栅极端子与晶体管源极端子之间的电压)可为大于晶体管的阈值电压量值的电压。字线205可用于激活单元选择组件230。举例来说，可将被施加到字线205的选择电压(例如，字线逻辑信号或字线电压)施加到单元选择组件230的晶体管的栅极，此可选择性地将电容器220与数字线210连接(例如，在电容器220与数字线210之间提供导电路径)。
在其它实例中，可将单元选择组件230及电容器220在存储器单元105-a中的位置切换，使得单元选择组件230可与板线215及单元板221耦合或耦合于所述板线与所述单元板之间，且电容器220可与数字线210及单元选择组件230的另一端子耦合或耦合于所述数字线与所述另一端子之间。在此实施例中，单元选择组件230可保持通过电容器220而与数字线210进行电子通信。此配置可与存取操作的替代时序及偏置相关联。
在采用铁电电容器220的实例中，电容器220在连接到数字线210后可或可不即刻完全放电。在各种方案中，为感测由铁电电容器220存储的逻辑状态，可将电压施加到板线215及/或数字线210，且可将字线205偏置(例如，通过将字线205激活)以选择存储器单元105-a。在一些情形中，在将字线205激活之前，可将板线215及/或数字线210虚接地且接着与虚接地(其可被称为浮动状况、闲置状况或待用状况)隔离。
存储器单元105-a改变去往单元板221的电压(例如，经由板线215)的操作可被称为“移动单元板”。将板线215及/或数字线210偏置可导致跨越电容器220的电压差(例如，数字线210的电压减去板线215的电压)。电压差可伴随着电容器220上的所存储电荷的改变，其中所存储电荷的改变的量值可取决于电容器220的初始状态(例如，初始逻辑状态是存储逻辑1还是逻辑0)。在一些方案中，电容器220的所存储电荷的改变可导致数字线210的电压的改变，所述电压的改变可由感测组件150-a使用以确定存储器单元105-a的所存储逻辑状态。
数字线210可与额外存储器单元105(未展示)耦合，且数字线210可具有产生不可忽略固有电容240(例如，大约数微微法拉(pF))的性质，所述不可忽略固有电容可将数字线210与电压源250-a耦合。电压源250-a可表示共同接地或虚接地电压，或者电路200的邻近存取线(未展示)的电压。虽然在图2中图解说明为单独元件，但固有电容240可与贯穿数字线210而分布的性质相关联。
在一些实例中，固有电容240可取决于数字线210的物理特性，包含数字线210的导体尺寸(例如，长度、宽度、厚度)。固有电容240还可取决于邻近存取线或电路组件的特性、接近于此类邻近存取线或电路组件的特性，或者数字线210与此类存取线或电路组件之间的绝缘特性。因此，在选择存储器单元105-a之后数字线210的电压的改变可取决于数字线210(例如，与所述数字线相关联)的净电容。换句话说，当电荷沿着数字线210流动(例如，流动到数字线210、从数字线210流动)时，可沿着数字线210(例如，在固有电容240、与数字线210耦合的其它电容中)存储一些有限电荷，且数字线210的所得电压可取决于数字线210的净电容。
可由感测组件150-a将在选择存储器单元105-a之后数字线210的所得电压与参考(例如，参考线265的电压)进行比较以确定存储于存储器单元105-a中的逻辑状态。在一些实例中，参考线265的电压可由参考组件285提供。在其它实例中，可省略参考组件285且可(举例来说)通过存取存储器单元105-a以产生参考电压(例如，在自参考存取操作中)而提供参考电压。其它操作可用于支持选择及/或感测存储器单元105-a，包含用于支持用于保护所存储数据的存取方案的操作，如本文中所描述。
在一些实例中，电路200可包含信号形成组件280，所述信号形成组件可为与存储器单元105-a及感测放大器290耦合或耦合于所述存储器单元与所述感测放大器之间的信号形成电路的实例。在感测操作之前，信号形成组件280可放大或以其它方式转换数字线210的信号。信号形成组件280可包含(举例来说)晶体管、放大器、共源共栅或者任何其它电荷或电压转换器或放大器组件。在一些实例中，信号形成组件280可包含电荷转移感测放大器(CTSA)。在具有信号形成组件280的一些实例中，介于感测放大器290与信号形成组件280之间的线可被称为信号线(例如，信号线260)。在一些实例(例如，具有或不具有信号形成组件280的实例)中，数字线210可与感测放大器290直接连接。
在一些实例中，电路200可包含旁路线270，所述旁路线可准许选择性地绕过信号形成组件280或介于存储器单元105-a与感测放大器290之间的某一其它信号产生电路。在一些实例中，可通过切换组件275而选择性地启用旁路线270。换句话说，当将切换组件275激活时，可经由旁路线270将数字线210与信号线260耦合(例如，将存储器单元105-a与感测组件150-a耦合)。
在一些实例中，当将切换组件275激活时，可使信号形成组件280选择性地与数字线210或信号线260中的一者或两者隔离(例如，通过另一切换组件或选择组件，未展示)。当将切换组件275停用时，数字线210可经由信号形成组件280而选择性地与信号线260耦合。在其它实例中，选择组件可用于选择性地将存储器单元105-a(例如，数字线210)与信号形成组件280或旁路线270中的一者耦合。另外或替代地，在一些实例中，选择组件可用于选择性地将感测放大器290与信号形成组件280或旁路线270中的一者耦合。在一些实例中，可选择旁路线270可支持产生感测信号以用于通过使用信号形成组件280而检测存储器单元105-a的逻辑状态，及产生写入信号以将逻辑状态写入到绕过信号形成组件280的存储器单元105-a。
支持用于保护存储器装置中的所存储数据的所描述存取方案的存储器装置的一些实例可在存储器单元105与感测放大器290之间共享共同存取线(未展示)以支持从同一存储器单元105产生感测信号及参考信号。在一个实例中，介于信号形成组件280与感测放大器290之间的共同存取线可被称为“共同线”、“AMPCAP线”或“AMPCAP节点”，且共同存取线可代替电路200中所图解说明的信号线260及参考线265。在此类实例中，共同存取线可在两个不同节点(例如，第一节点291及第二节点292，如本文中所描述)处连接到感测放大器290。在一些实例中，共同存取线可准许自参考读取操作在信号产生操作及参考产生操作两者中共享组件，所述组件可存在于感测放大器290与被存取的存储器单元105之间。此配置可减小感测放大器290对存储器装置中的各种组件(例如存储器单元105、存取线(例如，字线205、数字线210、板线215)、信号形成电路(例如，信号形成组件280)、晶体管、电压源250及其它)的操作变化的敏感性。
虽然将数字线210及信号线260识别为单独线，但根据本发明，将存储器单元105与感测组件150连接的数字线210、信号线260及任何其它线可被称为单个存取线。在各种实例性配置中，可出于图解说明介入组件及介入信号的目的而单独地识别此存取线的构成部分。
感测放大器290可包含用以检测、转换或放大信号差(此可被称为锁存)的各种晶体管或放大器。举例来说，感测放大器290可包含电路元件，所述电路元件接收第一节点291处的感测信号电压(例如，Vsig)并将所述感测信号电压与第二节点292处的参考信号电压(例如，Vref)进行比较。可基于感测放大器290处的比较而将感测放大器的输出驱动到较高电压(例如，正电压)或较低电压(例如，负电压、接地电压)。
举例来说，如果第一节点291具有比第二节点292低的电压，那么可将感测放大器290的输出驱动到第一感测放大器电压源250-b的相对较低电压(例如，电压VL，其可为大体上等于V0的接地电压或负电压)。包含感测放大器290的感测组件150可锁存感测放大器290的输出以确定存储于存储器单元105-a中的逻辑状态(例如，当第一节点291具有比第二节点292低的电压时，检测到逻辑0)。
如果第一节点291具有比第二节点292高的电压，那么可将感测放大器290的输出驱动到第二感测放大器电压源250-c的电压(例如，电压VH)。包含感测放大器290的感测组件150可锁存感测放大器290的输出以确定存储于存储器单元105-a中的逻辑状态(例如，当第一节点291具有比第二节点292高的电压时，检测到逻辑1)。可接着经由一或多个输入/输出(I/O)线(例如，I/O线295)而输出感测放大器290的经锁存输出(其与存储器单元105-a的所检测逻辑状态对应)，所述经锁存输出可包含参考图1所描述的经由输入/输出组件160而通过列组件135的输出。
为对存储器单元105-a执行写入操作，可跨越电容器220而施加电压。可使用各种方法。在一个实例中，可通过字线205而将单元选择组件230激活(例如，通过将字线205激活)以将电容器220电连接到数字线210。可通过控制单元板221的电压(例如，通过板线215)及单元底部222的电压(例如，通过数字线210)而跨越电容器220施加电压。
举例来说，为写入逻辑0，可将单元板221取为高的(例如，将正电压施加到板线215)，且可将单元底部222取为低的(例如，使数字线210接地、使数字线210虚接地、将负电压施加到数字线210)。可执行相反过程来写入逻辑1，其中将单元板221取为低的且将单元底部222取为高的。在一些情形中，在写入操作期间跨越电容器220而施加的电压可具有等于或大于电容器220中的铁电材料的饱和电压的量值，使得将电容器220极化，且因此即使在所施加电压的量值减小时或在跨越电容器220而施加零净电压的情况下仍维持电荷。在一些实例中，感测放大器290可用于执行写入操作，所述写入操作可包含将第一感测放大器电压源250-b或第二感测组件电压源250-c与数字线耦合。当感测放大器290用于执行写入操作时，可或可不绕过信号形成组件280(例如，通过经由旁路线270而施加写入信号)。
包含感测放大器290、单元选择组件230、信号形成组件280或参考组件285的电路200可包含各种类型的晶体管。举例来说，电路200可包含n型晶体管，其中将高于n型晶体管的阈值电压的相对正电压(例如，大于阈值电压、相对于源极端子具有正量值的所施加电压)施加到n型晶体管的栅极会启用n型晶体管的其它端子(例如，源极端子与漏极端子)之间的导电路径。
在一些实例中，n型晶体管可充当切换组件，其中所施加电压为逻辑信号，所述逻辑信号用于通过施加相对高逻辑信号电压(例如，对应于可与正逻辑信号电压供应相关联的逻辑1状态的电压)而启用穿过晶体管的导电性，或通过施加相对低逻辑信号电压(例如，对应于可与接地或虚接地电压相关联的逻辑0状态的电压)而禁用穿过晶体管的导电性。在其中将n型晶体管用作切换组件的一些实例中，施加到栅极端子的逻辑信号的电压可经选择以在特定工作点处(例如，在饱和区域中或在作用区域中)操作晶体管。
在一些实例中，n型晶体管的行为可比逻辑切换复杂，且跨越晶体管的选择性导电性还可随变化的源极电压及漏极电压而变。举例来说，栅极端子处的所施加电压可具有特定电压电平(例如，箝位电压)，所述特定电压电平用于在源极端子电压低于特定电平(例如，低于栅极端子电压减去阈值电压)时启用源极端子与漏极端子之间的导电性。当源极端子电压或漏极端子电压的电压上升到高于特定电平时，n型晶体管可经停用使得源极端子与漏极端子之间的导电路径断开。
另外或替代地，电路200可包含p型晶体管，其中将高于p型晶体管的阈值电压的相对负电压(例如，大于阈值电压、相对于源极端子具有负量值的所施加电压)施加到p型晶体管的栅极会启用p型晶体管的其它端子(例如，源极端子与漏极端子)之间的导电路径。
在一些实例中，p型晶体管可充当切换组件，其中所施加电压为逻辑信号，所述逻辑信号用于通过施加相对低逻辑信号电压(例如，对应于可与负逻辑信号电压供应相关联的逻辑“1”状态的电压)而启用导电性，或通过施加相对高逻辑信号电压(例如，对应于可与接地或虚接地电压相关联的逻辑“0”状态的电压)而禁用导电性。在其中将p型晶体管用作切换组件的一些实例中，施加到栅极端子的逻辑信号的电压可经选择以在特定工作点处(例如，在饱和区域中或在作用区域中)操作晶体管。
在一些实例中，p型晶体管的行为可比由栅极电压进行的逻辑切换复杂，且跨越晶体管的选择性导电性还可随变化的源极电压及漏极电压而变。举例来说，栅极端子处的所施加电压可具有特定电压电平，所述特定电压电平用于启用源极端子与漏极端子之间的导电性，只要源极端子电压高于特定电平(例如，高于栅极端子电压加上阈值电压)即可。当源极端子电压的电压下降到低于特定电平时，p型晶体管可经停用使得源极端子与漏极端子之间的导电路径断开。
电路200的晶体管可为场效应晶体管(FET)，包含金属氧化物半导体FET，其可被称为MOSFET。这些及其它类型的晶体管可由衬底上的经掺杂材料区域形成。在一些实例中，晶体管可形成于专用于电路200的特定组件的衬底(例如，用于感测放大器290的衬底、用于信号形成组件280的衬底、用于存储器单元105-a的衬底)上，或晶体管可形成于为电路200的特定组件共有的衬底(例如，为感测放大器290、信号形成组件280及存储器单元105-a共有的衬底)上。一些FET可具有包含铝或其它金属的金属部分，但一些FET(包含可被称为MOSFET的FET)可实施例如多晶硅等其它非金属材料。此外，虽然氧化物部分可用作FET的介电部分，但其它非氧化物材料可用于FET(包含可被称为MOSFET的FET)中的介电材料中。
在根据本发明的一些实例中，可对选定存储器单元105而非与数字线210耦合的存储器单元105-a执行存取操作。在此实例中，存储器单元105-a可被称为非选定存储器单元。存取操作可与将数字线210及板线215偏置相关联。虽然可将非选定存储器单元105-a的单元选择组件230停用，但泄漏电荷可流动穿过单元选择组件230(例如，经由数字线210)。此泄漏电荷可积累于非选定存储器单元105-a上，或可致使偏置(例如，非零电压)跨越非选定存储器单元105-a中的至少一些非选定存储器单元而积累，此在一些实例中可导致存储于非选定存储器单元105中的至少一些非选定存储器单元中的数据的损失。
根据本发明的实例，可在对选定存储器单元105进行存取操作之后执行操作以促进或以其它方式支持所积累泄漏电荷或偏置从非选定存储器单元105-a耗散。举例来说，在对选定存储器单元105进行存取操作之后，可将单元选择组件230激活(例如，通过激活字线205)。在将单元选择组件230激活的同时，可将数字线210及板线215与支持所积累泄漏电荷或偏置的耗散的电压源耦合。举例来说，数字线210及板线215可与同一电压源耦合或与具有相同电压的电压源耦合或者与具有以其它方式支持积累于非选定存储器单元105-a处的泄漏电荷或偏置的耗散的电压的电压源耦合。
在一些实例中，与泄漏电荷或偏置的此耗散相关联的所描述操作可被称为耗散操作或均衡操作。通过执行本文中所描述的耗散或均衡操作，可在对选定存储器单元105进行存取操作之后耗散积累于非选定存储器单元105-a处的泄漏电荷或偏置，此可减轻或防止跨越连续存取操作而积累泄漏电荷或偏置且改进存储器装置100用以维持所存储数据的能力。
图3利用迟滞曲线图300-a及300-b图解说明根据本发明的各种实施例的针对支持用于保护存储器装置中的所存储数据的存取方案的存储器单元105的非线性电性质的实例。迟滞曲线图300-a及300-b可分别图解说明如参考图2所描述的采用铁电电容器220的存储器单元105的实例性写入过程及读取过程。迟滞曲线图300-a及300-b描绘存储于铁电电容器220上的电荷Q随铁电电容器220的端子之间的电压差Vcap而变(例如，根据电压差Vcap，何时准许电荷流动到铁电电容器220中或从所述铁电电容器流出)。举例来说，电压差Vcap可表示电容器220的数字线侧与电容器220的板线侧之间的电压差(例如，Vbottom–Vplate)。
铁电材料由自发电极化表征，其中所述材料可在不存在电场的情况下维持非零电荷。铁电材料的实例包含钛酸钡(BaTiO3)、钛酸铅(PbTiO3)、钛酸铅锆(PZT)及钽酸锶铋(SBT)。本文中所描述的铁电电容器220可包含这些或其它铁电材料。铁电电容器220内的电极化导致铁电材料的表面处的净电荷，且通过铁电电容器220的端子而吸引相反电荷。因此，电荷被存储于铁电材料与电容器端子的界面处。由于可在不存在外部所施加电场的情况下维持电极化达相对长时间、甚至无限期，因此与(举例来说)不具有铁电性质的电容器(例如常规DRAM阵列中所使用的电容器)相比，可显著降低电荷泄漏。采用铁电材料可减少对于执行如上文所描述的针对一些DRAM架构的刷新操作的需要，使得维持FeRAM架构的逻辑状态可与比维持DRAM架构的逻辑状态大体上低的电力消耗相关联。
可从铁电电容器220的单个端子的角度来理解迟滞曲线图300-a及300-b。通过实例方式，如果铁电材料具有负极化，那么正电荷在铁电电容器220的相关联端子处积累。同样，如果铁电材料具有正极化，那么负电荷在铁电电容器220的相关联端子处积累。
另外，应理解，迟滞曲线图300-a及300-b中的电压表示跨越电容器的电压差(例如，铁电电容器220的端子之间的电位)且为方向性的。举例来说，可通过将正电压施加到透视端子(例如，单元底部222)且将参考端子(例如，单元板221)维持处于接地或虚接地(或大约零伏特(0 V))而实现正电压。在一些实例中，可通过将透视端子维持处于接地且将正电压施加到参考端子(例如，单元板221)而施加负电压。换句话说，可施加正电压以达成跨越铁电电容器220的负电压差Vcap且借此使所讨论端子负极化。类似地，可将两个正电压、两个负电压或正电压与负电压的任何组合施加到适当电容器端子以产生迟滞曲线图300-a及300-b中所展示的电压差Vcap。
如迟滞曲线图300-a中所描绘，当在铁电电容器220的端子之间不存在净电压差时，用于铁电电容器220中的铁电材料可维持正极化或负极化。举例来说，迟滞曲线图300-a图解说明可分别表示正饱和极化状态及负饱和极化状态的两个可能极化状态：电荷状态305-a及电荷状态310-a。电荷状态305-a及310-a可处于图解说明剩余极化(Pr)值的物理条件下，所述剩余极化值可指在移除外部偏置(例如，电压)后剩余的极化(或电荷)。矫顽电压是电荷或极化为零的电压。根据迟滞曲线图300-a的实例，当未跨越铁电电容器220而施加电压差时，电荷状态305-a可表示逻辑1，且当未跨越铁电电容器220而施加电压差时，电荷状态310-a可表示逻辑0。在一些实例中，相应电荷状态的逻辑值可经反转以适应用于操作存储器单元105的其它方案。
可通过控制铁电材料的电极化及因此电容器端子上的电荷(通过跨越铁电电容器220而施加净电压差)而将逻辑0或1写入到存储器单元。举例来说，电压315可为等于或大于正饱和电压的电压，且跨越铁电电容器220而施加电压315可导致电荷积累直到达到电荷状态305-b(例如，写入逻辑1)为止。在从铁电电容器220移除电压315(例如，跨越铁电电容器220的端子而施加零净电压)后，铁电电容器220的电荷状态可即刻沿循展示于电荷状态305-b与电荷状态305-a(在跨越电容器的零电压下)之间的路径320。换句话说，电荷状态305-a可表示在跨越已被正饱和的铁电电容器220的均衡电压下的逻辑1状态。
类似地，电压325可为等于或小于负饱和电压的电压，且跨越铁电电容器220而施加电压325可导致电荷积累直到达到电荷状态310-b(例如，写入逻辑0)为止。在从铁电电容器220移除电压325(例如，跨越铁电电容器220的端子而施加零净电压)后，铁电电容器220的电荷状态可即刻沿循展示于电荷状态310-b与电荷状态310-a(在跨越电容器的零电压下)之间的路径330。换句话说，电荷状态310-a可表示在跨越已被负饱和的铁电电容器220的均衡电压下的逻辑0状态。在一些实例中，表示饱和电压的电压315及电压325可具有相同量值但跨越铁电电容器220具有相反极性。
为读取或感测铁电电容器220的所存储状态，还可跨越铁电电容器220而施加电压。响应于所施加电压，由铁电电容器存储的后续电荷Q改变，且改变的程度可取决于初始极化状态、所施加电压、存取线上的固有电容及其它因素。换句话说，由读取操作产生的电荷状态可取决于最初是存储电荷状态305-a还是电荷状态310-a还是某一其它电荷状态，以及其它因素。
迟滞曲线图300-b图解说明用于读取所存储电荷状态305-a及310-a的存取操作的实例。可施加读取电压335(举例来说)作为经由数字线210及板线215的电压差，如参考图2所描述。迟滞曲线图300-b可图解说明读取操作，其中读取电压335为负电压差Vcap(例如，其中Vbottom–Vplate为负的)。跨越铁电电容器220的负读取电压可被称为“板高”读取操作，其中最初将板线215取为高电压，且数字线210最初处于低电压(例如，接地电压)下。虽然将读取电压335展示为跨越铁电电容器220的负电压，但在替代存取操作中，读取电压可为跨越铁电电容器220的正电压，此可被称为“板低”读取操作。
当选择存储器单元105(例如，通过经由字线205而激活单元选择组件230，如参考图2所描述)时，可跨越铁电电容器220而施加读取电压335。在将读取电压335施加到铁电电容器220后，电荷可即刻经由相关联数字线210及板线215而流动到铁电电容器220中或从所述铁电电容器流出，且取决于铁电电容器220是处于电荷状态305-a(例如，逻辑1)还是电荷状态310-a(例如，逻辑0)还是某一其它电荷状态，可产生不同电荷状态。
当对处于电荷状态310-a(例如，逻辑0)的铁电电容器220执行读取操作时，额外负电荷可跨越铁电电容器220而积累，且电荷状态可沿循路径340直到达到电荷状态310-c的电荷及电压为止。流动穿过电容器220的电荷量可与数字线210的固有电容(例如，参考图2所描述的固有电容240)相关。
因此，如由电荷状态310-a与电荷状态310-c之间的转变所展示，由于针对给定电荷改变，电压的改变相对大，因此跨越铁电电容器220的所得电压350可为相对大负值。因此，在于“板高”读取操作中读取逻辑0后，在电荷状态310-c下等于VPL与(Vbottom–Vplate)的值的总和的数字线电压可为相对低电压。此读取操作可不改变存储电荷状态310-a的铁电电容器220的剩余极化，且因此在执行读取操作之后，铁电电容器220可在读取电压335被移除(例如，通过跨越铁电电容器220而施加零净电压、通过使跨越铁电电容器220的电压均衡)时经由路径340而返回到电荷状态310-a。因此，利用负读取电压对具有电荷状态310-a的铁电电容器220执行读取操作可被视为非破坏性读取过程。
当对处于电荷状态305-a(例如，逻辑1)的铁电电容器220执行读取操作时，由于净负电荷跨越铁电电容器220而积累，因此所存储电荷可使极性反转，且电荷状态可沿循路径360直到达到电荷状态305-c的电荷及电压为止。流动穿过铁电电容器220的电荷量可再次与数字线210的固有电容(例如，参考图2所描述的固有电容240)相关。因此，如由电荷状态305-a与电荷状态305-c之间的转变所展示，在一些情形中，由于针对给定电荷改变，电压的改变相对小，因此所得电压355可为相对小负值。因此，在于“板高”读取操作中读取逻辑1后，在电荷状态305-c下等于VPL与(Vbottom–Vplate)的值的总和的数字线电压可为相对高电压。
在一些实例中，利用负读取电压(例如，读取电压335)的读取操作可导致存储电荷状态305-a的电容器220的剩余极化的减小或反转。换句话说，根据铁电材料的性质，在执行读取操作之后，铁电电容器220可在读取电压335被移除(例如，通过跨越铁电电容器220而施加零净电压、通过使跨越铁电电容器220的电压均衡)时不返回到电荷状态305-a。而是，当在利用读取电压335进行读取操作之后跨越铁电电容器220而施加零净电压时，电荷状态可沿循从电荷状态305-c到电荷状态305-d的路径365，电荷状态305-d图解说明极化量值的净减小(例如，比初始电荷状态305-a小的正极化电荷状态，由电荷状态305-a与电荷状态305-d之间的电荷差所图解说明)。因此，利用负读取电压对具有电荷状态305-a的铁电电容器220执行读取操作可被描述为破坏性读取过程。然而，在一些感测方案中，经减小剩余极化仍可被读取为与饱和剩余极化状态相同的所存储逻辑状态(例如，支持从电荷状态305-a及电荷状态305-d两者检测逻辑1)，借此相对于读取操作提供存储器单元105的一定程度的非易失性。
从电荷状态305-a到电荷状态305-d的转变可说明与存储器单元105的铁电电容器220的极化的部分减小及/或部分反转(例如，电荷Q的量值从电荷状态305-a到电荷状态305-d的减小)相关联的感测操作。在一些实例中，可根据特定感测方案而选择由感测操作导致的存储器单元105的铁电电容器220的极化的改变量。在一些实例中，具有存储器单元105的铁电电容器220的极化的较大改变的感测操作可与在检测存储器单元105的逻辑状态时的相对较大稳健性相关联。在一些感测方案中，感测处于电荷状态305-a的铁电电容器220的逻辑0可导致极化的完全反转，其中铁电电容器220在感测操作之后从电荷状态305-a转变到电荷状态310-a。
在起始读取操作之后电荷状态305-c及电荷状态310-c的位置可取决于若干种因素，包含特定感测方案及电路。在一些情形中，最终电荷可取决于与存储器单元105耦合的数字线210的净电容，其可包含固有电容240、积分电容器及其它。举例来说，如果铁电电容器220在0 V下与数字线210电耦合且将读取电压335施加到板线，那么在存储器单元105被选择时，数字线210的电压可上升，这是因为电荷从铁电电容器220流动到数字线210的净电容。因此，在感测组件150处测量的电压可不等于读取电压335或者所得电压350或355，而是替代地可取决于在电荷共享周期之后的数字线210的电压。
在起始读取操作后迟滞曲线图300-b上的电荷状态305-c及电荷状态310-c的位置可取决于数字线210的净电容且可通过负载线分析而确定。换句话说，可关于数字线210的净电容而界定电荷状态305-c及310-c。因此，在起始读取操作之后铁电电容器220的电压(例如，在读取存储电荷状态310-a的铁电电容器220时的电压350、在读取存储电荷状态305-a的铁电电容器220时的电压355)可为不同的且可取决于铁电电容器220的初始状态。
可通过将由读取操作所产生的数字线210(或在适用的情况下，信号线260)的电压与参考电压(例如，经由参考线265，如参考图2所描述，或经由共同存取线)进行比较而确定铁电电容器220的初始状态。在一些实例中，数字线电压可为板线电压与跨越铁电电容器220的最终电压(例如，在读取具有所存储电荷状态310-a的铁电电容器220时的电压350，或在读取具有所存储电荷状态305-a的铁电电容器220时的电压355)的总和。在一些实例中，数字线电压可为读取电压335与跨越电容器220的最终电压之间的差(例如，在读取具有所存储电荷状态310-a的铁电电容器220时为(读取电压335–电压350)，在读取具有所存储电荷状态305-a的铁电电容器220时为(读取电压335–电压355))。
在一些感测方案中，可产生参考电压，使得参考电压介于可由读取不同逻辑状态产生的可能电压之间。举例来说，参考电压可经选择以低于在读取逻辑1时的所得数字线电压，且高于在读取逻辑0时的所得数字线电压。在其它实例中，可在感测组件150的不同于数字线耦合的部分的一部分处进行比较，且因此参考电压可经选择以低于在读取逻辑1时在感测组件150的比较部分处的所得电压，且高于在读取逻辑0时在感测组件150的比较部分处的所得电压。在由感测组件150进行比较期间，可将基于感测的电压确定为高于或低于参考电压，且可因此确定存储器单元105的所存储逻辑状态(例如，逻辑0、逻辑1)。
在感测操作期间，来自读取各种存储器单元105的所得信号可随各种存储器单元105之间的制造或操作变化而变。举例来说，各种存储器单元105的电容器可具有不同电平的电容或饱和极化，使得逻辑1可与从一个存储器单元到下一存储器单元的不同电平的电荷相关联，且逻辑0可与从一个存储器单元到下一存储器单元的不同电平的电荷相关联。此外，固有电容(例如，参考图2所描述的固有电容240)可从存储器装置中的一个数字线210到下一数字线210变化，且还可在数字线210内从以下角度变化：一个存储器单元105到同一数字线上的下一存储器单元105。因此，出于这些及其它原因，读取逻辑1可与从一个存储器单元到下一存储器单元的不同电平的数字线电压相关联(例如，所得电压350可从读取一个存储器单元105到下一存储器单元变化)，且读取逻辑0可与从一个存储器单元到下一存储器单元的不同电平的数字线电压相关联(例如，所得电压355可从读取一个存储器单元105到下一存储器单元变化)。
在一些实例中，可提供参考电压，所述参考电压介于与读取逻辑1相关联的电压的统计平均值和与读取逻辑0相关联的电压的统计平均值之间，但参考电压可相对较接近于读取任何给定存储器单元105的逻辑状态中的一者的所得电压。读取特定逻辑状态的所得电压(例如，作为读取存储器装置的多个存储器单元105的统计值)与相关联电平的参考电压之间的最小差可被称为“最小读取电压差”，且具有低的最小读取电压差可与可靠地感测给定存储器装置中的存储器单元的逻辑状态的困难相关联。
在一些实例中，感测组件150可经设计以采用自参考技术，其中存储器单元105自身涉及在读取存储器单元105时提供参考信号。然而，当使用同一存储器单元105来提供感测信号及参考信号两者时，感测信号及参考信号可在执行不改变由存储器单元105存储的状态的存取操作时为大体上相同的。举例来说，当对存储逻辑1(例如，存储电荷状态310-a)的存储器单元105执行自参考读取操作时，可包含施加读取电压335的第一存取操作可沿循路径340，且也可包含施加读取电压335的第二操作也可沿循路径340，并且第一存取操作及第二存取操作可产生大体上相同存取信号(例如，从存储器单元105的角度)。在此类情形中，当采用依赖于感测信号与参考信号之间的差来检测由存储器单元105存储的逻辑状态的感测组件150时，存储器装置的某一其它部分可在以下事件中提供此差：存取操作可提供大体上相等感测信号及参考信号。
在根据本发明的一些实例中，可将非选定存储器单元105的单元选择组件停用，但泄漏电荷可仍然在与不同选定存储器单元105相关联的存取操作期间流动穿过经停用单元选择组件。在铁电存储器单元105的实例中，泄漏电荷或偏置可积累于非选定存储器单元105的铁电电容器220处，此可更改铁电电容器220的极化。
举例来说，当非选定存储器单元105的铁电电容器220处于电荷状态305-a(例如，存储逻辑1)时，与对选定存储器单元105进行的存取操作(例如，用于选定存储器单元105的板高读取操作、与对选定存储器单元105写入逻辑0相关联的写入操作)相关联的泄漏电荷可致使非选定存储器单元105的电荷状态沿循路径360的至少一部分。在一些实例中，对选定存储器单元进行的第一存取操作可致使非选定存储器单元的铁电电容器220达到电荷状态305-e(例如，由从电荷状态305-a到电荷状态305-e的电荷Q的改变所图解说明的积累泄漏电荷、由从电荷状态305-a到电荷状态305-e的电压Vcap的改变所图解说明的积累偏置)。然而，在非选定存储器单元105针对用于选定存储器单元(例如，同一选定存储器单元、一或多个不同选定存储器单元)的后续存取操作而保持为非选定的事件中，非选定存储器单元105可随着泄漏电荷或偏置继续积累而继续沿着路径360，直到达到电荷状态305-c(举例来说)为止。
电荷状态305-c可表示大量极化损失，所述大量极化损失可由电荷状态305-a与电荷状态305-d之间的所存储电荷差表示。换句话说，如果在用于选定存储器单元而非非选定存储器单元105的一组存取操作之后使跨越非选定存储器单元105的电压均衡，那么非选定存储器单元105可沿循路径365以达到电荷状态305-d，电荷状态305-d图解说明大体上比电荷状态305-a低的极化或电荷。在一些实例中，此电荷或极化损失可与电荷状态相关联，所述电荷状态在关于一个逻辑状态还是另一逻辑状态上为不确定的。在一些实例中，如果极化已从饱和极化状态降低多于30％(例如，小于与电荷状态305-a相关联的电荷Q的70％)，那么电荷状态可变为不确定的。因此，在一些实例中，因泄漏电荷或偏置的积累所致的电荷状态305-a与电荷状态305-d之间的转变(例如，经由电荷状态305-c)可表示由于此泄漏电荷的数据损失。
根据本发明的实例，可在对选定存储器单元105进行存取操作之后执行操作以促进或以其它方式支持泄漏电荷或偏置从非选定存储器单元105耗散，此可减少或消除可以其它方式由泄漏电荷或偏置的积累所导致的数据损失。举例来说，在对选定存储器单元105进行第一存取操作之后，非选定存储器单元105的电荷状态可由于第一存取操作所导致的泄漏电荷而沿循从电荷状态305-a到电荷状态305-e的路径360。在第一存取操作之后，可将非选定存储器单元105的单元选择组件230激活(例如，通过将与非选定存储器单元105相关联的字线205激活)。
在将非选定存储器单元105的单元选择组件230激活的同时，可将相关联数字线210及板线215与支持所积累泄漏电荷或偏置的耗散的电压源耦合。举例来说，相关联数字线210及板线215可与同一电压源耦合或与具有相同电压的电压源耦合或者与具有以其它方式支持积累于非选定存储器单元105处的泄漏电荷或偏置的耗散的电压的电压源耦合。换句话说，在一些实例中，可跨越非选定存储器单元105而施加零电压或均衡电压，此可致使非选定存储器单元105从电荷状态305-e转变到电荷状态305-f(例如，零电容器电压Vcap处)。
电荷状态305-f可表示相对小极化损失，所述相对小极化损失可由电荷状态305-a与电荷状态305-f之间的所存储电荷差表示。在一些实例中，此相对小电荷或极化损失可与电荷状态相关联，所述电荷状态关于相关联存储器单元是存储一个逻辑状态还是另一逻辑状态保持为确定的。换句话说，在一些实例中，可在电荷状态305-a或305-f处针对铁电电容器220检测到逻辑1。因此，在一些实例中，因来自第一存取操作的泄漏电荷或偏置的积累所致的电荷状态305-a与电荷状态305-f之间的转变可表示尽管存在此泄漏电荷或偏置，数据仍被维持。在一些实例中，电荷状态可为确定的(例如，仍可表示针对特定逻辑状态可检测的状态)，只要极化在饱和极化状态的30％内即可。
在一些实例中，可执行后续存取操作，其中非选定存储器单元105存储电荷状态305-f。在此类实例中，非选定存储器单元105-a可分别由于对选定存储器单元105进行的后续存取操作以及后续均衡或放电操作而在电荷状态305-f与305-e之间交替。因此，通过执行本文中所描述的耗散或均衡操作，可在对选定存储器单元105进行各种存取操作之后耗散积累于非选定存储器单元105处的泄漏电荷或偏置。此耗散或均衡可减轻或防止跨越连续存取操作而积累泄漏电荷或偏置且改进存储器装置100用以维持所存储数据的能力。
图4图解说明根据本发明的各种实施例的支持用于保护存储器装置中的所存储数据的存取方案的电路400的实例。电路400的组件可为参考图1到3所描述的对应组件的实例。
电路400可包含存储器阵列110-a，所述存储器阵列包含一组存储器单元105-b(例如，存储器单元105-b-11到105-b-mn)。存储器单元105-b中的每一者可与字线205-a(例如，字线205-a-1到205-a-n中的一者)、数字线210(例如，数字线210-a-1到210-a-m中的一者)及板线215-a耦合。虽然图解说明为包含共同板线215-a，但电路400的一些实例可包含用于每一行存储器单元105-b的单独板线215-a(例如，与字线205-a中的每一者相关联的可独立存取板线215-a)或用于每一列存储器单元105-b的单独板线215-a(例如，与数字线210-a中的每一者相关联的可独立存取板线215-a)。根据由电路400所图解说明的实例，存储器单元105-b-11到105-b-1n可表示与数字线(例如，数字线210-a-1)及板线(例如，板线215-a)耦合或耦合在数字线(例如，数字线210-a-1)与板线(例如，板线215-a)之间的一组存储器单元105。根据由电路400所图解说明的另一实例，存储器单元105-b-m1到105-b-mn可表示与不同数字线(例如，数字线210-a-m)及板线(例如，板线215-a)耦合或耦合在不同数字线(例如，数字线210-a-m)与板线(例如，板线215-a)之间的一组存储器单元105。
字线205-a中的每一者(例如，字线WL1到WLn中的每一者)可与如所图解说明的相应字线电压VWL相关联，且可与行组件125-a耦合。行组件125-a可将字线205-a中的一或多者与各种电压源(未展示)耦合。在一个实例中，行组件125-a可选择性地将字线205-a中的一或多者与具有相对高电压(例如，选择电压，其可为大于0V的电压)的电压源或具有相对低电压(例如，取消选择电压，其可为0V的接地电压或负电压)的电压源耦合。在另一实例中，行组件125-a可将字线205-a中的一或多者与三个电压源中的一者耦合。在一些实例中，第一电压源可具有闲置或备用电压(例如，接地电压，相对小正电压)，第二电压源可具有选择电压(例如，大于接地电压的正电压、相对大正电压)，且第三电压源可具有取消选择电压(例如，接地电压、负电压)。一些实例可进一步包含字线均衡电压源以支持各种操作，所述字线均衡电压源可为第四电压源。根据本发明，其它实例是可能的。
数字线210-a中的每一者(例如，数字线DL1到DLm中的每一者)可与如所图解说明的相应数字线电压VDL相关联，且可与感测组件150-a耦合。在电路400的实例中，数字线210-a中的每一者图解说明为直接连接在存储器阵列110-a与感测组件150-a之间(例如，直接将存储器阵列110-a与感测组件150-a耦合)。在支持用于保护存储器装置中的所存储数据的所描述存取方案的电路的其它实例中，额外组件或元件可与存储器阵列110-a及感测组件150-a耦合或耦合在存储器阵列110-a与感测组件150-a之间，所述额外组件或元件包含固有电容240、一或多个信号形成组件280或一或多个旁路线270，如参考图2所描述。在一些实例中，电路400还可包含一组信号线SL1到SLm，如参考图2所描述。
一或多个板线215-a中的每一者(例如，板线PL)可与如所图解说明的相应板线电压VPL相关联，且可与板组件145-a耦合。板组件145-a可将一或多个板线215-a与各种电压源(未展示)耦合。在一个实例中，板组件145-a可选择性地将一或多个板线215-a与具有相对高电压(例如，板高电压，其可为大于0V的电压)的电压源或具有相对低电压(例如，板低电压，其可为0V的接地电压或负电压)的电压源耦合。
行组件125-a、感测组件150-a及板组件145-a可经配置以支持各种存取操作(例如，读取操作、写入操作、重写操作、刷新操作、耗散操作、均衡操作)。举例来说，行组件125-a可经配置以激活特定字线205-a或以其它方式将电压施加到特定字线205-a。在一些实例中，激活字线205-a可激活用于与相应字线205-a耦合的存储器单元105-b中的一或多者的单元选择组件230-a。感测组件150-a可包含经配置以检测存储器单元105-b所存储的逻辑状态的一组感测放大器290-a。在一些实例中，感测放大器290-a可通过将相应数字线电压VDL与参考线电压VRL进行比较而检测所存储的逻辑状态，所述逻辑状态可通过参考组件285-a而提供到感测组件150-a。板组件145-a可经配置以激活板线215-a中的特定一或多者或以其它方式将电压施加到板线215-a中的特定一或多者。在一些实例中，与行组件125-a、感测组件150-a、板组件145-a或参考组件285-a相关联的操作可至少部分地由存储器控制器170(未展示)控制。
在电路400的实例中，存储器单元105-b中的每一者可包含相应电容器220-a及相应单元选择组件230-a。相应电容器220-a与相应单元选择组件230-a之间的点(例如，节点、端子)处的电压可识别为相应Vbottom，如在整个电路400内所图解说明。在一些实例中，电容器220-a中的一或多者可为铁电电容器220，如本文中所描述。
在电路400的实例中，感测组件150-a可包含与数字线210-a中的每一者相关联的单独感测放大器290-a。感测放大器290-a中的每一者可与存储器装置的其它部分(例如列组件135、输入/输出组件160或存储器控制器170)耦合(例如，经由一或多个I/O线295，未展示)。感测放大器290-a中的每一者可与相应信号电压Vsig及相应参考电压Vref相关联，如所图解说明。感测放大器290-a中的每一者可与第一感测放大器电压源(例如，具有为VL的电压，其可为大体上等于V0的接地电压或负电压)耦合，且可与第二感测放大器电压源(例如，具有为VH的电压，其可大于为VL的电压)耦合，如参考图2所描述。
在一些实例中，感测组件150-a可用于在检测存储器单元105-b所存储的逻辑状态时锁存与读取操作相关联的信号。与此锁存相关联的电信号可(举例来说)经由I/O线295(未展示)在感测组件150-a(例如，感测放大器290-a)与输入/输出组件160之间传递。在一些实例中，感测组件150-a可与可控制感测组件150-a的各种操作的存储器控制器(未展示)(例如参考图1所描述的存储器控制器170)进行电子通信。在一些实例中，激活逻辑信号SE可被称为“启用”或“激活”感测组件150-a。在一些实例中，激活逻辑信号SE可指称为“锁存”存取存储器单元105的结果的操作，或为所述操作的一部分。
在电路400的实例中，感测放大器290-a中的每一者可通过各种切换组件405而选择性地与电路400的各种部分耦合或解耦。在一些实例中，感测放大器290-a中的每一者可包含切换组件405-a，所述切换组件可用于选择性地将相应感测放大器290-a与相应数字线210-a耦合或解耦(例如，通过激活或停用逻辑信号ISOa)。在一些实例中，感测放大器290-a中的每一者可包含切换组件405-b，所述切换组件可用于选择性地将相应感测放大器290-a与参考源(例如参考组件285-a)耦合或解耦(例如，通过激活或停用逻辑信号ISOb)。
在一些实例中，感测放大器290-a中的每一者可包含切换组件405-c，所述切换组件可用于选择性地将相应感测放大器290-a与相应均衡电压源410-a耦合或解耦(例如，通过激活或停用逻辑信号PREb)。在一些实例中，感测放大器290-a中的每一者可包含切换组件405-d，所述切换组件可用于选择性地将相应感测放大器290-a与相应均衡电压源410-b耦合或解耦(例如，通过激活或停用逻辑信号PREa)。在一些实例中，电压源410-a或410-b可表示共同接地点(例如，底板接地、中性点)，其可与具有电压V0的共同参考电压相关联，其它电压是依据电压V0而定义。虽然均衡电压源410-a及410-b中的每一者图解说明为具有相同电压(例如，V0)，但在其它实例中，电压源410-a或410-b中的任何一或多者的电压可不同。
电路400中所图解说明的逻辑信号(例如，ISOa、ISOb、PRE或SE)中的任何一或多者可由存储器控制器(未展示)(例如参考图1所描述的存储器控制器170)提供。虽然某些切换组件405图解说明为共享共同逻辑信号，但切换组件405中的任一者可通过特定用于给定切换组件405的逻辑信号(例如，特定用于数字线210-a中的特定者的逻辑信号)而激活或停用。
在一些实例中，切换组件405-a中的每一者可通过相同逻辑信号(例如，ISOa)而激活或停用，或者切换组件405-a中的任何一或多者可通过与切换组件405-a中的另一者不同的逻辑信号而激活或停用。在一些实例中，切换组件405-b中的每一者可通过相同逻辑信号(例如，ISOb)而激活或停用，或者切换组件405-b中的任何一或多者可通过与切换组件405-b中的另一者不同的逻辑信号而激活或停用。
在一些实例中，切换组件405-c中的每一者可通过相同逻辑信号(例如，PREb)而激活或停用，或者切换组件405-c中的任何一或多者可通过与切换组件405-c中的另一者不同的逻辑信号而激活或停用。在一些实例中，切换组件405-d中的每一者可通过相同逻辑信号(例如，PREa)而激活或停用，或者切换组件405-d中的任何一或多者可通过与切换组件405-d中的另一者不同的逻辑信号而激活或停用。
虽然电路400图解说明为具有单独参考电压源(例如，参考组件285-a)，但支持用于保护存储器装置中的所存储数据的所描述存取方案的其它实施例或配置可采用自参考存取方案，其中用于读取相应存储器单元105-b的参考电压可至少部分地通过存取相应存储器单元105-b(例如，在后续操作中)而提供。在此些实例中，存储器单元105-b可与相应感测放大器290-a的参考节点耦合。换句话说，为支持自参考方案，在一些实例中，相应数字线210-a可与感测组件150-a的相应切换组件405-a及相应切换组件405-b两者耦合。
虽然存储器阵列110-a及感测组件150-a以相应虚线图解说明为反映特定边界，但此些边界仅是出于说明性目的而展示。换句话说，根据本发明的存储器阵列110-a及感测组件150-a中的一者或两者可具有不同于电路400中所展示的虚线边界的边界，且因此可包含比在图4的实例中所图解说明多或少的组件。在一些情形中，虽然电压源410-a或410-b可与共同电压供应器及/或接地点耦合，但与共同电压供应器或共同接地点耦合的电压源410-a或410-b中的每一者处的电压可不同，此归因于相应电压源410-a或410-b与相关联共同电压供应器或共同接地点之间的电路400(例如，导体长度、导体宽度、导体电阻、导体或其它电容)的各种差异。
电路400可图解说明可支持用于保护存储器装置中的所存储数据的各种存取方案的组件。举例来说，电路400可根据参考图5、6及7所描述的时序图500、600或700中的任何一或多者而操作。
图5展示根据本发明的若干方面的图解说明用于保护存储器装置中的所存储数据的实例性存取方案的操作的时序图500。时序图500是参考图4的实例性电路400的组件而描述，但也可图解说明可以不同电路布置执行的操作。
在时序图500的实例中，存储器单元105-b-11可为选定存储器单元105。换句话说，在时序图500的操作之前或在时序图500的操作期间，存储器单元105-b-11可经选择或以其它方式经识别(例如，通过存储器控制器170)以用于存取操作(例如，读取操作，在一些实例中，其可包含重写操作或后续接着进行重写操作)。在时序图500的实例中，其它存储器单元105(例如，存储器单元105-b-12到105-b-1n)可为非选定存储器单元105。在时序图500的实例中，选定存储器单元105-b-11可最初存储逻辑1状态，如本文中所描述(例如，参考图3)。在时序图500的实例中，非选定存储器单元105-b-1n也可最初存储逻辑1状态，如本文中所描述(例如，参考图3)。
在一些实例中，在起始时序图500的操作之前(例如，在闲置周期、闲置间隔、备用周期、备用间隔期间)，可以相同电压将数字线210-a及板线215-a偏置。匹配数字线210-a与板线215-a的电压可使存储器阵列110-a中的电荷泄漏最小化。举例来说，在时序图500的实例中，数字线210-a及板线215-a可具有为0V的初始电压，所述电压可由各种电压源提供(例如，经由感测组件150-a、经由板组件145-a、经由列组件135、经由信号形成组件280)。在其它实例中，可以不同电压将数字线210-a及板线215-a偏置，所述电压在数字线210-a与板线215-a之间可或可不相等。
时序图500可图解说明其中行组件125-a经配置以将四个电压中的一者施加(例如，偏置)到字线205-a中的每一者以支持本文中所描述的各种操作(例如，用于激活、停用、均衡特定字线205-a)的存取方案。为支持时序图500的操作，行组件125-a可包含用以将特定电压施加到字线205-a中的特定者的电压源、电压供应器、切换组件、选择组件、放大器或电压转换组件的各种配置。
第一电压V1可表示字线闲置或备用电压。根据时序图500的实例，在一些情形中，第一电压可为相对小正电压，且可具有在某些条件下(例如，针对均衡操作、针对耗散操作、在闲置条件期间)大到足以激活单元选择组件230-a的量值。在一些实例中，第一电压可经选择而具有相对小量值以便以相对低电力消耗来支持均衡或耗散操作或状态(例如，如与使用较高电压用于均衡或耗散操作相比)。在一些实例中，第一电压可具有为1.0V的值，且可被称为VPWL。
第二电压V2可表示字线均衡电压。根据时序图500的实例，在一些情形中，第二电压可为接地或虚接地电压，且可由与电压源410-a或410-b中的一或多者相同的电压源提供，或可耦合与电压源410-a或410-b中的一或多者相同的电压供应器或底板接地。第二电压可具有与在某些条件下停用单元选择组件230-a相关联的值。在一些实例中，第一电压可具有为0V的值，且可被称为VSS。
第三电压V3可表示单元选择字线电压。根据时序图500的实例，在一些情形中，第三电压可为相对大正电压，且可具有在某些条件下(例如，针对读取操作、针对写入操作、针对重写操作、针对刷新操作)大到足以激活单元选择组件230-a的量值。在一些实例中，第三电压可经选择而具有相对大量值以便支持相对快速存取操作(例如，如与使用较低电压来选择用于读取操作、写入操作、重写操作、刷新操作的存储器单元105-b相比)。在一些实例中，第三电压可具有为3.1V的值，且可被称为VCCP。
第四电压V4可表示单元取消选择字线电压。根据时序图500的实例，在一些情形中，第四电压可为负电压，且可与停用单元选择组件230-a相关联(例如，在另一存储器单元105-b选定用于存取操作时)。在一些实例中，如与接地电压相比，第四电压可经选择而具有负电压以便限制或减小流动穿过单元选择组件230-a的泄漏电荷的量(例如，以增加单元选择组件230-a对泄漏电荷的电阻)。在一些实例中，第四电压可具有为-0.2V的值，且可被称为VNWL。
在501处，操作可包含均衡字线205-a-1到205-a-n中的每一者。举例来说，在501处，行解码器可将字线205-a中的每一者以第一电压(例如，V1，字线闲置或备用电压)偏置改变成以第二电压(例如，V2，字线均衡电压)偏置。在一些实例中，501的操作可与选择性地将铁电电容器220-a中的每一者与相应数字线210-a解耦相关联。在一些实例中，在501之前，可已以相同电压(例如，接地电压)将数字线210-a中的每一者及板线215-a偏置。因此，在501之前，铁电电容器220-a中的每一者可已达到均衡(例如，由于相应单元选择组件230-a被字线闲置或备用电压激活)，借此耗散跨越铁电电容器220-a的任何所积累泄漏电荷或偏置。因此，在501的操作之后，铁电电容器220-a中的每一者可保持处于均衡状态(例如，具有相应电容器电压Vcap＝0V)。501的操作可为将存储器装置的多个字线偏置到第一电压的实例。
在502处，操作可包含将感测放大器290-a中的一或多者与均衡电压源解耦。举例来说，在502处，操作可包含停用切换组件405-c及405-d(例如，通过停用逻辑信号PREa及PREb)，这可选择性地将感测放大器290-a与相应均衡电压源410-a及410-b解耦。因此，在502处，用于感测放大器290-a的相应信号电压Vsig及参考电压Vref可保持处于零伏。
在503处，操作可包含提高板线215-a的电压。举例来说，在503处，板组件145-a可将板线215-a与具有相对高电压(例如，板高电压)的电压源耦合。在一些实例中，在503处，在将板线215-a与具有相对高电压的电压源耦合之前，板组件145-a可将板线215-a与板低电压源(例如，接地电压源、闲置板线电压源、备用板线电压源)解耦。因此，在503处，板线电压可从503之前的电压增大。
在一些实例中，503的操作可与将泄漏电荷驱动到非选定存储器单元105中或驱动出非选定存储器单元105相关联。举例来说，由于板线215-a与数字线210-a-1的电压差(例如，VPL–VDL,1)，因此泄漏电荷可跨越与存储器单元105-b-12到105-b-1n相关联的单元选择组件230-a-12到230-a-1n中的一或多者而流动。因此，泄漏电荷可流动到电容器220-a-12到220-a-1n中的一或多者中或流出电容器220-a-12到220-a-1n中的一或多者，这可更改非选定存储器单元105-b-12到105-b-1n中的一或多者所存储的电荷状态或逻辑状态。举例来说，如与参考图3所描述的电荷状态305-a相比，503的操作可致使非选定存储器单元(例如，存储器单元105-b-12到105-b-1n中的一或多者)的铁电电容器220-a沿着路径360移动(例如，达到电荷状态305-e)，这可表示非选定存储器单元105-b-12到105-b-1n中的一或多者的极化的部分损失。
与此些操作相关联的泄漏电荷可通过非选定存储器单元105-b(例如，与数字线210-a-1耦合的存储器单元105-b-12到105-b-1n中的任何一或多者)的电压行为而图解说明。举例来说，在没有电荷泄漏的情况下，与数字线210-a-1耦合的非选定存储器单元105-b-12到105-b-1n的单元底部电压Vbottom,1一般将遵循板线电压VPL。然而，在时序图500的实例中，与存储器单元105-b-1n(例如，存储逻辑1)相关联的单元底部电压Vbottom,1n可不升高到与所施加电压VPL一样高，这是因为电荷从铁电电容器220-a-1n的单元底部穿过单元选择组件230-a-1n而泄漏到数字线210-a-1。因此，铁电电容器220-a-1n(或其它非选定存储器单元105-b-12到105-b-1n中的任一者的电容器220-a)可经历由ΔVcap,1n所图解说明的电压改变(例如，所积累非零偏置)，这可与铁电电容器220-a-1n的电荷状态的改变(例如，从电荷状态305-a到电荷状态305-e的转变)相关联。
在一些实例中，在503之后，泄漏电荷或偏置可继续积累(例如，直到在509之后板线215-a与数字线210-a-1的电压达到均衡为止、直到板线215-a与数字线210-a-1的电压差等于相应存储器单元105-a的铁电电容器220-a的电容器电压Vcap为止)。在时序图500的整个操作内，铁电电容器220-a-1n的电压的改变可继续由电压ΔVcap,1n图解说明。
在504处，操作可包含字线选择操作。举例来说，在504处，行解码器可将与选定存储器单元105-b-11相关联的字线205-a-1(例如，选定字线205-a)从以第二电压(例如，V2，字线均衡电压)偏置改变成以第三电压(例如，V3，单元选择字线电压)偏置。换句话说，504的操作可与激活或选择字线205-a-1相关联，激活或选择字线205-a-1可包含致使或起始施加到字线205-a-1的偏置的转变。在一些实例中，504的操作可伴随有确定存取存储器单元105-b-11(例如，由存储器控制器170做出的确定)或以其它方式识别用于执行存取操作的存储器单元105-b-11。在一些实例中，504的操作可与选择性地将铁电电容器220-a-11与数字线210-a-1耦合相关联。在一些实例中，504的操作可被称为选择存储器单元105-b-11。
由于字线205-a-1与单元选择组件230-a-11耦合，因此单元选择组件230-a-11可作为504的操作的结果而被激活。换句话说，作为504的操作的结果，电容器220-a-11可选择性地与数字线210-a-1耦合。因此，电荷可基于存储器单元105-b-11所存储的逻辑状态(例如，基于电容器220-a-11的极化状态)而在存储器单元105-b-11与数字线210-a-1之间流动。因此，在时序图500的实例中，当与数字线210-a-1共享电荷时，数字线210-a-1的电压(例如，VDL,1)可升高。由于切换组件405-a-1在504处被激活(例如，由于逻辑信号ISOa被激活)，因此感测放大器290-a-1的信号电压(例如，Vsig,1)也可升高，且在504之后，可等于VDL,1。504的操作可为通过致使行组件125-a(例如，行解码器)激活字线205-a-1而对选定存储器单元105-b-11执行存取操作的实例。
在一些实例中，504的操作可伴随有字线取消选择操作。举例来说，在504处，行解码器可将不与选定存储器单元105-b-11相关联的字线205-a-2到205-a-n中的一或多者(例如，非选定字线205-a)从以第二电压(例如，V2，字线均衡电压)偏置改变成以第四电压(例如，V4，单元取消选择字线电压)偏置。换句话说，504的操作还可与停用或取消选择字线205-a-2到205-a-n中的一或多者相关联，停用或取消选择字线205-a-2到205-a-n中的一或多者可包含致使或起始施加到字线205-a-2到205-a-n中的一或多者的偏置的转变。在一些实例中，504的操作可与选择性地将铁电电容器220-a-12到220-a-1n中的一或多者与数字线210-a-1解耦相关联。在一些实例中，504的操作可被称为取消选择存储器单元105-b-12到105-b-1n中的一或多者。这些操作通过非选定字线电压VWL,n从V2到V4的转变而图解说明，但应理解，此电压可施加到字线205-a-2到205-a-n中的任何一或多者。
在一些实例中，504的字线取消选择操作可与将电阻增大到经取消选择存储器单元105上的泄漏电荷的积累量(例如，如与使非选定字线205-a维持处于第二电压的操作相比)相关联。在一些实例中，501到504中的一或多者的操作可指在第一间隔(例如，第一时间间隔、第一持续时间)中发生的操作，但时序图500的操作可根据不同间隔定义而描述。虽然停用字线205-a-n与激活字线205-a-1图解说明为是在504处同时执行，但在一些实例中，停用字线205-a-n可在激活字线205-a-1之前或在激活字线205-a-1之后执行。
在505处，操作可包含将参考电压提供到感测组件150-a。举例来说，在505处，参考组件285-a可将参考线265-a与提供参考电压的电压源耦合。在一些情形中，参考电压可经选择为介于在读取存储逻辑0的存储器单元105-b时所产生的信号电压(例如，在读取逻辑0时，Vsig)与在读取存储逻辑1的存储器单元105-b时所产生的信号电压(例如，在读取逻辑1时，Vsig)之间的值(例如，平均值)。在一些实例中，在505处，存取操作可包含：在将参考线265-a与提供参考电压的电压源耦合之前，参考组件285-a将参考线265-a与接地电压源解耦。因此，在505处，参考线265-a的电压(例如，VRL)可从505之前的电压(例如，闲置或备用参考线电压)增大。由于切换组件405-b-1在505处被激活(例如，由于逻辑信号ISOb被激活)，因此感测放大器290-a-1处的参考电压(例如，Vref,1)也可升高，且在505的操作之后，可等于VRL。在支持自参考读取操作(未展示)的存取方案的其它实例中，505处的所图解说明操作可被使用存储器单元105-b-11来形成参考信号的一或多个操作替换。
在506处，操作可包含将感测放大器290-a-1与存储器阵列110-a隔离(例如，解耦)。举例来说，在506处，存取操作可包含停用切换组件405-a-1(例如，通过停用逻辑信号ISOa)，这可将感测放大器290-a-1的信号节点291与存储器单元105-b-11隔离。
在507处，操作可包含将感测放大器290-a与参考组件285-a隔离(例如，解耦)。举例来说，在507处，存取操作可包含停用切换组件405-b-1(例如，通过停用逻辑信号ISOb)，这可将感测放大器290-a-1的参考节点292与参考组件285-a隔离。
在508处，操作可包含锁存检测由存储器单元105-b-11所存储的逻辑状态的结果。举例来说，在508处，可激活感测放大器290-a(例如，通过激活逻辑信号SE)，这可将感测放大器290-a-1与高感测放大器电压源(例如，处于电压VH的电压源)耦合，且可将感测放大器290-a-1与低感测放大器电压源(例如，处于电压VL的电压源)耦合。因此，在时序图500的实例中，当在508处Vsig,1大于Vref,1的情况下，作为508的操作的结果，Vsig,1可上升到电压VH且Vref,1可下降到电压VL。Vsig,1或Vref,1(例如，VH或VL)的电压可作为感测组件150-a的输出而提供(例如，提供到列组件135、提供到输入/输出组件160、提供到存储器控制器170)。在一些实例中，502到508的操作中的任何一或多者可被称为读取操作。
在509处，操作可包含将感测放大器290-a-1与存储器阵列110-a耦合。举例来说，在509处，操作可包含激活切换组件405-a-1(例如，通过激活逻辑信号ISOa)，这可将感测放大器290-a-1的信号节点291与存储器单元105-b-11耦合。因此，数字线210-a-1的电压(例如，VDL,1)可上升到高感测放大器电压源的电压(例如，VH)，在一些实例中，所述电压还可为板线高电压源的电压(例如，当在503处被激活时)。
在510处，操作可包含降低板线215-a的电压。举例来说，在510处，板组件145-a可将板线215-a与具有相对低电压(例如，板线低电压、接地电压、虚接地电压)的电压源耦合。在一些实例中，在510处，在将板线215-a与具有相对低电压的电压源耦合之前，板组件145-a可将板线215-a与具有相对高电压的电压源解耦。因此，在510处，板线电压可从510之前的电压下降(例如，返回到闲置或备用板线电压)。
在一些实例中，510的操作可被称为重写操作，或以其它方式包含在存储器单元105-b-11的重写操作中。举例来说，在510处，跨越铁电电容器220-a-11所施加的电压(例如，Vcap)可等于数字线210-a-1的电压(例如，VDL,1)与板线215-a的电压(例如，VPL)之间的差。在一些实例中，跨越铁电电容器220-a-11所施加的电压可对应于参考图3所描述的电压315，电压315可对应于正饱和电压。换句话说，510的操作可与用逻辑1状态来重写存储器单元105-b-11(例如，使存储器单元105-b-11返回到在时序图500的操作之前所存储的逻辑状态)相关联。因此，在510的操作之后，铁电电容器220-a-11可为正饱和的。在其它实例中，502到510中的任何一或多者的操作(包含重写操作)可被称为单个存取操作(例如，“读取+重写”操作)。在一些实例中，510的操作可独立于读取操作而执行，且可替代地被称为“写入”操作。
在一些实例中，510的操作还可与将泄漏电荷驱动到非选定存储器单元105-b中相关联。举例来说，由于数字线210-a-1与板线215-a的电压差(例如，VDL,1–VPL)，因此泄漏电荷可跨越存储器单元105-b-12到105-b-1n的单元选择组件230-a-12到230-a-1n中的一或多者而流动。因此，泄漏电荷可流动到电容器220-a-12到220-a-1n中的一或多者中或流出电容器220-a-12到220-a-1n中的一或多者，这可更改非选定存储器单元105-b-12到105-b-1n中的一或多者所存储的逻辑状态。在一些实例中，与510的操作相关联的泄漏电荷可沿与和503的操作相关联的泄漏电荷的流动相反的方向流动。换句话说，如与参考图3所描述的电荷状态305-e相比，510的操作可致使非选定存储器单元(例如，存储器单元105-b-12到105-b-1n中的一或多者)的铁电电容器220-1朝向电荷状态305-f移动。在一些实例中，在510之后，泄漏电荷或偏置可继续积累(例如，直到在512之后板线215-a与数字线210-a-1的电压达到均衡为止、直到板线215-a与数字线210-a-1的电压差等于相应存储器单元105-1的电容器电压Vcap为止)。
在511处，操作可包含停用感测组件150-a。举例来说，在511处，可停用感测放大器290-a(例如，通过停用逻辑信号SE)，这可将感测放大器290-a-1与高感测放大器电压源(例如，处于电压VH的电压源)解耦，且可将感测放大器290-a-1与低感测放大器电压源(例如，电压VL处的电压源)解耦。在时序图500的实例中，作为511的操作的结果，信号节点电压Vsig,1及参考节点电压Vref,1可保持处于其相应值。
在512处，操作可包含均衡感测放大器290-a的输入节点。举例来说，在512处，操作可包含激活切换组件405-c及405-d(例如，通过激活逻辑信号PREa及PREb)，这可选择性地将感测放大器290-a与相应均衡电压源410-a及410-b耦合。因此，在512处，用于感测放大器290-a的信号电压Vsig及参考电压Vref可以零伏偏置。
在513处，操作可包含将感测放大器290-a与参考组件285-a耦合。举例来说，在513处，操作可包含激活切换组件405-b-1(例如，通过激活逻辑信号ISOb)，这可将感测放大器290-a-1的参考节点292与参考组件285-a耦合。在一些实例中，在513处，在将感测放大器290-a与参考组件285-a耦合之前，参考组件285-a可将参考线265-a与接地电压源(例如，具有等于均衡电压源410-a的电压)耦合。在一些实例中，505到513中的一或多者的操作可指在第二间隔(例如，第二时间间隔、第二持续时间)中发生的操作，但时序图500的操作可根据不同间隔定义而描述。作为在此些操作期间以第三电压将字线205-a-n偏置的结果，字线205-a-n的偏置可被视为在用于执行存取操作的间隔(例如，第二间隔)期间将非选定字线205-a偏置(例如，通过行组件125-a)到第三电压的实例。
在514处，操作可包含均衡字线205-a-1到205-a-n中的每一者。举例来说，在514处，行组件125-a可将选定字线205-a-1从以第三电压(例如，V3，单元选择字线电压)偏置改变成以第二电压(例如，V2，字线均衡电压)偏置，且行组件125-a还可将非选定字线205-a-2到205-a-n中的一或多者从以第四电压(例如，V4，单元取消选择字线电压)偏置改变成以第二电压(例如，V2，字线均衡电压)偏置。当在514处以较高电压将非选定字线205-a-n偏置时，514的操作可为在一间隔期间将非选定字线205-a-n调整到高于前一间隔期间的电压的电压的实例。
如在514之后由非选定存储器单元105-b的单元底部电压(例如，Vbottom,1n)所图解说明，非选定存储器单元105-a(例如，存储器单元105-b-12到105-b-1n中的一或多者)的单元选择组件230-a可被停用，但在与选定存储器单元105-b-11相关联的存取操作期间(例如，在501到514中的任何一或多者的操作期间)，泄漏电荷仍可流动穿过相应经停用单元选择组件230-a。在铁电存储器单元105-b的实例中，泄漏电荷或偏置可积累在非选定存储器单元105-b的铁电电容器220-a处，这可更改铁电电容器220-a的极化(例如，如在514之后由ΔVcap,1n的非零值所图解说明)。
举例来说，当非选定存储器单元105-b-1n的铁电电容器220-a-1n处于电荷状态305-a(例如，存储逻辑1)时，与对选定存储器单元105-b-11进行的存取操作相关联的泄漏电荷或偏置可致使非选定存储器单元105-b-1n的电荷状态遵循参考图3所描述的路径360的至少一部分。在一些实例中，对选定存储器单元105-b-11进行的第一存取操作(例如，501到514的操作中的一或多者)可致使存储器单元105-b-1n的铁电电容器220-a-1n达到参考图3所描述的电荷状态305-e，电荷状态305-e可对应于电压ΔVcap,1n的电平。
在非选定存储器单元105-b-1n针对关于选定存储器单元的后续存取操作(例如，在514的操作之后)保持为非选定的情况下，当泄漏电荷或偏置继续积累时，存储器单元105-b-1n的电荷状态可继续沿着路径360，直到达到参考图3所描述的电荷状态305-c为止，举例来说(例如，积累更大ΔVcap)。电荷状态305-c可图解说明实质性极化损失，这可图解说明存储器单元105-b-1n处由于此所积累泄漏电荷或偏置而发生的数据损失。然而，操作可在对选定存储器单元105-b-11进行存取操作之后(例如，在501到514中的一或多者的操作之后)执行以促进或以其它方式支持泄漏电荷或偏置从非选定存储器单元105-b-1n的耗散，这可减小或消除否则可由泄漏电荷或偏置的积累造成的数据损失。
在515处，操作可包含使字线205-a-1到205-a-n中的每一者闲置。举例来说，在515处，行组件125-a可将字线205-a中的每一者从以第二电压(例如，V2，字线均衡电压)偏置改变成以第一电压(例如，V1，字线闲置或备用电压)偏置。在一些实例中，515的操作可与选择性地将铁电电容器220-a中的每一者与相应数字线210-a(例如，与相对低量值选择电压)耦合相关联。
在一些实例中，可以相同电压(例如，接地电压)将数字线210-a中的每一者及板线215-a偏置。因此，作为515的操作的结果，铁电电容器220-a中的每一者可达到均衡(例如，由于相应单元选择组件230-a被字线闲置或备用电压激活)。因此，515的操作可为通过致使行组件125-1(例如，行解码器)激活字线205-a中的一或多者而对存储器单元105-b-11到105-b-1n中的一或多者执行均衡操作或耗散操作(例如，耗散任何所积累泄漏电荷或偏置)的实例。因此，在515的操作之后，铁电电容器220-a中的每一者可返回到均衡状态(例如，具有相应电容器电压Vcap＝0V)。在一些实例中，514及515中的一者或两者的操作可指在第三间隔(例如，第三时间间隔、第三持续时间)中发生的操作，但时序图500的操作可根据不同间隔定义而描述。当在515处以较高电压将非选定字线205-a-n偏置时，515的操作可为在一间隔期间将非选定字线205-a-n调整到高于前一间隔期间的电压的电压的另一实例。
如在515之后由非选定存储器单元105-b的单元底部电压所图解说明，所积累泄漏电荷或偏置(例如，在非选定存储器单元105-b-1n处)可被耗散(例如，如在时序图500的结尾处由ΔVcap,1n的零值所图解说明)。因此，如由时序图500的实例所图解说明，操作可在对选定存储器单元105进行存取操作(例如，操作501到514中的任何一或多者)之后执行以促进或以其它方式支持泄漏电荷从非选定存储器单元105的耗散，这可减小或消除否则可由泄漏电荷或偏置的积累造成的数据损失。
虽然图解说明为在不同时间发生的单独操作，但某些操作可同时发生或以不同次序发生。在一些实例中，各种操作可有利地被同时起始以减小用于感测存储器单元105-b的逻辑状态的时间量。举例来说，以下各项中的任何两者或多于两者可以不同相反次序发生、在重叠持续时间期间发生或同时发生：在503处提高板线215-a的电压、在504处激活字线205-a-1、在504处停用字线205-a-n，或在505处将参考电压提供到感测组件150-a。另外或替代地，在506处将感测放大器290-a-1与存储器阵列110-a隔离及在507处将感测放大器290-a与参考组件285-a隔离可以不同次序发生、在重叠持续时间期间发生或同时发生。另外或替代地，在509处将感测放大器290-a-1与存储器阵列110-a耦合及在510处降低板线215-a的电压可以不同次序发生、在重叠持续时间期间发生或同时发生。另外或替代地，以下各项中的任何两者或多于两者可以不同相反次序发生、在重叠持续时间期间发生或同时发生：在512处均衡感测放大器290-a的输入节点、在513处将感测放大器290-a与参考组件285-a耦合，或在514处均衡字线205-a。
图6展示根据本发明的若干方面的图解说明用于保护存储器装置中的所存储数据的实例性存取方案的操作的时序图600。时序图600是参考图4的实例性电路400的组件而描述，但也可图解说明可以不同电路布置执行的操作。
在时序图600的实例中，存储器单元105-b-11可为选定存储器单元105。换句话说，在时序图600的操作之前或在时序图600的操作期间，存储器单元105-b-11可经选择或以其它方式经识别(例如，通过存储器控制器170)以用于存取操作(例如，读取操作，在一些实例中，其可包含重写操作或后续接着进行重写操作)。在时序图600的实例中，其它存储器单元105-b(例如，存储器单元105-b-12到105-b-1n)可为非选定存储器单元105。在时序图600的实例中，存储器单元105-b-11可最初存储逻辑1状态，如本文中所描述(例如，参考图3)。在时序图600的实例中，非选定存储器单元105-b-1n也可最初存储逻辑1状态，如本文中所描述(例如，参考图3)。
在一些实例中，在起始时序图600的操作之前(例如，在闲置周期、闲置间隔、备用周期、备用间隔期间)，可以相同电压将数字线210-a及板线215-a偏置。匹配数字线210-a与板线215-a的电压可使存储器阵列110-a中的电荷泄漏最小化。举例来说，在时序图600的实例中，数字线210-a及板线215-a可具有为0V的初始电压，所述电压可由各种电压源提供(例如，经由感测组件150-a、经由板组件145-a、经由列组件135、经由信号形成组件280)。在其它实例中，可以不同电压将数字线210-a及板线215-a偏置，所述电压在数字线210-a与板线215-a之间可或可不相等。
时序图600可图解说明其中行组件125-a经配置以将三个电压中的一者施加(例如，偏置)到字线205-a中的每一者以支持本文中所描述的各种操作(例如，用于激活、停用、均衡特定字线205-a)的存取方案。为支持时序图600的操作，行组件125-a可包含用以将特定电压施加到字线205-a中的特定者的电压源、电压供应器、切换组件、选择组件、放大器或电压转换组件的各种配置。
第一电压V1可表示字线闲置或备用电压。根据时序图600的实例，在一些情形中，第一电压可为相对小正电压，且可具有在某些条件下(例如，针对均衡操作、针对耗散操作)大到足以激活单元选择组件230-a的量值。在一些实例中，第一电压可经选择而具有相对小量值以便以相对低电力消耗来支持均衡或耗散操作或状态(例如，如与使用较高电压用于均衡或耗散操作相比)。在一些实例中，第一电压可具有为1.0V的值，且可被称为VPWL。
第二电压V2可表示字线均衡电压，其还可表示字线取消选择电压。根据时序图600的实例，在一些情形中，第二电压可为接地或虚接地电压，且可由与电压源410-a或410-b中的一或多者相同的电压源提供，或可耦合与电压源410-a或410-b中的一或多者相同的电压供应器或底板接地。第二电压可具有与在某些条件下停用单元选择组件230-a相关联的值。在一些实例中，第二电压可具有为0V的值，且可被称为VSS。
第三电压V3可表示单元选择字线电压。根据时序图600的实例，在一些情形中，第三电压可为相对大正电压，且可具有在某些条件下(例如，针对读取操作、针对写入操作、针对重写操作、针对刷新操作)大到足以激活单元选择组件230-a的量值。在一些实例中，第三电压可经选择而具有相对大量值以便支持相对快速存取操作(例如，如与使用较低电压来选择用于读取操作、写入操作、重写操作、刷新操作的存储器单元105-b相比)。在一些实例中，第三电压可具有为3.1V的值，且可被称为VCCP。
在601处，操作可包含将感测放大器290-a中的一或多者与均衡电压源解耦。举例来说，在601处，操作可包含停用切换组件405-c及405-d(例如，通过停用逻辑信号PREa及PREb)，这可选择性地将感测放大器290-a与相应均衡电压源410-a及410-b解耦。因此，在601处，用于感测放大器290-a的相应信号电压Vsig及参考电压Vref可保持处于零伏。
在602处，操作可包含提高板线215-a的电压。举例来说，在602处，板组件145-a可将板线215-a与具有相对高电压(例如，板高电压)的电压源耦合。在一些实例中，在602处，在将板线215-a与具有相对高电压的电压源耦合之前，板组件145-a可将板线215-a与板低电压源(例如，接地电压源、闲置板线电压源、备用板线电压源)解耦。因此，在602处，板线电压可从602之前的电压增大。
在一些实例中，602的操作可与将泄漏电荷驱动到非选定存储器单元105-b中或驱动出非选定存储器单元105-b相关联。举例来说，由于板线215-a与数字线210-a-1的电压差(例如，VPL–VDL,1)，因此泄漏电荷可跨越与存储器单元105-b-12到105-b-1n相关联的单元选择组件230-a-12到230-a-1n中的一或多者而流动。因此，泄漏电荷可流动到电容器220-a-12到220-a-1n中的一或多者中或流出电容器220-a-12到220-a-1n中的一或多者，这可更改非选定存储器单元105-b-12到105-b-1n中的一或多者所存储的电荷状态或逻辑状态。举例来说，如与参考图3所描述的电荷状态305-a相比，602的操作可致使非选定存储器单元(例如，存储器单元105-b-12到105-b-1n中的一或多者)的铁电电容器220-1沿着路径360移动(例如，达到电荷状态305-e)，这可表示非选定存储器单元105-b-12到105-b-1n中的一或多者的极化的部分损失。
与此些操作相关联的泄漏电荷可通过非选定存储器单元105-b(例如，与数字线210-a-1耦合的存储器单元105-b-12到105-b-1n中的任何一或多者)的电压行为而图解说明。举例来说，在没有电荷泄漏的情况下，与数字线210-a-1耦合的非选定存储器单元105-b-12到105-b-1n的单元底部电压Vbottom,1一般将遵循板线电压VPL。然而，在时序图600的实例中，与存储器单元105-b-1n(例如，存储逻辑1)相关联的单元底部电压Vbottom,1n可不升高到与所施加电压VPL一样高，这是因为电荷从铁电电容器220-a-1n的单元底部穿过单元选择组件230-a-1n而泄漏到数字线210-a-1。因此，铁电电容器220-a-1n(或其它非选定存储器单元105-b-12到105-b-1n中的任一者的电容器220-a)可经历由ΔVcap,1n所图解说明的电压改变(例如，所积累非零偏置)，这可与铁电电容器220-a-1n的电荷状态的改变(例如，从电荷状态305-a到电荷状态305-e的转变)相关联。
在一些实例中，在602之后，泄漏电荷或偏置可继续积累(例如，直到在608之后板线215-a与数字线210-a-1的电压达到均衡为止、直到板线215-a与数字线210-a-1的电压差等于相应存储器单元105-a的铁电电容器220-a的电容器电压Vcap为止)。在时序图600的整个操作内，铁电电容器220-a-1n的电压的改变可继续由电压ΔVcap,1n图解说明。
在603处，操作可包含字线选择操作。举例来说，在603处，行解码器可将与选定存储器单元105-b-11相关联的字线205-a-1(例如，选定字线205-a)从以第一电压(例如，V1，字线闲置或备用电压)偏置改变成以第三电压(例如，V3，单元选择字线电压)偏置。换句话说，603的操作可与激活或选择字线205-a-1相关联，激活或选择字线205-a-1可包含致使或起始施加到字线205-a-1的偏置的转变。在一些实例中，603的操作可伴随有确定存取存储器单元105-b-11(例如，由存储器控制器170做出的确定)或以其它方式识别用于执行存取操作的存储器单元105-b-11。在一些实例中，603的操作可与选择性地将铁电电容器220-a-11与数字线210-a-1耦合相关联。在一些实例中，603的操作可被称为选择存储器单元105-b-11。
由于字线205-a-1与单元选择组件230-a-11耦合，因此单元选择组件230-a-11可作为603的操作的结果而被激活。换句话说，作为603的操作的结果，电容器220-a-11可选择性地与数字线210-a-1耦合。因此，电荷可基于存储器单元105-b-11所存储的逻辑状态(例如，基于电容器220-a-11的极化状态)而在存储器单元105-b-11与数字线210-a-1之间流动。因此，在时序图600的实例中，当与数字线210-a-1共享电荷时，数字线210-a-1的电压(例如，VDL,1)可升高。由于切换组件405-a-1在603处被激活(例如，由于逻辑信号ISOa被激活)，因此感测放大器290-a-1的信号电压(例如，Vsig,1)也可升高，且在603之后，可等于VDL,1。因此，603的操作可为通过致使行组件125-a(例如，行解码器)激活字线205-a-1而对选定存储器单元105-b-11执行存取操作的实例。
在一些实例中，603的操作可伴随有字线取消选择操作。举例来说，在603处，行解码器可将不与选定存储器单元105-b-11相关联的字线205-a-2到205-a-n中的一或多者(例如，非选定字线205-a)从以第一电压(例如，V1，字线闲置或备用电压)偏置改变成以第二电压(例如，V2，字线均衡电压、字线取消选择电压)偏置。换句话说，603的操作还可与停用或取消选择字线205-a-2到205-a-n中的一或多者相关联。在一些实例中，603的操作可与选择性地将铁电电容器220-a-12到220-a-1n中的一或多者与数字线210-a-1解耦相关联。在一些实例中，603的操作可被称为取消选择存储器单元105-b-12到105-b-1n中的一或多者。
所描述操作通过非选定字线电压VWL,n从V1到V2的转变而图解说明，但应理解，此电压可施加到字线205-a-2到205-a-n中的任何一或多者。在一些实例中，601到603中的一或多者的操作可指在第一间隔(例如，第一时间间隔、第一持续时间)中发生的操作，但时序图600的操作可根据不同间隔定义而描述。虽然停用字线205-a-n与激活字线205-a-1图解说明为是同时执行，但在一些实例中，停用字线205-a-n可在激活字线205-a-1之前或在激活字线205-a-1之后执行。
在604处，操作可包含将参考电压提供到感测组件150-a。举例来说，在604处，参考组件285-a可将参考线265-a与提供参考电压的电压源耦合。在一些情形中，参考电压可经选择为介于在读取存储逻辑0的存储器单元105-b时所产生的信号电压(例如，在读取逻辑0时，Vsig)与在读取存储逻辑1的存储器单元105-b时所产生的信号电压(例如，在读取逻辑1时，Vsig)之间的值(例如，平均值)。在一些实例中，在604处，存取操作可包含：在将参考线265-a与提供参考电压的电压源耦合之前，参考组件285-a将参考线265-a与接地电压源解耦。因此，在604处，参考线265-a的电压(例如，VRL)可从604之前的电压(例如，闲置或备用参考线电压)增大。由于切换组件405-b-1在604处被激活(例如，由于逻辑信号ISOb被激活)，因此感测放大器290-a-1处的参考电压(例如，Vref,1)也可升高，且在604之后，可等于VRL。在支持自参考读取操作(未展示)的存取方案的其它实例中，604处的所图解说明操作可被使用存储器单元105-b-11来形成参考信号的一或多个操作替换。
在605处，操作可包含将感测放大器290-a-1与存储器阵列110-a隔离(例如，解耦)。举例来说，在605处，存取操作可包含停用切换组件405-a-1(例如，通过停用逻辑信号ISOa)，这可将感测放大器290-a-1的信号节点291与存储器单元105-b-11隔离。
在606处，操作可包含将感测放大器290-a与参考组件285-a隔离(例如，解耦)。举例来说，在606处，存取操作可包含停用切换组件405-b-1(例如，通过停用逻辑信号ISOb)，这可将感测放大器290-a-1的参考节点292与参考组件285-a隔离。
在607处，操作可包含锁存检测由存储器单元105-b-11所存储的逻辑状态的结果。举例来说，在607处，可激活感测放大器290-a(例如，通过激活逻辑信号SE)，这可将感测放大器290-a-1与高感测放大器电压源(例如，处于电压VH的电压源)耦合，且可将感测放大器290-a-1与低感测放大器电压源(例如，处于电压VL的电压源)耦合。因此，在时序图600的实例中，当在607处Vsig,1大于Vref,1的情况下，作为607的操作的结果，Vsig,1可上升到电压VH且Vref,1可下降到电压VL。Vsig,1或Vref,1(例如，VH或VL)的电压可作为感测组件150-a的输出而提供(例如，提供到列组件135、提供到输入/输出组件160、提供到存储器控制器170)。在一些实例中，601到607的操作中的任何一或多者可被称为读取操作。
在608处，操作可包含将感测放大器290-a-1与存储器阵列110-a耦合。举例来说，在608处，操作可包含激活切换组件405-a-1(例如，通过激活逻辑信号ISOa)，这可将感测放大器290-a-1的信号节点291与存储器单元105-b-11耦合。因此，数字线210-a-1的电压(例如，VDL,1)可上升到高感测放大器电压源的电压(例如，VH)，在一些实例中，所述电压还可为板线高电压源的电压(例如，当在602处被激活)。
在609处，操作可包含降低板线215-a的电压。举例来说，在609处，板组件145-a可将板线215-a与具有相对低电压(例如，板线低电压、接地电压、虚接地电压)的电压源耦合。在一些实例中，在609处，在将板线215-a与具有相对低电压的电压源耦合之前，板组件145-a可将板线215-a与具有相对高电压的电压源解耦。因此，在609处，板线电压可从609之前的电压下降(例如，返回到闲置或备用板线电压)。
在一些实例中，609的操作可被称为重写操作，或以其它方式包含在存储器单元105-b-11的重写操作中。举例来说，在609处，跨越铁电电容器220-a-11(例如，Vcap)所施加的电压可等于数字线210-a-1(例如，VDL,1)与板线215-a(例如，VPL)的电压之间的差。在一些实例中，跨越铁电电容器220-a-11所施加的电压可对应于参考图3所描述的电压315，电压315可对应于正饱和电压。换句话说，609的操作可与用逻辑1状态来重写存储器单元105-b-11(例如，使存储器单元105-b-11返回到在时序图600的操作之前所存储的逻辑状态)相关联。因此，在609的操作之后，铁电电容器220-a-11可为正饱和的。在其它实例中，601到609中的任何一或多者的操作(包含重写操作)可被称为单个存取操作(例如，“读取+重写”操作)。在一些实例中，609的操作可独立于读取操作而执行，且可替代地被称为“写入”操作。
在一些实例中，609的操作还可与将泄漏电荷驱动到非选定存储器单元105中相关联。举例来说，由于数字线210-a-1与板线215-a的电压差(例如，VDL,1–VPL)，因此泄漏电荷可跨越存储器单元105-b-12到105-b-1n的单元选择组件230-a-12到230-a-1n中的一或多者而流动。因此，泄漏电荷可流动到电容器220-a-12到220-a-1n中的一或多者中，这可更改非选定存储器单元105-b-12到105-b-1n中的一或多者所存储的逻辑状态。在一些实例中，与609的操作相关联的泄漏电荷可沿与和602的操作相关联的泄漏电荷的流动相反的方向流动。换句话说，如与参考图3所描述的电荷状态305-e相比，609的操作可致使非选定存储器单元(例如，存储器单元105-b-12到105-b-1n中的一或多者)的铁电电容器220-1朝向电荷状态305-f移动。在一些实例中，在609之后，泄漏电荷或偏置可继续积累(例如，直到在611之后板线215-a与数字线210-a-1的电压达到均衡为止、直到板线215-a与数字线210-a-1的电压差等于相应存储器单元105-b的电容器电压Vcap为止)。
在610处，操作可包含停用感测组件150-a。举例来说，在610处，可停用感测放大器290-a(例如，通过停用逻辑信号SE)，这可将感测放大器290-a-1与高感测放大器电压源(例如，处于电压VH的电压源)解耦，且可将感测放大器290-a-1与低感测放大器电压源(例如，处于电压VL的电压源)解耦。在时序图600的实例中，作为610的操作的结果，信号节点电压Vsig,1及参考节点电压Vref,1可保持处于其相应值。
在611处，操作可包含均衡感测放大器290-a的输入节点。举例来说，在611处，操作可包含激活切换组件405-c及405-d(例如，通过激活逻辑信号PREa及PREb)，这可选择性地将感测放大器290-a与相应均衡电压源410-a及410-b耦合。因此，在611处，用于感测放大器290-a的信号电压Vsig及参考电压Vref可以零伏偏置。
在612处，操作可包含将感测放大器290-a与参考组件285-a耦合。举例来说，在612处，操作可包含激活切换组件405-b-1(例如，通过激活逻辑信号ISOb)，这可将感测放大器290-a-1的参考节点292与参考组件285-a耦合。在一些实例中，在612处，在将感测放大器290-a与参考组件285-a耦合之前，参考组件285-a可将参考线265-a与接地电压源(例如，具有等于均衡电压源410-a的电压)耦合。在一些实例中，604到612中的一或多者的操作可指在第二间隔(例如，第二时间间隔、第二持续时间)中发生的操作，但时序图600的操作可根据不同间隔定义而描述。作为在此些操作期间以第三电压将字线字线205-a-n偏置的结果，字线205-a-n的偏置可被视为在用于执行存取操作的间隔(例如，第二间隔)期间将非选定字线205-a偏置到第三电压的实例。
如在612之后由非选定存储器单元105-b的单元底部电压(例如，Vbottom,1n)所图解说明，非选定存储器单元105-a(例如，存储器单元105-b-12到105-b-1n中的一或多者)的单元选择组件230-a可被停用，但在与选定存储器单元105-b-11相关联的存取操作期间(例如，在601到612中的任何一或多者的操作期间)，泄漏电荷仍可流动穿过相应停用单元选择组件230-a。在铁电存储器单元105-b的实例中，泄漏电荷或偏置可积累在非选定存储器单元105-b的铁电电容器220-a处，这可更改铁电电容器220-a的极化(例如，如在612之后由ΔVcap,1n的非零值所图解说明)。
举例来说，当非选定存储器单元105-b-1n的铁电电容器220-a-1n处于电荷状态305-a(例如，存储逻辑1)时，与对选定存储器单元105-b-11进行的存取操作相关联的泄漏电荷或偏置可致使非选定存储器单元105-b-1n的电荷状态遵循参考图3所描述的路径360的至少一部分。在一些实例中，对选定存储器单元105-b-11进行的第一存取操作(例如，601到612的操作中的一或多者)可致使存储器单元105-b-1n的铁电电容器220-a-1n达到参考图3所描述的电荷状态305-e，电荷状态305-e可对应于电压ΔVcap,1n的电平。
在非选定存储器单元105-b-1n针对关于选定存储器单元的后续存取操作(例如，在612的操作之后)保持为非选定的情况下，当泄漏电荷或偏置继续积累时，存储器单元105-b-1n的电荷状态可继续沿着路径360，直到达到参考图3所描述的电荷状态305-c为止，举例来说(例如，积累更大ΔVcap)。电荷状态305-c可图解说明实质性极化损失，这可图解说明存储器单元105-b-1n处由于此所积累泄漏电荷或偏置而发生的数据损失。然而，操作可在对选定存储器单元105-b-11进行存取操作之后(例如，在601到612中的一或多者的操作之后)执行以促进或以其它方式支持泄漏电荷或偏置从非选定存储器单元105-b-1n的耗散，这可减小或消除否则可由泄漏电荷或偏置的积累造成的数据损失。
在613处，操作可包含使字线205-a-1到205-a-n中的每一者闲置。举例来说，在613处，行组件125-a可将选定字线205-a-1从以第三电压(例如，V3，单元选择字线电压)偏置改变成以第一电压(例如，V1，字线闲置或备用电压)偏置，且行组件125-a还可将非选定字线205-a-2到205-a-n中的一或多者从以第二电压(例如，V2，字线均衡或取消选择电压)偏置改变成以第一电压(例如，V1，字线闲置或备用电压)偏置。在一些实例中，613的操作可与选择性地将铁电电容器220-a中的每一者与相应数字线210-a(例如，与相对低量值选择电压)耦合相关联。
在一些实例中，可以相同电压(例如，接地电压)将数字线210-a中的每一者及板线215-a偏置。因此，作为613的操作的结果，铁电电容器220-a中的每一者可达到均衡(例如，由于相应单元选择组件230-a被字线闲置或备用电压激活)。因此，613的操作可为通过致使行组件125(例如，行解码器)激活字线205-a中的一或多者而对存储器单元105-b-11到105-b-1n中的一或多者执行均衡操作或耗散操作(例如，耗散任何所积累泄漏电荷或偏置)的实例。因此，在613的操作之后，铁电电容器220-a中的每一者可返回到均衡状态(例如，具有相应电容器电压Vcap＝0V)。
当在613处以较高电压将非选定字线205-a-n偏置时，613的操作可为在一间隔期间将非选定字线205-a-n调整到高于前一间隔期间的电压的电压的实例。在一些实例中，613的操作可指在第三间隔(例如，第三时间间隔、第三持续时间)中发生的操作，但时序图600的操作可根据不同间隔定义而描述。
如在613之后由非选定存储器单元105-b的单元底部电压所图解说明，所积累泄漏电荷或偏置(例如，在非选定存储器单元105-b-1n处)可被耗散(例如，如在时序图600的结尾处由ΔVcap,1n的零值所图解说明)。因此，如由时序图600的实例所图解说明，操作可在对选定存储器单元105进行存取操作(例如，操作601到612中的任何一或多者)之后执行以促进或以其它方式支持泄漏电荷从非选定存储器单元105的耗散，这可减小或消除否则可由泄漏电荷或偏置的积累造成的数据损失。
虽然图解说明为在不同时间发生的单独操作，但某些操作可同时发生或以不同次序发生。在一些实例中，各种操作可有利地被同时起始以减小用于感测存储器单元105-b的逻辑状态的时间量。举例来说，以下各项中的任何两者或多于两者可以不同相反次序发生、在重叠持续时间期间发生或同时发生：在602处提高板线215-a的电压、在603处激活字线205-a-1、在603处停用字线205-a-n，或在604处将参考电压提供到感测组件150-a。另外或替代地，在605处将感测放大器290-a-1与存储器阵列110-a隔离及在606处将感测放大器290-a与参考组件285-a隔离可以不同次序发生、在重叠持续时间期间发生或同时发生。另外或替代地，在608处将感测放大器290-a-1与存储器阵列110-a耦合及在609处降低板线215-a的电压可以不同次序发生、在重叠持续时间期间发生或同时发生。另外或替代地，以下各项中的任何两者或多于两者可以不同相反次序发生、在重叠持续时间期间发生或同时发生：在611处均衡感测放大器290-a的输入节点、在612处将感测放大器290-a与参考组件285-a耦合，或在613处使字线205-a闲置。
图7展示根据本发明的若干方面图解说明用于保护存储器装置中的所存储数据的实例性存取方案的操作的时序图700。时序图700是参考图4的实例性电路400的组件来描述的，但可图解说明也可借助不同电路布置来执行的操作。
在时序图700的实例中，存储器单元105-b-11可为选定存储器单元105。换句话说，在时序图700的操作之前或在时序图700的操作期间，可选择或以其它方式识别(例如，由存储器控制器170)存储器单元105-b-11以用于存取操作(例如，读取操作，其在一些实例中可包含重写操作或后续接着重写操作)。在时序图700的实例中，其它存储器单元105-b(例如，存储器单元105-b-12到105-b-1n)可为非选定存储器单元105。在时序图700的实例中，存储器单元105-b-11可最初存储如本文中(例如，参考图3)所描述的逻辑1状态。在时序图700的实例中，非选定存储器单元105-b-1n也可最初存储如本文中(例如，参考图3)所描述的逻辑1状态。
在一些实例中，在起始时序图700的操作之前(例如，在闲置周期、闲置间隔、备用周期、备用间隔期间)，可以相同电压将数字线210-a及板线215-a偏置。使数字线210-a的电压与板线215-a的电压匹配可最少化存储器阵列110-a中的电荷泄漏。举例来说，在时序图700的实例中，数字线210-a及板线215-a可具有0 V的初始电压，所述初始电压可由各种电压源提供(例如，经由感测组件150-a、经由板组件145-a、经由列组件135、经由信号形成组件280)。在其它实例中，可以不同电压将数字线210-a及板线215-a偏置，所述电压在数字线210-a与板线215-a之间可相等或可不相等。
时序图700可图解说明其中行组件125-a经配置以将三个电压中的一者施加(例如，偏置)到字线205-a中的每一者以支持本文中所描述的各种操作(例如，用于激活特定字线205-a，将特定字线205-a停用，使特定字线205-a均衡)的存取方案。为支持时序图700的操作，行组件125-a可包含电压源、电压供应器、切换组件、选择组件、放大器或电压转换组件的各种配置以将特定电压施加到字线205-a中的特定一者。
第一电压V1可表示字线闲置或备用电压。根据时序图700的实例，在一些情形中，所述第一电压可为接地或虚接地电压，且可由与电压源410-a或410-b中的一或多者相同的电压源提供，或可和与电压源410-a或410-b中的一或多者相同的电压供应器或底板接地耦合。所述第一电压可具有与在某些条件下将单元选择组件230-a停用相关联的值。在一些实例中，所述第一电压可具有0 V的值，且可被称为VSS。
第二电压V2可表示单元存取字线电压。根据时序图700的实例，在一些情形中，所述第二电压可为相对大正电压，且可具有足够大以在某些条件下激活单元选择组件230-a(例如，用于读取操作、用于写入操作、用于重写操作、用于刷新操作)的量值。在一些实例中，所述第二电压可经选择以具有相对大量值以便支持相对快速存取操作(例如，与使用较低电压来选择存储器单元105-b以用于读取操作、写入操作、重写操作、刷新操作相比较)。在一些实例中，所述第二电压可具有3.1 V的值，且可被称为VCCP。
第三电压V3可表示单元均衡或耗散字线电压。根据时序图700的实例，在一些情形中，所述第三电压可为相对小正电压，且可具有足够大以在某些条件下激活单元选择组件230-a(例如，用于均衡操作、用于耗散操作)的量值。在一些实例中，所述第三电压可经选择以具有相对小量值以便以相对低的电力消耗来支持均衡或耗散操作或状态(例如，与使用较高电压来进行均衡或耗散操作相比较)。在一些实例中，所述第三电压可具有1.0 V的值，且可被称为VPWL。
在701处，存取操作可包含将感测放大器290-a中的一或多者与均衡电压源解耦。举例来说，在701处，存取操作可包含将切换组件405-c及405-d停用(例如，通过将逻辑信号PREa及PREb停用)，此可选择性地将感测放大器290-a与相应均衡电压源410-a及410-b解耦。因此，在701处，用于感测放大器290-a的相应信号电压Vsig及参考电压Vref可保持处于零伏。
在702处，存取操作可包含提高板线215-a的电压。举例来说，在702处，板组件145-a可将板线215-a与具有相对高电压(例如，板高电压)的电压源耦合。在一些实例中，在702处，板组件145-a可在将板线215-a与具有相对高电压的电压源耦合之前将板线215-a与板低电压源(例如，接地电压源、闲置板线电压源、备用板线电压源)解耦。因此，在702处，板线电压可从在702之前的电压增加。
在一些实例中，702的操作可与将泄漏电荷驱动到非选定存储器单元105-b中或驱动出非选定存储器单元105-b相关联。举例来说，由于板线215-a与数字线210-a-1的电压差(例如，VPL–VDL,1)，因此泄漏电荷可跨越与存储器单元105-b-12到105-b-1n相关联的单元选择组件230-a-12到230-a-1n中的一或多者流动。因此，泄漏电荷可流动到电容器220-a-12到220-a-1n中的一或多者中或从电容器220-a-12到220-a-1n中的一或多者流出，此可更改由非选定存储器单元105-b-12到105-b-1n中的一或多者所存储的电荷状态或逻辑状态。举例来说，与参考图3所描述的电荷状态305-a相比较，702的操作可致使非选定存储器单元(例如，存储器单元105-b-12到105-b-1n中的一或多者)的铁电电容器220-1沿着路径360移动(例如，到电荷状态305-e)，此可表示非选定存储器单元105-b-12到105-b-1n中的一或多者的部分极化损失。
与此些操作相关联的泄漏电荷可由非选定存储器单元105-b(例如，与数字线210-a-1耦合的存储器单元105-b-12到105-b-1n中的任何一或多者)的电压行为所图解说明。举例来说，在不存在电荷泄漏的情况下，与数字线210-a-1耦合的非选定存储器单元105-b-12到105-b-1n的单元底部电压Vbottom,1一般将遵循板线电压VPL。然而，在时序图700的实例中，与存储器单元105-b-1n(例如，存储逻辑1)相关联的单元底部电压Vbottom,1n可不上升为与所施加电压VPL一样高，此归因于从铁电电容器220-a-1n的单元底部穿过单元选择组件230-a-1n到达数字线210-a-1的电荷泄漏。因此，铁电电容器220-a-1n(或其它非选定存储器单元105-b-12到105-b-1n中的任一者的电容器220-a)可经历由ΔVcap,1n所图解说明的电压改变(例如，所积累非零偏置)，所述电压改变可与铁电电容器220-a-1n的电荷状态改变(例如，从电荷状态305-a到电荷状态305-e的转变)相关联。
在一些实例中，泄漏电荷可在702之后继续流动(例如，直到在708之后使板线215-a的电压与数字线210-a-1的电压均衡，直到板线215-a与数字线210-a-1的电压差等于相应存储器单元105-a的铁电电容器220-a的电容器电压Vcap)。铁电电容器220-a-1n的电压改变可贯穿时序图700的操作继续由电压ΔVcap,1n所图解说明。
在703处，操作可包含字线选择操作。举例来说，在703处，行解码器可将与选定存储器单元105-b-11相关联的字线205-a-1(例如，选定字线205-a)从以第一电压(例如，V1，字线闲置或备用电压)来偏置改变成以第二电压(例如，V2，单元存取字线电压)来偏置。换句话说，703的操作可与激活或选择字线205-a-1(其可包含引起或起始施加到字线205-a-1的偏置的转变)相关联。在一些实例中，703的操作可伴随着确定存取存储器单元105-b-11(例如，由存储器控制器170进行的确定)或以其它方式识别存储器单元105-b-11以用于执行存取操作。在一些实例中，703的操作可与选择性地将铁电电容器220-a-11与数字线210-a-1耦合相关联。在一些实例中，703的操作可被称为选择存储器单元105-b-11。
由于字线205-a-1与单元选择组件230-a-11耦合，因此作为703的操作的结果而可激活单元选择组件230-a-11。换句话说，作为703的操作的结果，电容器220-a-11可选择性地与数字线210-a-1耦合。因此，电荷可基于由存储器单元105-b-11所存储的逻辑状态(例如，基于电容器220-a-11的极化状态)而在存储器单元105-b-11与数字线210-a-1之间流动。因此，在时序图700的实例中，当与数字线210-a-1共享电荷时数字线210-a-1的电压(例如，VDL,1)可上升。由于在703处激活切换组件405-a-1(例如，由于激活逻辑信号ISOa)，因此感测放大器290-a-1处的信号电压(例如，Vsig,1)也可上升且可在703之后等于VDL,1。因此，703的操作可为通过致使行组件125-a(例如，行解码器)激活字线205-a-1而对选定存储器单元105-b-11执行存取操作的实例。
在704处，操作可包含将参考电压提供到感测组件150-a。举例来说，在704处，参考组件285-a可将参考线265-a与提供参考电压的电压源耦合。在一些情形中，所述参考电压可经选择为在当读取存储逻辑0的存储器单元105-b时产生的信号电压(例如，当读取逻辑0时的Vsig)与当读取存储逻辑1的存储器单元105-b时产生的信号电压(例如，当读取逻辑1时的Vsig)之间的值(例如，平均值)。在一些实例中，在704处，存取操作可包含参考组件285-a在将参考线265-a与提供参考电压的电压源耦合之前将参考线265-a与接地电压源解耦。因此，在704处，参考线265-a的电压(例如，VRL)可从在704之前的电压(例如，闲置或备用参考线电压)增加。由于在704处激活切换组件405-b-1(例如，由于激活逻辑信号ISOb)，因此感测放大器290-a-1处的参考电压(例如，Vref,1)也可上升且可在704之后等于VRL。在支持自参考读取操作(未展示)的存取方案的其它实例中，可用使用存储器单元105-b-11形成参考信号的一或多个操作替换704处的所图解说明操作。
在705处，操作可包含将感测放大器290-a-1与存储器阵列110-a隔离(例如，解耦)。举例来说，在705处，存取操作可包含将切换组件405-a-1停用(例如，通过将逻辑信号ISOa停用)，此可将感测放大器290-a-1的信号节点291与存储器单元105-b-11隔离。
在706处，操作可包含将感测放大器290-a与参考组件285-a隔离(例如，解耦)。举例来说，在706处，存取操作可包含将切换组件405-b-1停用(例如，通过将逻辑信号ISOb停用)，此可将感测放大器290-a-1的参考节点292与参考组件285-a隔离。
在707处，操作可包含锁存检测由存储器单元105-b-11所存储的逻辑状态的结果。举例来说，在707处，可激活感测放大器290-a(例如，通过激活逻辑信号SE)，此可将感测放大器290-a-1与高感测放大器电压源(例如，处于电压VH的电压源)耦合且可将感测放大器290-a-1与低感测放大器电压源(例如，处于电压VL的电压源)耦合。因此，在时序图700的实例(其中Vsig,1在707处大于Vref,1)中，作为707的操作的结果，Vsig,1可上升到电压VH且Vref,1可下降到电压VL。可将Vsig,1或Vref,1的电压(例如，VH或VL)作为感测组件150-a的输出提供(例如，到列组件135、到输入/输出组件160、到存储器控制器170)。在一些实例中，701到707的操作中的任何一或多者可被称为读取操作。
在708处，操作可包含将感测放大器290-a-1与存储器阵列110-a耦合。举例来说，在708处，操作可包含激活切换组件405-a-1(例如，通过激活逻辑信号ISOa)，此可将感测放大器290-a-1的信号节点291与存储器单元105-b-11耦合。因此，数字线210-a-1的电压(例如，VDL,1)可上升到高感测放大器电压源的电压(例如，VH)，在一些实例中，所述高感测放大器电压源的电压还可为板线高电压源的电压(例如，如在702处被激活)。
在709处，操作可包含降低板线215-a的电压。举例来说，在709处，板组件145-a可将板线215-a与具有相对低电压(例如，板线低电压、接地电压、虚接地电压)的电压源耦合。在一些实例中，在709处，板组件145-a可在将板线215-a与具有相对低电压的电压源耦合之前将板线215-a与具有相对高电压的电压源解耦。因此，在709处，板线电压可从在709之前的电压下降(例如，返回到闲置或备用板线电压)。
在一些实例中，709的操作可被称为重写操作，或以其它方式包含于存储器单元105-b-11的重写操作中。举例来说，在709处，跨越铁电电容器220-a-11施加的电压(例如，Vcap)可等于数字线210-a-1的电压(例如，VDL,1)与板线215-a的电压(例如，VPL)之间的差。在一些实例中，跨越铁电电容器220-a-11施加的电压可对应于参考图3所描述的电压315，电压315可对应于正饱和电压。换句话说，709的操作可与以逻辑1状态对存储器单元105-b-11进行重写(例如，使存储器单元105-b-11返回到在时序图700的操作之前所存储的逻辑状态)相关联。因此，在709的操作之后，可使铁电电容器220-a-11正饱和。在其它实例中，包含重写操作的701到709中的任何一或多者的操作可被称为单个存取操作(例如，“读取+重写”操作)。在一些实例中，709的操作可与读取操作分开地执行，且可替代地被称为“写入”操作。
在一些实例中，709的操作还可与将泄漏电荷驱动到非选定存储器单元105中相关联。举例来说，由于数字线210-a-1与板线215-a的电压差(例如，VDL,1–VPL)，因此泄漏电荷可跨越存储器单元105-b-12到105-b-1n的单元选择组件230-a-12到230-a-1n中的一或多者流动。因此，泄漏电荷可流动到电容器220-a-12到220-a-1n中的一或多者中，此可更改由非选定存储器单元105-b-12到105-b-1n中的一或多者所存储的逻辑状态。
在一些实例中，与709的操作相关联的泄漏电荷可在和与702的操作相关联的泄漏电荷的流动相反的方向上流动。换句话说，与参考图3所描述的电荷状态305-e相比较，709的操作可致使非选定存储器单元(例如，存储器单元105-b-12到105-b-1n中的一或多者)的铁电电容器220-1朝向电荷状态305-f移动。在一些实例中，泄漏电荷或偏置可在709之后继续积累(例如，直到在711之后使板线215-a的电压与数字线210-a-1的电压均衡，直到板线215-a与数字线210-a-1的电压差等于相应存储器单元105-b的电容器电压Vcap)。
在710处，操作可包含将感测组件150-a停用。举例来说，在710处，可将感测放大器290-a停用(例如，通过将逻辑信号SE停用)，此可将感测放大器290-a-1与高感测放大器电压源(例如，处于电压VH的电压源)解耦且可将感测放大器290-a-1与低感测放大器电压源(例如，处于电压VL的电压源)解耦。在时序图700的实例中，作为710的操作的结果，信号节点电压Vsig,1及参考节点电压Vref,1可保持处于其相应值。
在711处，操作可包含使感测放大器290-a的输入节点均衡。举例来说，在711处，操作可包含激活切换组件405-c及405-d(例如，通过激活逻辑信号PREa及PREb)，切换组件405-c及405-d可选择性地将感测放大器290-a与相应均衡电压源410-a及410-b耦合。因此，在711处，可以零伏将感测放大器290-a的信号电压Vsig及参考电压Vref偏置。
在712处，操作可包含将感测放大器290-a与参考组件285-a耦合。举例来说，在712处，操作可包含激活切换组件405-b-1(例如，通过激活逻辑信号ISOb)，此可将感测放大器290-a-1的参考节点292与参考组件285-a耦合。在一些实例中，在712处，参考组件285-a可在将感测放大器290-a与参考组件285-a耦合之前将参考线265-a与接地电压源(例如，具有等于均衡电压源410-a的电压)耦合。在一些实例中，704到712中的一或多者的操作可指发生在第二间隔(例如，第二时间间隔、第二持续时间)中的操作，尽管可根据不同间隔定义描述时序图700的操作。作为在此些操作期间以第三电压将字线205-a-n偏置的结果，字线205-a-n的偏置可被视为在用于执行存取操作的间隔(例如，第二间隔)期间将非选定字线205-a偏置到第三电压的实例。
在713处，操作可包含将选定字线205-a-1停用。举例来说，在713处，行组件125-a可将选定字线205-a-1从以第二电压(例如，V2，单元存取字线电压)来偏置改变成以第一电压(例如，V1，字线闲置或备用电压)来偏置。在一些实例中，713的操作可与选择性地将铁电电容器220-a-11与相应数字线210-a-1解耦相关联。
如由在713之后非选定存储器单元105-b的单元底部电压(例如，Vbottom,1n)所图解说明，可将非选定存储器单元105-a(例如，存储器单元105-b-12到105-b-1n中的一或多者)的单元选择组件230-a停用，但泄漏电荷在与选定存储器单元105-b-11相关联的存取操作期间(例如，在701到713中的任何一或多者的操作期间)可流动穿过相应经停用单元选择组件230-a。在铁电存储器单元105-b的实例中，泄漏电荷或偏置可在非选定存储器单元105-b的铁电电容器220-a处积累，此可更改铁电电容器220-a的极化(例如，如由在713之后的非零值ΔVcap,1n所图解说明)。
举例来说，当非选定存储器单元105-b-1n的铁电电容器220-a-1n处于电荷状态305-a(例如，存储逻辑1)时，与对选定存储器单元105-b-11的存取操作相关联的泄漏电荷或偏置可致使非选定存储器单元105-b-1n的电荷状态遵循参考图3所描述的路径360的至少一部分。在一些实例中，对选定存储器单元105-b-11的第一存取操作(例如，701到719的操作中的一或多者)可致使存储器单元105-b-1n的铁电电容器220-a-1n达到参考图3所描述的电荷状态305-e，电荷状态305-e可对应于电压ΔVcap,1n的电平。
在非选定存储器单元105-b-1n针对选定存储器单元的后续存取操作(例如，在713的操作之后)保持为非选定的情况下，存储器单元105-b-1n的电荷状态可随着泄漏电荷或偏置继续积累而沿着路径360继续，直到达到参考图3所描述的电荷状态305-c，举例来说(例如，积累更大ΔVcap)。电荷状态305-c可图解说明大量极化损失，其可图解说明由此所积累泄漏电荷或偏置在存储器单元105-b-1n处产生的数据损失。然而，可在对选定存储器单元105-b-11的存取操作之后(例如，在701到713中的一或多者的操作之后)执行操作以促进或以其它方式支持泄漏电荷或偏置从非选定存储器单元105-b-1n的耗散，此可减少或消除可以其它方式由泄漏电荷或偏置的积累引起的数据损失。
在714处，操作可包含激活字线205-a-1到205-a-n中的每一者(例如，用于均衡操作、用于耗散操作)。举例来说，在714处，行解码器可将字线205-a中的每一者从以第一电压(例如，V1，字线闲置或备用电压)来偏置改变成以第三电压(例如，V3，单元均衡或耗散字线电压)来偏置。在一些实例中，714的操作可与选择性地将铁电电容器220-a中的每一者与相应数字线210-a(例如，与相对低量值选择电压)耦合相关联。
在一些实例中，可以相同电压(例如，接地电压)将数字线210-a及板线215-a中的每一者偏置。因此，作为714的操作的结果，可使铁电电容器220-a中的每一者均衡(例如，因为由字线闲置或备用电压激活相应单元选择组件230-a)。因此，714的操作可为通过致使行组件125(例如，行解码器)激活字线205-a中的一或多者(例如，耗散任何所积累泄漏电荷或偏置)而对存储器单元105-b-11到105-b-1n中的一或多者执行均衡操作或耗散操作的实例。因此，在714的操作之后，可使铁电电容器220-a中的每一者返回到均衡状态(例如，具有相应电容器电压Vcap＝0V)。在一些实例中，714的操作可指发生在第三间隔(例如，第三时间间隔、第三持续时间)中的操作，尽管可根据不同间隔定义描述时序图700的操作。当在714处以较高电压将非选定字线205-a-n偏置时，714的操作可为在一间隔期间将非选定字线205-a-n调整到比在前一间隔期间的电压高的电压的实例。
在715处，操作可包含使字线205-a-1到205-a-n中的每一者闲置。举例来说，在715处，行解码器可将字线205-a中的每一者从以第三电压(例如，V3，单元均衡或耗散字线电压)来偏置改变成以第一电压(例如，V1，字线闲置或备用电压)来偏置。在一些实例中，715的操作可与选择性地将铁电电容器220-a中的每一者与相应数字线210-a解耦(例如，与相对低量值选择电压)相关联。在一些实例中，714及715的操作可共同称为均衡操作或耗散操作。
如由在715之后的非选定存储器单元105-b的单元底部电压所图解说明，可耗散所积累泄漏电荷或偏置(例如，在非选定存储器单元105-b-1n处)(例如，如由在时序图700结束时的零值ΔVcap,1n所图解说明)。因此，如由时序图700的实例所图解说明，可在对选定存储器单元105的存取操作(例如，操作701到713中的任何一或多者)之后执行操作以促进或以其它方式支持泄漏电荷从非选定存储器单元105的耗散，此可减少或消除可以其它方式由泄漏电荷或偏置的积累引起的数据损失。
虽然图解说明为在不同时间处发生的单独操作，但某些操作可同时或以不同次序发生。在一些实例中，可有利地同时起始各种操作以减少用于感测存储器单元105-b的逻辑状态的时间量。举例来说，在702处提高板线215-a的电压、在703处激活字线205-a-1或在704处将参考电压提供到感测组件150-a中的任何两者或多于两者可以不同相对次序发生，在重叠持续时间期间发生，或同时发生。另外或替代地，在705处将感测放大器290-a-1与存储器阵列110-a隔离及在706处将感测放大器290-a与参考组件285-a隔离可以不同次序发生，在重叠持续时间期间发生，或同时发生。另外或替代地，在708处将感测放大器290-a-1与存储器阵列110-a耦合及在709处降低板线215-a的电压可以不同次序发生，在重叠持续时间期间发生，或同时发生。另外或替代地，在711处使感测放大器290-a的输入节点均衡、在712处将感测放大器290-a与参考组件285-a耦合或在713处将字线205-a-1取消选择中的任何两者或多于两者可以不同相对次序发生，在重叠持续时间期间发生，或同时发生。在一些实例中，可省略713的操作，在所述情形中，选定字线可从第二电压V2直接转变到第三电压V3。
虽然所描述均衡或耗散操作在时序图500、600及700中图解说明为发生在存取操作之后(例如，基于执行至少一个存取操作)，但在一些实例中，所描述均衡操作或耗散操作可以其它间隔发生，以其它方式与其它间隔或条件(例如，触发条件)相关联，及/或基于其它操作或条件。举例来说，字线205可以激活电压来激活，所述激活电压可相同于与存取操作相关联的选择电压(例如，电压VCCP)或可不同于与存取操作相关联的选择电压(例如，VPWL，比与存取操作相关联的选择电压低的电压)。在各种实例中，在一或多个均衡操作或耗散操作期间，可使相关联数字线210或板线215均衡(例如，以接地电压将相关联数字线210或板线215偏置，以虚接地电压将相关联数字线210或板线215偏置)，或可以以其它方式支持所积累电荷(例如，跨越存储器单元105的电容器220与非零电压相关联的电荷)的耗散的另一电压或电压组合将相关联数字线210或板线215偏置。
在一个实例中，可基于定时器(例如，自先前存取操作以来的逝去时间、自先前均衡操作或耗散操作以来的逝去时间、自启用或以其它方式接通存储器装置以来的逝去时间)而触发(例如，重复、与其它存取操作分开地执行)参考时序图700所描述的714及715的操作(例如，选择多个字线205及将多个字线205取消选择)。在一些实例中，执行714及715的操作可耗散从自先前均衡操作或耗散操作以来发生的操作所积累的电荷。此定时器的持续时间可为固定的(例如，预定的、预配置的)，或此定时器的持续时间可为可变的(例如，动态的、基于操作条件而计算的)。
在另一实例中，可至少部分地基于定时器而触发参考时序图500所描述的514及515的操作(例如，使多个字线均衡且选择多个字线以返回到选定闲置状态)。在一些实例中，514与515之间的间隔可用于减少电力消耗(例如，与将选定闲置状态提供到多个字线相关联的电力消耗)。在一些实例中，可基于例如存取速率、电压状态、逻辑状态或其它或某一组合的一或多个操作条件而选择或计算514与515之间的间隔。
在一些实例中，可调度均衡操作或耗散操作从而以若干间隔(例如，周期性的、非周期性)发生，但如果执行存取操作(例如，使用与均衡操作或耗散操作相关联的字线205的一或多个存取操作)，那么可取消或越权控制所述均衡操作或耗散操作。在一些实例中，可基于一或多个存取操作而触发均衡操作或耗散操作，所述一或多个存取操作可包含：确定在写入操作之后执行均衡操作或耗散操作；确定在与特定逻辑状态相关联的读取操作之后执行均衡操作或耗散操作；及确定在与特定逻辑状态相关联的写入操作之后执行均衡操作或耗散操作等等。在一些实例中，可在确定量的存取操作(例如，一定量的特定类型的存取操作、一定量的特定组的存取操作类型)之后触发均衡操作或耗散操作，例如在每隔一个存取操作、每隔两个存取操作等等之后。
在时序图500、600及700中所展示的操作次序仅为了图解说明，且可根据本发明执行各种其它步骤次序及组合。进一步地，时序图500、600及700的操作的定时也仅出于图解说明目的，且不打算指示一个操作与另一操作之间的特定相对持续时间。各种操作可发生在与在根据本发明的用于保护存储器装置中的所存储数据的存取方案的各种实施例中所图解说明的相比较相对较短或相对较长的持续时间或时间间隔内。
时序图500、600及700的逻辑信号的转变图解说明从一个状态到另一状态的转变，且一般反映如与特定经编号操作相关联的经禁用或停用状态(例如，状态“0”)与经启用或激活状态(例如，状态“1”)之间的转变。在一些实例中，状态可与逻辑信号的特定电压(例如，施加到操作为开关的晶体管的栅极的逻辑输入电压)相关联，且从一个状态到另一状态的电压改变可并非即时的。确切地说，在一些实例中，与逻辑信号相关联的电压可随时间从一个逻辑状态到另一逻辑状态而遵循斜升行为或时间恒定(例如，对数或指数)行为。
在一些实例中，组件从一个状态到另一状态的转变可基于相关联逻辑信号的特性，包含逻辑信号的电压电平或逻辑信号自身的转变特性。因此，在时序图500、600及700中所展示的转变未必指示即时转变。进一步地，可在经编号操作之前的各种时间期间已达到与所述经编号操作处的转变相关联的逻辑信号的初始状态同时仍支持所描述转变及相关联操作。虽然逻辑信号被展示为逻辑状态之间的转变，但逻辑信号的电压可经选择以在特定工作点处(例如，在作用区域中或在饱和区域中)操作组件，且可相同于或不同于其它逻辑信号的电压。
在一些实例中，可针对特定操作特性而选择由时序图500、600及700所图解说明的操作。举例来说，通过采用负取消选择电压(例如，作为由行组件125施加到特定字线的四个电压中的一者)，可选择时序图500的操作以用于在对选定存储器单元105的存取操作期间最小化非选定存储器单元105上的泄漏电流或偏置。在一些实例中，采用较少电压源可为有益的，因此可选择时序图600或700的操作以采用较少电压源(例如，三个电压源，与时序图500的四个电压源相比较)。在一些实例中，可选择时序图700的操作以避免施加当选择特定字线时施加的单独取消选择电压，或采用接地或0 V闲置电压，或对一组字线205的全部(例如，所有字线205-a-1到205-a-n，如由时序图700所图解说明)同样地执行均衡操作或耗散操作。在一些实例中，可选择时序图600的操作使得单元选择组件230-a在闲置状态期间保持激活，使得存储器单元105可在存取操作之间保持均衡。另外或替代地，可选择时序图600的操作以减少存取操作持续时间(例如，增加存取操作速度)，此归因于时序图600的相对较少操作(与时序图500或700的操作数目相比较)。
在一些实例中，行组件125-a可经特殊配置以支持时序图500、600或700中的一者的操作。举例来说，行组件125-a可经设计使得将正选择电压施加到字线205-a中的选定一者明确地伴随着将负取消选择电压施加到非选定字线205-a中的每一者(例如，其中在施加选择或取消选择电压之前施加或不施加介入接地电压)，此可支持时序图500的操作的实例。此行组件125-a可配置有如参考图5所描述的四个电压源。在另一实例中，行组件125-a可经设计使得将正选择电压施加到字线205-a中的选定一者明确地伴随着将接地或0 V取消选择电压施加到非选定字线205-a中的每一者，此可支持时序图600的操作的实例。此行组件125-a可配置有如参考图6所描述的三个电压源。在另一实例中，行组件125-a可经设计以用于将正选择电压施加到字线205-a中的单个选定者，而不将取消选择电压施加到非选定字线205-a中的每一者。确切来说，此行组件可单独将选择或其它激活电压施加到字线205-a-1到205-a-n中的每一者以对字线中的每一者执行均衡操作或耗散操作，此可支持时序图700的操作的实例。此行组件125-a可配置有如参考图7所描述的三个电压源。
在其它实例中，行组件125-a可经配置以支持时序图500、600或700中的多于一者的操作。可通过取决于特定存取操作的所要操作特性而选择与时序图500、600或700中的一者对应的特定操作模式(例如，用于对选定存储器单元的第一存取操作)来操作此行组件125-a。在不同时间(例如，用于对选定存储器单元的第二存取操作)处，可通过选择与时序图500、600或700中的不同者对应的不同操作模式而操作此行组件。
图8图解说明根据本发明的实例的电路800，电路800包含支持保护存储器装置中的所存储数据的行组件125-b的实例。在一些实例中，电路800可包含于存储器装置(例如参考图1所描述的存储器装置100)中。在一些实例中，电路800可为另一电路(例如参考图4所描述的电路400)的组件。
行组件125-b可接收用于各种存取操作的控制信号，所述控制信号可包含一或多个地址信号(例如，“Addx”信号)或行控制信号(例如，“RContx”信号)。在一些实例中，行组件125-b可从存储器控制器170接收控制信号。行组件125-b可与存储器阵列110-b通信，存储器阵列110-b可为本文中所描述的存储器阵列110的实例。在电路800的实例中，行组件125-b可经由n个字线205-b中的一或多者(例如，字线205-b-1到205-b-n中的一或多者)与存储器阵列110-b通信。
在电路800的实例中，行组件125-b可包含地址缓冲器810、行解码器820、行控制器830、电压产生器840及电压多路复用器(MUX)850。行组件125-b的所描述组件中的每一者可与在行组件125-b的说明性边界内的组件或与在行组件125-b的说明性边界外部的组件(包含组件之间的所图解说明连接)进行通信(例如，电子通信)。然而，根据本发明，其它配置也是可能的。
地址缓冲器810可从存储器装置的另一组件(例如，存储器控制器170)接收控制信号(例如，“Addx”信号)，或从行组件125-b的另一组件(例如，行控制器830)接收信号。行解码器820可与存储器阵列110-b通信(例如，与存储器阵列110-b的一组存储器单元105的单元选择组件230耦合)以用于与存储器阵列110-b交换各种信号(例如，经由字线205-b-1到205-b-n中的一或多者)。举例来说，行解码器820可支持选择字线205-b、激活字线205-b、将字线205-b取消选择、将字线205-b停用、使字线205-b均衡、执行均衡操作、执行耗散操作或其它操作(例如，如参考时序图500、600及700所描述)的各种实例。在一些实例中，行解码器820可从地址缓冲器810、行控制器830、电压多路复用器850或其各种组合接收信号(例如，逻辑信号、电压、电流、电荷)，以支持或控制此些操作。
在一些实例中，行控制器830可经配置以支持待施加到字线205-b-1到205-b-n中的一或多者的某些电压的选择(例如，经由行解码器820)。举例来说，行控制器830可与电压多路复用器850通信，此可支持用于将字线205-b中的一或多者偏置的一组电压源中的一者的选择。电压多路复用器850可基于所接收到的控制信号(例如，从行控制器接收的“Sel<2:0>”)而从一组电压进行选择。电压多路复用器850可将选定电压(例如，VWL,MUX)提供到行解码器820，且行解码器可将所述选定电压施加到字线205-b-1到205-b-n中的一或多者。
在一些实例中，电压多路复用器850可与电压产生器840通信，电压产生器840可表示给电压多路复用器850提供一或多个电压源(例如，正字线电压VPWL、负字线电压VNWL或其它)的电压供应器。在一些实例中，电压多路复用器850还可与接地电压源(例如，VSS)通信，所述接地电压源可为电压产生器840的一部分、行组件125-b的另一组件的一部分或从如图解说明的行组件125-b外部提供。虽然在行组件125-b的说明性边界内经展示，但在其它实例中，电压多路复用器850、电压产生器840或两者可被视为在行组件125-b的说明性边界外部(例如，可被视为存储器装置的另一组件的一部分或存储器装置的另一电路的一部分。)
因此，行组件125-b可为用于执行用于保护存储器装置中的所存储数据的所描述操作中的一或多者(例如，参考时序图500、600或700所描述的操作中的一或多者)的构件的实例。在一些实例中，行组件125-b可经特殊配置以支持时序图500、600或700中的一者的操作。在其它实例中，行组件125-b可经配置以支持时序图500、600或700中的多于一者的操作，且可通过取决于特定存取操作的所要操作特性而选择(例如，由存储器控制器170)与时序图500、600或700中的一者对应的特定操作模式(例如，用于对选定存储器单元的第一存取操作)来操作行组件125-b。在不同时间(例如，用于对选定存储器单元的第二存取操作)处，可通过选择与时序图500、600或700中的不同者对应的不同操作模式而操作行组件125-b。
图9图解说明根据本发明的实例的电路900，电路900包含支持保护存储器装置中的所存储数据的行组件125-c的实例。在一些实例中，电路900可包含于存储器装置(例如参考图1所描述的存储器装置100)中。在一些实例中，电路900可为另一电路(例如参考图4所描述的电路400)的组件。
行组件125-c可接收用于各种存取操作的控制信号，所述控制信号可包含一或多个地址信号(例如，“Addx”信号)或行控制信号(例如，“RContx”信号)。在一些实例中，行组件125-c可从存储器控制器170接收控制信号。行组件125-c可与存储器阵列110-c通信，存储器阵列110-c可为本文中所描述的存储器阵列110的实例。在电路900的实例中，行组件125-c可经由n个字线205-c中的一或多者(例如，字线205-c-1到205-c-n中的一或多者)与存储器阵列110-c通信。
在电路900的实例中，行组件125-c可包含地址缓冲器810-a、行解码器820-a、行控制器830-a、电压产生器840-a及电压多路复用器(MUX)850-a。行组件125-c的所描述组件中的每一者可与在行组件125-c的说明性边界内的组件或与在行组件125-c的说明性边界外部的组件(包含组件之间的所图解说明连接)进行通信(例如，电子通信)。然而，根据本发明，其它配置也是可能的。
地址缓冲器810-a可从存储器装置的另一组件(例如，存储器控制器170)接收控制信号(例如，“Addx”信号)，或从行组件125-c的另一组件(例如，行控制器830-a)接收信号。行解码器820-a可与存储器阵列110-c通信(例如，与存储器阵列110-c的一组存储器单元105的单元选择组件230耦合)以用于与存储器阵列110-c交换各种信号(例如，经由字线205-c-1到205-c-n中的一或多者)。举例来说，行解码器820-a可支持选择字线205-c、激活字线205-c、将字线205-c取消选择、将字线205-c停用、使字线205-c均衡、执行均衡操作、执行耗散操作或其它操作(例如，如参考时序图500、600及700所描述)的各种实例。在一些实例中，行解码器820-a可从地址缓冲器810-a、行控制器830-a、电压多路复用器850-a或其各种组合接收信号(例如，逻辑信号、电压、电流、电荷)，以支持或控制此类操作。
在行组件125-c的实例中，行解码器820-a可包含与一组晶体管920-a(例如，n型晶体管)耦合的解码器与上拉驱动器910。解码器与上拉驱动器910可与晶体管920-a中的每一者的栅极或控制节点耦合。晶体管920-a中的每一者的源极或供应节点可与电压多路复用器850-a的输出耦合(例如，向源极或供应节点施加选定电压VWL,MUX或以选定电压VWL,MUX将源极或供应节点偏置)。晶体管920-a中的每一者的漏极或输出节点可与字线205-c-1到205-c-n中的若干相应者耦合(例如，和解码器与上拉驱动器910及存储器阵列110-c耦合)。虽然图解说明为包含晶体管920-a，但在其它实例中，行解码器820-a可替代晶体管920-a而采用其它类型的切换或选择组件。
在一些实例中，解码器与上拉驱动器910可经配置以选择性地将电压多路复用器850-a或其它电压供应器的输出与字线205-c-1到205-c-n中的一或多者耦合或解耦(例如，通过激活逻辑信号PD1到PDn中的一或多者或将逻辑信号PD1到PDn中的一或多者停用)。在一些实例中，解码器与上拉驱动器910可支持将闲置或备用电压(例如，如参考时序图500或600所描述的VPWL、如参考时序图700所描述的VSS)施加到字线205-c中的一或多者，且行组件125-c可被称为“字线高备用控制器”。在一些实例中，解码器与上拉驱动器910可支持将单元取消选择电压(例如，如参考时序图500所描述的VNWL、如参考时序图600或700所描述的VSS)施加到字线205-c中的一或多者。在一些实例中，解码器与上拉驱动器910可支持将单元选择电压(例如，如参考时序图500、600或700所描述的VCCP)施加到字线205-c中的一或多者。
在一些实例中，解码器与上拉驱动器910可将偏置直接提供到字线205-c-1到205-c-n中的一或多者，在一些实例中，此可对应于解码器与上拉驱动器910将单元选择偏置或电压施加到字线205-c中的选定的一或多者(例如，以存取选定存储器单元105)。在一些实例中，单元选择电压(例如，如参考时序图500、600或700所描述的VCCP)可由与电压产生器840-a分开的电压源提供(例如，经由泵电路，未展示)。在一些实例中，当选择或激活字线205-c中的一者时，可将对应PD信号停用(例如，当选择或激活字线205-c-1时，可将逻辑信号PD1停用)。在一些实例中，当将字线205-c中的一者取消选择或停用时，可激活对应PD信号(例如，当将字线205-c-n取消选择或停用时，可激活逻辑信号PDn)。
在一些实例中，行控制器830-a可经配置以支持待施加到字线205-c-1到205-c-n中的一或多者的某些电压的选择(例如，经由行解码器820-a)。举例来说，行控制器830-a可和解码器与上拉驱动器910及电压多路复用器850-a通信，此可支持用于将字线205-c中的一或多者偏置的一组电压源中的一者的选择。电压多路复用器850-a可基于所接收到的控制信号(例如，从行控制器接收的“Sel<2:0>”)而从一组电压进行选择。电压多路复用器850-a可将选定电压(例如，VWL,MUX)提供到行解码器820-a，且行解码器可将选定电压施加到字线205-c-1到205-c-n中的一或多者。
在一些实例中，电压多路复用器850-a可与电压产生器840-a通信，电压产生器840-a可表示给电压多路复用器850-a提供一或多个电压源(例如，正字线电压VPWL、负字线电压VNWL或其它)的电压供应器。在一些实例中，电压多路复用器850-a还可与接地电压源(例如，VSS)通信，所述接地电压源可为电压产生器840-a的一部分、行组件125-c的另一组件的一部分或从如所图解说明的行组件125-c外部提供。虽然在行组件125-c的说明性边界内经展示，但在其它实例中，电压多路复用器850-a、电压产生器840-a或两者可被视为在行组件125-c的说明性边界外部(例如，可被视为存储器装置的另一组件的一部分或存储器装置的另一电路的一部分。)
因此，行组件125-c可为用于执行用于保护存储器装置中的所存储数据的所描述操作中的一或多者(例如，参考时序图500、600或700所描述的操作中的一或多者)的构件的实例。在一些实例中，行组件125-c可经特殊配置以支持时序图500、600或700中的一者的操作。在其它实例中，行组件125-c可经配置以支持时序图500、600或700中的多于一者的操作，且可通过取决于特定存取操作的所要操作特性而选择(例如，由存储器控制器170)与时序图500、600或700中的一者对应的特定操作模式(例如，用于对选定存储器单元的第一存取操作)来操作行组件125-c。在不同时间(例如，用于对选定存储器单元的第二存取操作)处，行组件125-c可通过选择与时序图500、600或700中的不同者对应的不同操作模式来操作。
图10图解说明根据本发明的实例的电路1000，电路1000包含支持保护存储器装置中的所存储数据的行组件125-d的实例。在一些实例中，电路1000可包含于存储器装置(例如参考图1所描述的存储器装置100)中。在一些实例中，电路1000可为另一电路(例如参考图4所描述的电路400)的组件。
行组件125-d可接收用于各种存取操作的控制信号，所述控制信号可包含一或多个地址信号或行控制信号。在一些实例中，行组件125-d可从存储器控制器170接收控制信号。行组件125-d可与存储器阵列110-d通信，存储器阵列110-d可为本文中所描述的存储器阵列110的实例。在电路1000的实例中，行组件125-d可经由n个字线205-d中的一或多者(例如，字线205-d-1到205-d-n中的一或多者)与存储器阵列110-d通信。
在电路1000的实例中，行组件125-d可包含行解码器820-b、行控制器830-b、电压产生器840-b及电压多路复用器850-b。行组件125-d的所描述组件中的每一者可与在行组件125-d的说明性边界内的组件或与在行组件125-d的说明性边界外部的组件(包含组件之间的所图解说明连接)进行通信(例如，电子通信)。然而，根据本发明，其它配置也是可能的。
行解码器820-b可与存储器阵列110-d通信(例如，与存储器阵列110-d的一组存储器单元105的单元选择组件230耦合)以用于与存储器阵列110-d交换各种信号(例如，经由字线205-d-1到205-d-n中的一或多者)。举例来说，行解码器820-b可支持选择字线205-d、激活字线205-d、将字线205-d取消选择、将字线205-d停用、使字线205-d均衡、执行均衡操作、执行耗散操作或其它操作(例如，如参考时序图500、600及700所描述)的各种实例。在一些实例中，行解码器820-b可从地址缓冲器810(未展示)、行控制器830-b、电压多路复用器850-b、泵电路1040或其各种组合接收信号(例如，逻辑信号、电压、电流、电荷)，以支持或控制此些操作。
在行组件125-d的实例中，行解码器820-b可包含与一组晶体管1020-a(例如，p型晶体管)及一组晶体管1030-a(例如，n型晶体管)耦合的前置行解码器1010。前置行解码器1010可与晶体管1020-a中的每一者的栅极或控制节点耦合。晶体管1020-a中的每一者的源极或供应节点可与泵电路1040(例如，单元选择电压源、提供如参考时序图500、600或700所描述的电压VCCP的电压源)的输出耦合。晶体管1020-a中的每一者的漏极或输出节点可与字线205-d-1到205-d-n中的若干相应者耦合(例如，与存储器阵列110-d耦合)。前置行解码器1010还可与晶体管1030-a中的每一者的栅极或控制节点耦合。晶体管1030-a中的每一者的源极或供应节点可与电压多路复用器850-b的输出耦合(例如，向源极或供应节点施加选定电压VWL,MUX或以选定电压VWL,MUX将源极或供应节点偏置)。晶体管1030-a中的每一者的漏极或输出节点可与字线205-d-1到205-d-n中的若干相应者耦合(例如，与存储器阵列110-d耦合)。虽然图解说明为包含晶体管1020-a及1030-a，但在其它实例中，行解码器820-b可替代晶体管1020-a或1030-a而采用其它类型的切换或选择组件。
在一些实例中，前置行解码器1010可经配置以将泵电路1040或电压多路复用器850-b的输出与字线205-d-1到205-d-n中的一或多者选择性地耦合或解耦(例如，通过激活逻辑信号WLF1到WLFn中的一或多者或将逻辑信号WLF1到WLFn中的一或多者停用，以用于选择存储器阵列110-d的存储器单元105)。在一些实例中，前置行解码器1010可支持将闲置或备用电压(例如，如参考时序图500或600所描述的VPWL、如参考时序图700所描述的VSS)施加到字线205-d。在一些实例中，前置行解码器1010可支持将单元取消选择电压(例如，如参考时序图500所描述的VNWL、如参考时序图600或700所描述的VSS)施加到字线205-d。在一些实例中，前置行解码器可支持将单元选择偏置或电压施加到字线205-d中的选定的一或者(例如，以存取选定存储器单元105)，所述单元选择偏置或电压可由泵电路1040提供。
在一些实例中，当选择或激活字线205-d中的一者(例如，通过以负选择电压提供逻辑信号WLF1到WLFn中的一者)时，可激活晶体管1020-a中的对应一者。换句话说，当将负选择电压或逻辑信号施加到晶体管1020-a中的一者的控制节点时，对应字线205-d可与泵电路1040选择性地耦合(例如，当以负选择电压提供WLF1时，可给字线205-d-1提供电压VCCP)。
在一些实例中，当将字线205-d中的一者取消选择或停用(例如，通过以正选择电压提供逻辑信号WLF1到WLFn中的一者)时，可激活晶体管1030-a中的对应一者。换句话说，当将正选择电压或逻辑信号施加到晶体管1030-a中的一者的控制节点时，对应字线205-d可与电压多路复用器850-b的输出选择性地耦合(例如，当以负选择电压提供WLFn时，可给字线205-d-n提供电压VWL,MUX)。换句话说，在一些实例中，晶体管1020-a及对应晶体管1030-a可共同操作以执行选择组件的操作(例如，用于选择性地将字线205-d与泵电路1040或电压多路复用器850-b耦合)。在一些实例中，可以经取消选择或经停用状态(例如，通过施加正逻辑信号WLF)或经选择或经激活状态(例如，通过施加负逻辑信号WLF)操作字线205-d。在其它实例中，前置行解码器1010可支持其中使逻辑信号WLF均衡(例如，接地，既非正亦非负)的中间状态。
在一些实例中，行控制器830-b可经配置以支持待施加到字线205-d-1到205-d-n中的一或多者的某些电压的选择(例如，经由行解码器820-b)。举例来说，行控制器830-b可与电压多路复用器850-b通信，此可支持用于将字线205-d中的一或多者偏置的一组电压源中的一者的选择。电压多路复用器850-b可基于所接收到的控制信号(例如，如从行控制器830-b接收的“Sel<0>”、“Sel<1>”或“Sel<2>”)而从一组电压进行选择。所述控制信号可施加到一组晶体管1050中的一者的栅极或控制节点，晶体管1050可选择性地将电压多路复用器850-b的输出与一组电压源中的一者(例如，VPWL、VNWL或VSS)耦合。因此，电压多路复用器850-b可将选定电压(例如，VWL,MUX)提供到行解码器820-b，且行解码器可将选定电压施加到字线205-d-1到205-d-n中的一或多者。虽然图解说明为包含晶体管1050，但在其它实例中，电压多路复用器850-b可替代晶体管1050而采用其它类型的切换或选择组件。
在一些实例中，电压多路复用器850-b可与电压产生器840-b通信，电压产生器840-b可表示给电压多路复用器850-b提供一或多个电压源(例如，正字线电压VPWL、负字线电压VNWL或其它)的电压供应器。在一些实例中，电压多路复用器850-b还可与接地电压源(例如，VSS)通信，所述接地电压源可为电压产生器840-b的一部分、行组件125-d的另一组件的一部分或从如图解说明的行组件125-d外部提供。虽然在行组件125-d的说明性边界内经展示，但在其它实例中，电压多路复用器850-b、电压产生器840-b或两者可被视为在行组件125-d的说明性边界外部(例如，可被视为存储器装置的另一组件的一部分或存储器装置的另一电路的一部分。)
因此，行组件125-d可为用于执行用于保护存储器装置中的所存储数据的所描述操作中的一或多者(例如，参考时序图500、600或700所描述的操作中的一或多者)的构件的实例。在一些实例中，行组件125-d可经特殊配置以支持时序图500、600或700中的一者的操作。在其它实例中，行组件125-d可经配置以支持时序图500、600或700中的多于一者的操作，且可通过取决于特定存取操作的所要操作特性而选择(例如，由存储器控制器)与时序图500、600或700中的一者对应的特定操作模式(例如，用于对选定存储器单元的第一存取操作)来操作行组件125-d。在不同时间(例如，用于对选定存储器单元的第二存取操作)处，可通过选择与时序图500、600或700中的不同者对应的不同操作模式而操作行组件125-d。
图11图解说明根据本发明的实例的电路1100，电路1100包含支持保护存储器装置中的所存储数据的行组件125-e的实例。在一些实例中，电路1100可包含于存储器装置(例如参考图1所描述的存储器装置100)中。在一些实例中，电路1100可为另一电路(例如参考图4所描述的电路400)的组件。
行组件125-e可接收用于各种存取操作的控制信号，所述控制信号可包含一或多个地址信号或行控制信号。在一些实例中，行组件125-e可从存储器控制器170接收控制信号。行组件125-e可与存储器阵列110-e通信，存储器阵列110-e可为本文中所描述的存储器阵列110的实例。在电路1100的实例中，行组件125-e可经由n个字线205-e中的一或多者(例如，字线205-e-1到205-e-n中的一或多者)与存储器阵列110-e通信。
在电路1100的实例中，行组件125-e可包含行解码器820-c、行控制器830-c、电压产生器840-c及电压多路复用器850-c。行组件125-e的所描述组件中的每一者可与在行组件125-e的说明性边界内的组件或与在行组件125-e的说明性边界外部的组件(包含组件之间的所图解说明连接)进行通信(例如，电子通信)。然而，根据本发明，其它配置也是可能的。
行解码器820-c可与存储器阵列110-e通信(例如，与存储器阵列110-e的一组存储器单元105的单元选择组件230耦合)以用于与存储器阵列110-e交换各种信号(例如，经由字线205-e-1到205-e-n中的一或多者)。举例来说，行解码器820-c可支持选择字线205-e、激活字线205-e、将字线205-e取消选择、将字线205-e停用、使字线205-e均衡、执行均衡操作、执行耗散操作或其它操作(例如，如参考时序图500、600及700所描述)的各种实例。在一些实例中，行解码器820-c可从地址缓冲器810(未展示)、行控制器830-c、电压多路复用器850-c、泵电路(未展示)或其各种组合接收信号(例如，逻辑信号、电压、电流、电荷)，以支持或控制此些操作。
在行组件125-e的实例中，行解码器820-c可包含与一组晶体管1120-a(例如，p型晶体管)及一组晶体管1130-a(例如，n型晶体管)耦合的主解码器1110。主解码器1110可与晶体管1120-a中的每一者的栅极或控制节点耦合。晶体管1120-a中的每一者的源极或供应节点可与子解码器1115(其在一些情形中可提供单元选择电压源(例如，经由信号FXT1或FXT2))的输出(例如提供如参考时序图500、600或700所描述的电压VCCP的信号)耦合。晶体管1120-a中的每一者的漏极或输出节点可与字线205-e-1到205-e-n中的若干相应者耦合(例如，与存储器阵列110-e耦合)。主解码器1110还可与晶体管1130-a中的每一者的栅极或控制节点耦合。晶体管1130-a中的每一者的源极或供应节点可与电压多路复用器850-c的输出耦合(例如，向源极或供应节点施加选定电压VWL,MUX或以选定电压VWL,MUX将源极或供应节点偏置)。晶体管1130-a中的每一者的漏极或输出节点可与字线205-e-1到205-e-n中的若干相应者耦合(例如，与存储器阵列110-e耦合)。换句话说，在一些实例中，晶体管1120-a及对应晶体管1130-a可共同操作以执行选择组件的操作(例如，以用于选择性地将字线205-e与提供电压VCCP的电压源或电压多路复用器850-c耦合)。
在行组件125-e的实例中，行解码器820-c还可包含与晶体管1120-a(例如，p型晶体管)组及晶体管1130-b(例如，n型晶体管)组耦合的子解码器1115。子解码器1115可与晶体管1120-a中的每一者的源极或供应节点耦合。在电路1100的实例中，子解码器1115可经由第一连接(例如，如提供信号FXT1)与晶体管1120-a组的第一子组(例如，奇数晶体管1120-a，包含晶体管1120-a-1、晶体管1120-a-3等等)的源极或供应节点耦合。在电路1100的实例中，子解码器1115可经由第二连接(例如，如提供信号FXT2)与晶体管1120-a组的第二子组(例如，偶数晶体管1120-a，包含晶体管1120-a-2、晶体管1120-a-4等等)的源极或供应节点耦合。在其它实例中，晶体管1120-a的子组的不同布置(包含具有多于两个子组的布置)可由子解码器1115支持。主解码器1110与子解码器1115的组合可被称为层状字驱动器配置。
子解码器1115还可与晶体管1130-b中的每一者的栅极或控制节点耦合。在电路1100的实例中，子解码器1115可经由第三连接(例如，如提供信号FXF1)与晶体管1130-b组的第一子组(例如，奇数晶体管1130-b，包含晶体管1130-b-1、晶体管1130-b-2等等)的栅极或控制节点耦合。在电路1100的实例中，子解码器1115可经由第四连接(例如，如提供信号FXF2)与晶体管1130-b组的第二子组(例如，偶数晶体管1130-b，包含晶体管1130-b-2、晶体管1130-b-4等等)的控制节点的栅极耦合。在其它实例中，晶体管1130-b的子组的不同布置(包含具有多于两个子组的布置)可由子解码器1115支持。
晶体管1130-b中的每一者的源极或供应节点可与电压多路复用器850-c的输出耦合(例如，给源极或供应节点施加选定电压VWL,MUX或将源极或供应节点偏置到选定电压VWL,MUX)。晶体管1130-b中的每一者的漏极或输出节点可与字线205-e-1到205-e-n中的若干相应者耦合(例如，与存储器阵列110-e耦合)。虽然图解说明为包含晶体管1120-a、1130-a及1130-b，但在其它实例中，行解码器820-c可替代晶体管1120-a、1130-a或1130-b而采用其它类型的切换或选择组件。
在一些实例中，主解码器1110或子解码器1115可经配置以选择性地将泵电路或电压多路复用器850-c的输出(例如，VCCP)与字线205-e-1到205-e-n中的一或多者耦合或解耦(例如，通过激活逻辑信号MWF1到MWFn或者信号FXF1、FXF2、FXT1或FXT2中的一或多者或将所述信号中的一或多者停用)。在一些实例中，主解码器1110或子解码器1115可支持将闲置或备用电压(例如，如参考时序图500或600所描述的VPWL、如参考时序图700所描述的VSS)施加到字线205-e。在一些实例中，主解码器1110或子解码器可支持将单元取消选择电压(例如，如参考时序图500所描述的VNWL、如参考时序图600或700所描述的VSS)施加到字线205-e。在一些实例中，主解码器1110或子解码器1115可支持将单元选择偏置或电压施加到字线205-e中的选定的一或多者(例如，以存取选定存储器单元105)，所述单元选择偏置或电压可由泵电路1040提供。在一些实例中，主解码器1110或子解码器1115可支持将单元选择电压(例如，如参考时序图500、600或700所描述的VCCP)施加到字线205-c中的一或多者。
在一些实例中，当选择或激活字线205-e中的一者(例如，通过以负选择电压提供逻辑信号MWF1到MWFn中的一者，通过以单元选择电压提供信号FXT中的一者)时，可激活晶体管1120-a中的对应一者。换句话说，当负选择电压或逻辑信号施加到晶体管1120-a中的一者的栅极或控制节点时，对应字线205-e可与信号FXT1或FXT2选择性地耦合(例如，取决于晶体管1120-a是奇数晶体管1120-a还是偶数晶体管1120-a)。因此，字线205-e中的特定一者的选择还可取决于以单元选择电压(例如，VCCP)提供信号FXT1还是以单元选择电压(例如，VCCP)提供信号FXT2。因此，在电路1100的实例中，字线205-e的选择可取决于来自主解码器1110的信号(例如，以负激活电压激活MWF1到MWFn中的一者)及来自子解码器1115的信号(例如，FXT1还是FXT2与泵电路耦合，以单元选择电压提供FXT1还是FXT2)两者。
在一些实例中，当FXT信号中的一者经激活(例如，与泵电路耦合)时，可将对应FXF信号停用。换句话说，如果激活信号FXT1，那么可将FXF1停用。在一些实例中，FXT信号及对应FXF信号(例如，FXT1及FXF1)的电势可具有相反极性。因此，当晶体管1120-a的源极或供应节点与单元选择电压耦合时，晶体管1130-b的若干对应者的栅极或控制节点可与取消选择电压耦合。换句话说，可经由晶体管1120-a与单元选择电压选择性地耦合的那些字线205-e也可经由晶体管1130-b选择性地与电压多路复用器850-c解耦。因此，可采用子解码器1115来选择字线205-e或存储器阵列110-e的存储器单元105的特定层或子组。虽然子解码器1115分裂成两个子组(例如，FXF1与FXT1、FXF2与FXT2)，但子解码器1115可支持包含多于两个子组的任一数目个子组。
在一些实例中，当将字线205-e中的一者取消选择或停用(例如，通过以正选择电压提供逻辑信号MWF1到MWFn中的一者)时，可激活晶体管1130-a中的对应一者。换句话说，当正选择电压或逻辑信号施加到晶体管1130-a中的一者的控制节点时，对应字线205-e可与电压多路复用器850-b的输出选择性地耦合(例如，当以负选择电压提供WLFn时，可给字线205-e-n提供电压VWL,MUX)。另外或替代地，在电路1100的实例中，还可在给对应晶体管1130-b的栅极或控制节点提供激活信号(例如，正电压信号FXF1或FXF2)时将字线205-e中的一者取消选择或停用。
在一些实例中，可在经取消选择或经停用状态中(例如，通过施加正逻辑信号MWF)或在经选择或经激活状态中(例如，通过施加负逻辑信号MWF)操作字线205-e。在其它实例中，主解码器1110可支持其中使逻辑信号MWF均衡(例如，接地，既非正亦非负)的中间状态。
在一些实例中，行控制器830-c可经配置以支持待施加到字线205-e-1到205-e-n中的一或多者的某些电压的选择(例如，经由行解码器820-c)。举例来说，行控制器830-c可与电压多路复用器850-c通信，此可支持用于将字线205-e中的一或多者偏置的一组电压源中的一者的选择。电压多路复用器850-c可基于所接收到的控制信号(例如，如从行控制器830-c接收的“Sel<0>”、“Sel<1>”或“Sel<2>”)而从一组电压进行选择。所述控制信号可施加到一组晶体管1140中的一者的栅极或控制节点，晶体管1140可选择性地将电压多路复用器850-c的输出与一组电压源中的一者(例如，VPWL、VNWL或VSS)耦合。因此，电压多路复用器850-c可将选定电压(例如，VWL,MUX)提供到行解码器820-c，且行解码器可将选定电压施加到字线205-e-1到205-e-n中的一或多者。虽然图解说明为包含晶体管1140，但在其它实例中，电压多路复用器850-c可替代晶体管1140而采用其它类型的切换或选择组件。
在一些实例中，电压多路复用器850-c可与电压产生器840-c通信，电压产生器840-c可表示给电压多路复用器850-c提供一或多个电压源(例如，正字线电压VPWL、负字线电压VNWL或其它)的电压供应器。在一些实例中，电压多路复用器850-c还可与接地电压源(例如，VSS)通信，所述接地电压源可为电压产生器840-c的一部分、行组件125-e的另一组件的一部分或从如图解说明的行组件125-e外部提供。虽然在行组件125-e的说明性边界内经展示，但在其它实例中，电压多路复用器850-c、电压产生器840-c或两者可被视为在行组件125-e的说明性边界外部(例如，可被视为存储器装置的另一组件的一部分或存储器装置的另一电路的一部分。)
因此，行组件125-e可为用于执行用于保护存储器装置中的所存储数据的所描述操作中的一或多者(例如，参考时序图500、600或700所描述的操作中的一或多者)的构件的实例。在一些实例中，行组件125-e可经特殊配置以支持时序图500、600或700中的一者的操作。在其它实例中，行组件125-e可经配置以支持时序图500、600或700中的多于一者的操作，且可通过取决于特定存取操作的所要操作特性而选择(例如，由存储器控制器170)与时序图500、600或700中的一者对应的特定操作模式(例如，用于对选定存储器单元的第一存取操作)来操作行组件125-e。在不同时间(例如，用于对选定存储器单元的第二存取操作)处，可通过选择与时序图500、600或700中的不同者对应的不同操作模式来操作行组件125-e。
图12图解说明根据本发明的实例的电路1200，电路1200包含支持保护存储器装置中的所存储数据的行组件125-f的实例。在一些实例中，电路1200可包含于存储器装置(例如参考图1所描述的存储器装置100)中。在一些实例中，电路1200可为另一电路(例如参考图4所描述的电路400)的组件。
行组件125-f可接收用于各种存取操作的控制信号，所述控制信号可包含一或多个地址信号或行控制信号。在一些实例中，行组件125-f可从存储器控制器170接收控制信号。行组件125-f可与存储器阵列110-f通信，存储器阵列110-f可为本文中所描述的存储器阵列110的实例。在电路1200的实例中，行组件125-f可经由n个字线205-f中的一或多者(例如，字线205-f-1到205-f-n中的一或多者)与存储器阵列110-f通信。
在电路1200的实例中，行组件125-f可包含行解码器820-d、行控制器830-d、电压产生器840-d及泵电路1040-b。行组件125-f的所描述组件中的每一者可与在行组件125-f的说明性边界内的组件或与在行组件125-f的说明性边界外部的组件(包含组件之间的所图解说明连接)进行通信(例如，电子通信)。然而，根据本发明，其它配置也是可能的。
行解码器820-d可与存储器阵列110-f通信(例如，与存储器阵列110-f的一组存储器单元105的单元选择组件230耦合)以用于与存储器阵列110-f交换各种信号(例如，经由字线205-f-1到205-f-n中的一或多者)。举例来说，行解码器820-d可支持选择字线205-f、激活字线205-f、将字线205-f取消选择、将字线205-f停用、使字线205-f均衡、执行均衡操作、执行耗散操作或其它操作(例如，如参考时序图500、600及700所描述)的各种实例。在一些实例中，行解码器820-d可从地址缓冲器810(未展示)、行控制器830-d、泵电路1040-b或其各种组合接收信号(例如，逻辑信号、电压、电流、电荷)，以支持或控制此些操作。
在行组件125-f的实例中，行解码器820-d可包含与一组晶体管1220-a(例如，p型晶体管)及一组晶体管1230-a(例如，n型晶体管)耦合的主解码器1110-a。主解码器1110-a可与晶体管1220-a中的每一者的栅极或控制节点耦合。晶体管1220-a中的每一者的源极或供应节点可与子解码器1115-a(其在一些情形中可提供单元选择电压源(例如，经由信号FXT1或FXT2))的输出(例如提供如参考时序图500、600或700所描述的电压VCCP或VPWL的信号)耦合。晶体管1220-a中的每一者的漏极或输出节点可与字线205-f-1到205-f-n中的若干相应者耦合(例如，与存储器阵列110-f耦合)。主解码器1110-a还可与晶体管1230-a中的每一者的栅极或控制节点耦合。晶体管1230-a中的每一者的源极或供应节点可与电压产生器840-d的输出耦合(例如，给源极或供应节点施加电压VNWL或以电压VNWL将源极或供应节点偏置)。晶体管1230-a中的每一者的漏极或输出节点可与字线205-f-1到205-f-n中的若干相应者耦合(例如，与存储器阵列110-f耦合)。换句话说，在一些实例中，晶体管1220-a及对应晶体管1230-a可共同操作以执行选择组件的操作(例如，以用于选择性地将字线205-f与由泵电路1040-b提供的电压或由电压产生器840-d提供的电压耦合)。
在行组件125-f的实例中，行解码器820-d还可包含与晶体管1220-a(例如，p型晶体管)组及一组晶体管1230-b(例如，n型晶体管)耦合的子解码器1115-a。子解码器1115-a可与晶体管1220-a中的每一者的源极或供应节点耦合。在电路1200的实例中，子解码器1115-a可经由第一连接(例如，如提供信号FXT1)与晶体管1220-a组的第一子组(例如，奇数晶体管1220-a，包含晶体管1220-a-1、晶体管1220-a-3等等)的源极或供应节点耦合。在电路1200的实例中，子解码器1115-a可经由第二连接(例如，如提供信号FXT2)与晶体管1220-a组的第二子组(例如，偶数晶体管1220-a，包含晶体管1220-a-2、晶体管1220-a-4等等)的源极或供应节点耦合。在其它实例中，晶体管1220-a的子组的不同布置(包含多于两个子组的布置)可由子解码器1115-a支持。主解码器1110-a与子解码器1115-a的组合可被称为层状字驱动器配置。
子解码器1115-a还可与晶体管1230-b中的每一者的栅极或控制节点耦合。在电路1200的实例中，子解码器1115-a可经由第三连接(例如，如提供信号FXF1)与晶体管1230-b组的第一子组的栅极或控制节点(例如，奇数晶体管1230-b，包含晶体管1230-b-1、晶体管1230-b-2等等)耦合。在电路1200的实例中，子解码器1115-a可经由第四连接(例如，如提供信号FXF2)与晶体管1230-b组的第二子组(例如，偶数晶体管1230-b，包含晶体管1230-b-2、晶体管1230-b-4等等)的控制节点的栅极耦合。在其它实例中，晶体管1230-b的子组的不同布置(包含多于两个子组的布置)可由子解码器1115-a支持。
晶体管1230-b中的每一者的源极或供应节点可与电压产生器840-d的输出耦合(例如，给源极或供应节点施加电压VNWL或将源极或供应节点偏置到电压VNWL)。晶体管1230-b中的每一者的漏极或输出节点可与字线205-f-1到205-f-n中的若干相应者耦合(例如，与存储器阵列110-f耦合)。虽然图解说明为包含晶体管1220-a、1230-a及1230-b，但在其它实例中，行解码器820-d可替代晶体管1220-a、1230-a或1230-b而采用其它类型的切换或选择组件。
在一些实例中，主解码器1110-a或子解码器1115-a可经配置以选择性地将泵电路1040-b或电压产生器840-d的输出(例如，VCCP)与字线205-f-1到205-f-n中的一或多者耦合或解耦(例如，通过激活逻辑信号MWF1到MWFn或者信号FXF1、FXF2、FXT1或FXT2中的一或多者或将所述信号中的一或多者停用)。在一些实例中，主解码器1110-a或子解码器1115-a可支持将闲置或备用电压(例如，如参考时序图500或600所描述的VPWL、如参考时序图700所描述的VSS)施加到字线205-f。在一些实例中，主解码器1110-a或子解码器1115-a可支持将单元取消选择电压(例如，如参考时序图500所描述的VNWL、如参考时序图600或700所描述的VSS)施加到字线205-f。在一些实例中，主解码器1110-a或子解码器1115-a可支持将单元选择偏置或电压施加到字线205-f中的选定的一或多者(例如，以存取选定存储器单元105)，所述单元选择偏置或电压可由泵电路1040-b提供。
在一些实例中，当选择或激活字线205-f中的一者(例如，通过以负选择电压提供逻辑信号MWF1到MWFn中的一者)时，可激活晶体管1220-a中的对应一者。换句话说，当负选择电压或逻辑信号施加到晶体管1220-a中的一者的栅极或控制节点时，对应字线205-f可与信号FXT1或FXT2选择性地耦合(例如，取决于晶体管1220-a为奇数晶体管1220-a还是偶数晶体管1220-a)。因此，字线205-f中的特定一者的选择还可取决于以单元选择电压(例如，VCCP或VPWL)提供信号FXT1，还是以单元选择电压(例如，VCCP或VPWL)提供信号FXT2。因此，在电路1200的实例中，字线205-f的选择可取决于来自主解码器1110-a的信号(例如，以负激活电压激活MWF1到MWFn中的一者)及来自子解码器1115-a的信号(例如，FXT1还是FXT2与泵电路耦合，以单元选择电压提供FXT1还是FXT2)两者。在一些实例中，行控制器830-d可经配置以支持选择字线205-f(例如，存储器阵列110-f的存储器单元105中的一或多者)以用于存取操作(例如，当给子解码器1115-a提供例如VCCP的单元选择电压时)，或选择字线205-f以用于均衡操作或耗散操作(例如，当给子解码器1115-a提供例如VPWL的单元均衡或耗散字线电压时)。
在一些实例中，当FXT信号中的一者经激活(例如，与泵电路耦合)时，可将对应FXF信号停用。换句话说，如果激活信号FXT1，那么可将FXF1停用。在一些实例中，FXT信号及对应FXF信号(例如，FXT1及FXF1)的电势可具有相反极性。因此，当晶体管1220-a的源极或供应节点与单元选择电压耦合时，晶体管1230-b中的若干对应者的栅极或控制节点可与取消选择电压耦合。换句话说，可经由晶体管1220-a与单元选择电压选择性地耦合的那些字线205-f还可经由晶体管1230-b与电压产生器840-d选择性地解耦。因此，可采用子解码器1115-a来选择字线205-f或存储器阵列110-f的存储器单元105的特定层或子组。虽然子解码器1115-a分裂成两个子组(例如，FXF1与FXT1、FXF2与FXT2)，但子解码器1115-a可支持包含多于两个子组的任一数目个子组。
在一些实例中，当将字线205-f中的一者取消选择或停用(例如，通过以正选择电压提供逻辑信号MWF1到MWFn中的一者)时，可激活晶体管1230-a中的对应一者。换句话说，当正选择电压或逻辑信号施加到晶体管1230-a中的一者的控制节点时，对应字线205-f可与电压产生器840-d的输出选择性地耦合(例如，当以负选择电压提供WLFn时，可给字线205-f-n提供电压VNWL)。另外或替代地，在电路1200的实例中，还可在给对应晶体管1230-b的栅极或控制节点提供激活信号(例如，正电压信号FXF1或FXF2)时将字线205-f中的一者取消选择或停用。
在一些实例中，可将字线205-f取消选择或停用(例如，通过施加正逻辑信号MWF)或者选择或激活字线205-f(例如，通过施加负逻辑信号MWF)。在其它实例中，主解码器1110-a可支持其中使逻辑信号MWF均衡(例如，接地，既非正亦非负)的中间状态。
在一些实例中，行控制器830-d可经配置以支持待施加到字线205-f-1到205-f-n中的一或多者的某些电压的选择(例如，经由行解码器820-d)。举例来说，行控制器830-d可与晶体管1240-a的栅极或控制节点及晶体管1240-b的栅极或控制节点通信，此可支持泵电路1040-b或电压产生器840-d(例如，VPWL)的选择以用于与子解码器1115-a耦合(例如，用于将字线205-f中的一或多者偏置)。行控制器830-d可基于将控制信号(例如，“Sel<0>”或“Sel<1>”)提供到晶体管1240-a及1240-b而在耦合子解码器1115-a与泵电路1040-b或电压产生器840-a之间进行选择。因此，行控制器830-d可选择待提供到子解码器1115-a的电压(例如，VCCP或VPWL)，且子解码器1115-a可提供待施加到字线205-f-1到205-f-n中的一或多者(例如，经由晶体管1220-a)的选定电压。虽然图解说明为包含晶体管1240，但在其它实例中，行控制器830-d可将控制信号提供到其它类型的切换或选择组件而非晶体管1140。
因此，行组件125-f可为用于执行用于保护存储器装置中的所存储数据的所描述操作中的一或多者(例如，参考时序图500、600或700所描述的操作中的一或多者)的构件的实例。在一些实例中，行组件125-f可经特殊配置以支持时序图500、600或700中的一者的操作。在其它实例中，行组件125-f可经配置以支持时序图500、600或700中的多于一者的操作，且可通过取决于特定存取操作的所要操作特性而选择(例如，由存储器控制器)与时序图500、600或700中的一者对应的特定操作模式(例如，用于对选定存储器单元的第一存取操作)来操作行组件125-f。在不同时间(例如，用于对选定存储器单元的第二存取操作)处，可通过选择与时序图500、600或700中的不同者对应的不同操作模式来操作行组件125-f。
图13展示根据本发明的各种实施例的可支持用于保护存储器装置中所存储的数据的存取方案的存储器装置1305的框图1300。存储器装置1305可被称为电子存储器设备，且可以是参考图1所描述的存储器装置100的组件的实例。
存储器装置1305可包含一或多个存储器单元1310，一或多个存储器单元1310可以是参考图1到12所描述的存储器单元105或存储器阵列110的实例。根据本发明的若干方面，存储器装置1305还可包含存储器控制器1315、字线1320、板线1325、感测组件1335及数字线1340。这些组件可彼此进行电子通信且可执行本文中所描述的功能中的一或多者。在一些情形中，存储器控制器1315可包含偏置组件1350及时序组件1355。
存储器控制器1315可与字线1320、板线1325、数字线1340及感测组件1335进行电子通信，字线1320、板线1325、数字线1340及感测组件1335可以是参考图1到12所描述的字线205、板线215、数字线210及感测组件150的实例。在一些实例中，存储器装置1305还可包含锁存器1345，锁存器1345可以是本文中所描述的I/O组件160的实例。存储器装置1305的组件可彼此进行电子通信且可执行参考图1到12所描述的功能的实施例。在一些情形中，感测组件1335或锁存器1345可以是存储器控制器1315的组件。
在一些实例中，数字线1340可与感测组件1335(例如，经由信号形成组件280、经由旁路线270，如本文中所描述)及存储器单元1310的铁电电容器进行电子通信。存储器单元1310可写入有逻辑状态(例如，第一逻辑状态或第二逻辑状态)。字线1320可与存储器控制器1315及存储器单元1310的单元选择组件进行电子通信。板线1325可与存储器控制器1315及存储器单元1310的铁电电容器的板进行电子通信。感测组件1335可与存储器控制器1315、数字线1340及锁存器1345进行电子通信。在一些实例中，共同存取线可具备信号线及参考线的功能。感测控制线1365可与感测组件1335及存储器控制器1315进行电子通信。除了上文未列举的组件之外，这些组件还可经由其它组件、连接或总线与在存储器装置1305的内部、外部或内部外部两者的其它组件进行电子通信。
存储器控制器1315可以是本文中所描述的存储器控制器170的实例，且可经配置以通过对各种节点施加电压来激活字线1320、板线1325或数字线1340。举例来说，偏置组件1350可经配置以施加电压以操作存储器单元1310来对存储器单元1310进行读取或写入，如本文中所描述。在一些情形中，存储器控制器1315可包含行组件125、列组件135、板组件145或其组合，或者与行组件125、列组件135、板组件145或其组合通信，如参考图1到12所描述，这可使得存储器控制器1315能够存取一或多个存储器单元1310。偏置组件1350可提供电压(例如，电压源)以用于与存储器单元1310耦合。另外或替代地，偏置组件1350可提供电压(例如，电压源)以用于感测组件1335或参考组件1330的操作。
在一些情形中，存储器控制器1315可使用时序组件1355来执行其操作中的一或多者。举例来说，时序组件1355可控制本文中所论述(例如，根据参考图5、6及7的时序图500、600或700所描述的操作)的各种字线选择或板偏置的时序(包含切换及电压施加的时序)以执行存储器功能(例如，读取及写入)。在一些情形中，时序组件1355可控制偏置组件1350的操作。
感测组件1335可对来自存储器单元1310(例如，经由数字线1340)的感测信号与参考信号(例如，来自参考组件1330、来自存储器单元1310)进行比较。在确定逻辑状态之后，接着感测组件1335可将输出存储在锁存器1345中，其中可根据可包含存储器装置1305的电子装置的操作来使用所述输出。感测组件1335可包含与锁存器及铁电存储器单元进行电子通信的一或多个放大器。
存储器控制器1315或其子组件可以硬件、由处理器执行的代码(例如，软件、固件)或其任何组合来实施。如果以由处理器执行的代码来实施，那么存储器控制器1315或其子组件的功能可由经设计以执行本发明中所描述的功能的以下装置来执行：通用处理器、数字信号处理器(DSP)、特殊应用集成电路(ASIC)、场可编程门阵列(FPGA)或其它可编程逻辑装置、离散栅极或晶体管逻辑、离散硬件组件或其任何组合。
存储器控制器1315或其子组件可物理地位于各种位置处(包含散布式)，使得由一或多个物理装置在不同物理位置处实施功能的若干部分。在一些实例中，根据本发明的各种实施例，存储器控制器1315或其子组件可以是单独且相异的组件。在其它实例中，存储器控制器1315或其子组件可与一或多个其它硬件组件组合，所述一或多个其它硬件组件包含但不限于：I/O组件、收发器、网络服务器、另一计算装置、本发明所描述的一或多个其它组件或其根据本发明的各种实施例的组合。存储器控制器1315可以是参考图15所描述的存储器控制器1515的实例。
在一些实例中，存储器控制器1315(包含其任何子组件)可支持用于保护存储器装置1305中所存储的数据的存取方案的所描述实例。举例来说，存储器装置1305可包含与数字线1340及板线1325耦合的多个存储器单元1310。在一些实例中，多个存储器单元1310中的每一者可包含单元选择组件，所述单元选择组件经配置以选择性地耦合多个存储器单元中的相应一者与数字线1340。存储器装置可包含多个字线1320，多个字线1320各自与多个存储器单元中的相应一者的单元选择组件耦合。存储器装置1305还可包含与多个字线中的每一者耦合的行解码器，所述行解码器可包含在存储器控制器1315中或可以是与存储器控制器1315进行通信的单独组件。
根据本发明的实施例，存储器控制器1315可操作以通过致使行解码器激活多个字线1320中与多个存储器单元1310中的第一存储器单元的单元选择组件耦合的第一字线来对第一存储器单元执行存取操作。存储器控制器1315可响应于对第一存储器单元执行存取操作而通过致使行解码器激活多个字线1320中与多个存储器单元1310中的第二存储器单元的选择组件耦合的第二字线来对所述第二存储器单元执行均衡操作。
在一些实例中，为激活多个字线1320中的第一字线，存储器控制器1315可操作以致使行解码器将第一字线与接地电压源解耦且耦合第一字线与第一正电压源。
在一些实例中，为激活多个字线1320中的第二字线，存储器控制器1315可操作以致使行解码器将第二字线与接地电压源解耦且耦合第二字线与第二正电压源。
在一些实例中，为激活多个字线1320中的第二字线，存储器控制器1315可操作以致使行解码器将第二字线与负电压源解耦，耦合第二字线与接地电压源，将第二字线与接地电压源解耦并耦合第二字线与第二正电压源。
在一些实例中，为激活多个字线1320中的第一字线，存储器控制器1315可操作以致使行解码器将第一字线与第一正电压源解耦，耦合第一字线与第二正电压源。
在一些实例中，为激活多个字线1320中的第二字线，存储器控制器1315可操作以致使行解码器将第二字线与接地电压源解耦，耦合第二字线与第一正电压源。存储器控制器可进一步操作以致使行解码器在执行第一存取操作之前将第二字线与第一正电压源解耦，且在执行第一存取操作之前耦合第二字线与接地电压源。
在一些实例中，为执行均衡操作，存储器控制器1315可操作以耦合数字线1340与具有第一电压的第一电压源，耦合板线1325与具有第二电压的第二电压源。在一些实例中，第一电压与第二电压是相同的电压。
在一些实例中，为执行存取操作，存储器控制器1315可操作以对第一存储器单元执行读取操作，或对第一存储器单元执行写入操作，或对第一存储器单元执行读取操作及写入操作。
图14展示根据本发明的各种实施例的可支持用于保护存储器装置中所存储的数据的存取方案的存储器控制器1415的框图1400。存储器控制器1415可以是参考图1所描述的存储器控制器170或参考图13所描述的存储器控制器1315的实例。存储器控制器1415可包含偏置组件1420及时序组件1425，偏置组件1420及时序组件1425可以是参考图13所描述的偏置组件1350及时序组件1355的实例。存储器控制器1415还可包含电压选择器1430、存储器单元选择器1435及感测控制器1440。这些模块中的每一者可彼此直接或间接地通信(例如，经由一或多个总线)。
电压选择器1430可起始电压源的选择以支持存储器装置的各种存取操作。举例来说，电压选择器1430可产生或触发用于激活或停用各种切换组件或电压源的控制信号，例如提供到参考图8到11所描述的电压多路复用器850的控制信号或可由参考图8到12所描述的行控制器830提供的其它信号。举例来说，电压选择器1430可产生逻辑信号中的一或多者以选择(例如，启用、禁用)字线205、数字线210或板线215的电压，如参考图5、6及7所描述的时序图500、600或700中所图解说明。
存储器单元选择器1435可选择存储器单元以进行存取操作(例如，读取操作、写入操作、重新写入操作、刷新操作、均衡操作、耗散操作)。在一些实例中，存储器单元选择器1435可产生用于激活或停用单元选择组件(例如参考图2到7所描述的单元选择组件230)的逻辑信号。在一些实例中，存储器单元选择器1435可起始或以其它方式控制参考图5、6及7所描述的时序图500、600及700中所图解说明的字线电压VWL。
感测控制器1440可控制感测组件(例如，参考图1到5所描述的感测组件150)的各种操作。举例来说，感测控制器1440可产生用于激活或停用感测组件隔离组件(例如，参考图4到7所描述的切换组件405-a或405-b)的逻辑信号(例如，ISOa、ISOb)。在一些实例中，感测控制器1440可产生用于均衡感测组件150的节点或存取线的节点的逻辑信号(例如，PREa、PREb)。在一些实例中，感测控制器1440可产生逻辑信号，所述逻辑信号用于将感测组件与感测电压源耦合或解耦，或将感测组件与输入/输出组件160或锁存器1345耦合或解耦。因此，在一些实例中，感测控制器1440可产生参考图5、6及7所描述的时序图500、600或700的逻辑信号ISOa、ISOb、PREa、PREb或SE或其任何组合。
在一些实施例中，感测控制器1440可对感测放大器的第一节点的电压与感测放大器的第二节点的电压进行比较，其中电压是基于利用读取操作的一或多个存取操作来存取存储器单元(例如，来自存取的结果)而定。感测控制器1440可基于对所得的电压进行比较而确定与存储器单元相关联的逻辑值。在一些实例中，感测控制器1440可将信号提供到另一组件以确定与存储器单元相关联的逻辑值。
图15展示根据本发明的各种实施例的包含装置1505的系统1500的图式，装置1505可支持用于保护存储器装置中所存储的数据的存取方案。装置1505可以是本文中所描述(举例来说，参考图1)的存储器装置100的实例或包含存储器装置100的组件。装置1505可包含用于进行双向通信的组件，包含用于发射及接收通信的组件，包含存储器控制器1515、存储器单元1520、基本输入/输出系统(BIOS)组件1525、处理器1530、I/O组件1535及外围组件1540。这些组件可经由一或多个总线(例如，总线1510)进行电子通信。
存储器控制器1515可如本文中所描述地操作一或多个存储器单元。具体来说，存储器控制器1515可经配置以支持所描述的感测方案来存取存储器单元。在一些情形中，存储器控制器1515可包含行组件、列组件、板组件或其组合，如参考图1所描述。
存储器单元1520可以是参考图1到13所描述的存储器单元105或1310的实例，且可存储本文中所描述的信息(例如，呈逻辑状态形式)。
BIOS组件1525可以是软件组件，所述软件组件包含用作固件的BIOS，BIOS组件1525可初始化并运行各种硬件组件。BIOS组件1525还可管理处理器与各种其它组件(例如，外围组件、I/O控制组件及其它组件)之间的数据流。BIOS组件1525可包含存储在只读存储器(ROM)、快闪存储器或任何其它非易失性存储器中的程序或软件。
处理器1530可包含智能硬件装置(例如，通用处理器、DSP、中央处理单元(CPU)、微控制器、ASIC、FPGA、可编程逻辑装置、离散栅极或晶体管逻辑组件、离散硬件组件)。在一些情形中，处理器1530可经配置以使用存储器控制器来操作存储器阵列。在其它情形中，存储器控制器可集成到处理器1530中。处理器1530可经配置以执行存储器中所存储的计算机可读指令以执行各种功能(例如，支持用于保护存储器装置中所存储的数据的存取方案的功能或任务)。
I/O组件1535可管理装置1505的输入及输出信号。I/O组件1535还可管理未集成到装置1505中的外围组件。在一些情形中，I/O组件1535可表示通往外部外围组件的的物理连接或端口。在一些情形中，I/O组件1535可利用操作系统，例如或另一已知的操作系统。在其它情形中，I/O组件1535可表示调制解调器、键盘、鼠标、触摸屏或类似装置，或与上述装置交互。在一些情形中，I/O组件1535可实施为处理器的一部分。在一些情形中，用户可经由I/O组件1535或经由由I/O组件1535控制的硬件组件与装置1505交互。I/O组件1535可支持存取存储器单元1520，包含接收与存储器单元1520中的一或多者的所感测逻辑状态相关联的信息、或提供与写入存储器单元1520中的一或多者的逻辑状态相关联的信息。
外围组件1540可包含任何输入或输出装置或用于这些装置的接口。实例可包含磁盘控制器、声音控制器、图形控制器、以太网控制器、调制解调器、通用串行总线(USB)控制器、串行或并行端口或者外围卡槽，例如外围组件互连(PCI)或加速图形端口(AGP)槽。
输入1545可表示在装置1505外部的将输入提供到装置1505或其组件的装置或信号。此可包含用户界面或者与其它装置的界面或位于其它装置之间的界面。在一些情形中，输入1545由I/O组件1535管理，且可经由外围组件1540与装置1505交互。
输出1550可表示在装置1505外部、经配置以自装置1505或其组件中的任一者接收输出的装置或信号。输出1550的实例可包含显示器、音频扬声器、打印装置、另一处理器或印刷电路板或其它装置。在一些情形中，输出1550可以是经由外围组件1540与装置1505介接的外围元件。在一些情形中，输出1550可由I/O组件1535管理。
装置1505的组件可包含经设计以实施其功能的电路。此可包含经配置以实施本文中所描述的功能的各种电路元件，例如导电线、晶体管、电容器、电感器、电阻器、放大器或其它作用或非作用元件。装置1505可以是计算机、服务器、膝上型计算机、笔记本计算机、平板计算机、移动电话、可穿戴电子装置、个人电子装置等。或者装置1505可以是这些装置的一部分或元件。
图16展示根据本发明的各种实施例的图解说明可支持用于保护存储器装置中所存储的数据的存取方案的方法1600的流程图。可根据参考图1到15所描述的方法及设备来执行方法1600的操作。在一些实例中，可在本文中所描述的存储器装置100、电路200、电路400、电路800、电路900、电路1000、电路1100、电路1200、存储器装置1305、系统1500或其组件中由所图解说明的一或多个组件来实施方法1600的操作。举例来说，方法1600的操作可由参考图1到15所描述的存储器控制器或行组件来至少部分地执行。在一些实例中，存储器装置可执行一组指令以控制装置(例如，电压供应器、逻辑信号、晶体管、放大器、切换组件、选择组件)的功能元件执行所描述功能。另外或替代地，存储器装置可使用专用硬件来执行所描述功能中的一些或所有功能。
在1605处，所述方法可包含激活与第一存取线(例如，数字线)及存储器阵列的第一存储器单元耦合的第一切换组件，以选择性地耦合第一存储器单元与第一存取线。在一些实例中，第一存储器单元及第二存储器单元各自包含铁电电容器。
在1610处，所述方法可包含在激活第一切换组件之后对第一存储器单元执行第一存取操作。在一些实例中，在1610处执行第一存取操作包含执行读取操作或写入操作或其组合。
在1615处，所述方法可包含在对第一存储器单元执行第一存取操作之后激活与第一存取线及存储器阵列的第二存储器单元耦合的第二切换组件，以选择性地耦合第二存储器单元与第一存取线。一些实例可包含耦合第一存取线与具有第一电压的第一电压源，且经由第二存取线(例如，板线)耦合第二存储器单元与具有第二电压的第二电压源。在一些实例中，激活第二切换组件可基于耦合第一存取线与第一电压源且耦合第二存储器单元与第二电压源而进行。在一些实例中，第一电压源与第二电压源是相同的电压源或具有相同的电压。
在1620处，所述方法可包含停用第一切换组件及第二切换组件。
在1625处，所述方法可包含在停用第一切换组件及第二切换组件之后，对第一存储器单元或第二存储器单元执行第二存取操作。
在一些实例中，在1605处激活第一切换组件可包含经由多个第三存取线(例如，多个字线)中的第一者将第一切换组件与接地电压源解耦，且经由多个第三存取线中的第一者耦合第一切换组件与第一正电压源。
在一些实例中，在1615处激活第二切换组件可包含经由多个第三存取线中的第二者将第二切换组件与接地电压源解耦，且经由多个第三存取线中的第二者耦合第二切换组件与第二正电压源。
在一些实例中，在1615处激活第二切换组件可包含经由多个第三存取线中的第二者将第二切换组件与负电压源解耦，且经由多个第三存取线中的第二者耦合第二切换组件与接地电压源，经由多个第三存取线中的第二者将第二切换组件与接地电压源解耦，且经由多个第三存取线中的第二者耦合第二切换组件与第二正电压源。
在一些实例中，在1605处激活第一切换组件可包含经由多个第三存取线中的第一者将第一切换组件与第一正电压源解耦，且经由多个第三存取线中的第一者耦合第一切换组件与第二正电压源。
在一些实例中，在1615处激活第二切换组件可包含经由多个第三存取线中的第二者将第二切换组件与接地电压源解耦，且经由多个第三存取线中的第二者耦合第二切换组件与第一正电压源。
一些实例可进一步包含在于1610处执行第一存取操作之前，经由多个第三存取线中的第二者将第二切换组件与第一正电压源解耦，且在于1610处执行第一存取操作之前经由多个第三存取线中的第二者耦合第二切换组件与接地电压源。
在一些实例中，本文中所描述的电子存储器设备可执行一或多种方法，例如方法1600及其变化形式。所述设备可(举例来说)包含用于进行以下操作的特征、构件、电路或指令(例如，存储处理器可执行指令的非暂时性计算机可读媒体)：激活与第一存取线(例如，数字线)及存储器阵列的第一存储器单元耦合的第一切换组件以选择性地耦合第一存储器单元与第一存取线；在激活第一切换组件之后，对第一存储器单元执行第一存取操作；在对第一存储器单元执行第一存取操作之后，激活与第一存取线及存储器阵列的第二存储器单元耦合的第二切换组件以选择性地耦合第二存储器单元与第一存取线；停用第一切换组件及第二切换组件；及在停用第一切换组件及第二切换组件之后，对第一存储器单元或第二存储器单元中的至少一者执行第二存取操作。在一些实例中，所述设备可包含用于执行本文中所描述的方法1600的变化形式的特征、构件、电路或指令。
图17展示根据本发明的各种实施例的图解说明可支持用于保护存储器装置中所存储的数据的存取方案的方法1700的流程图。可根据参考图1到15所描述的方法及设备来执行方法1700的操作。在一些实例中，可在本文中所描述的存储器装置100、电路200、电路400、电路800、电路900、电路1000、电路1100、电路1200、存储器装置1305、系统1500及其组件中由所图解说明的一或多个组件实施方法1700的操作。举例来说，方法1700的操作可由参考图1到15所描述的存储器控制器或行组件来至少部分地执行。在一些实例中，存储器装置可执行一组指令以控制装置(例如，电压供应器、逻辑信号、晶体管、放大器、切换组件、选择组件)的功能元件执行所描述功能。另外或替代地，存储器装置可使用专用硬件来执行所描述功能中的一些或所有功能。
在1705处，所述方法可包含将存储器装置的多个字线偏置到第一电压(例如，闲置电压、备用电压)。
在1710处，所述方法可包含确定存取(例如，读取操作、写入操作、重新写入操作、刷新操作或其组合)与多个字线中的第一字线耦合的存储器单元。
在1715处，所述方法可包含在第一间隔期间将第一字线自第一电压调整到比第一电压高的第二电压。
在1720处，所述方法可包含在第二间隔期间将多个字线中的第二字线偏置到第三电压；及在第二间隔期间对存储器单元执行存取操作(例如，读取操作、写入操作、重新写入操作、刷新操作或其组合)。
在1725处，所述方法可包含在第三间隔期间将第二字线从第三电压调整到比第三电压高的第四电压。
所述方法1700的一些实例可进一步包含在第一间隔期间将第二字线从第一电压调整到比第一电压低的第三电压。
所述方法1700的一些实例可进一步包含在第三间隔期间将第一字线从第二电压调整到第一电压，其中第四电压等于第一电压。
在一些实例中，在第一间隔期间将第一字线从第一电压调整到第二电压可包含：在将第一字线偏置到第二电压之前将第一字线偏置到比第一电压低的第五电压。
在一些实例中，在第一间隔期间将第二字线从第一电压调整到第三电压可包含：在将第二字线偏置到第三电压之前将第二字线偏置到第五电压。
在一些实例中，在第三间隔期间将第二字线从第三电压调整到第四电压可包含：在将第二字线偏置到第四电压之前将第二字线偏置到第五电压，其中第四电压等于第一电压。在一些实例中，第一电压与第三电压相等。
在一些实例中，本文中所描述的电子存储器设备可执行一或多种方法，例如方法1700及其变化形式。所述设备可(举例来说)包含用于进行以下操作的特征、构件、电路或指令(例如，存储处理器可执行指令的非暂时性计算机可读媒体)：将存储器装置的多个字线偏置到第一电压(例如，闲置电压、备用电压)；确定存取(例如，读取操作、写入操作、重新写入操作、刷新操作或其组合)与多个字线中的第一字线耦合的存储器单元；在第一间隔期间，将第一字线从第一电压调整到比第一电压高的第二电压；在第二间隔期间，将多个字线中的第二字线偏置到第三电压；及在第二间隔期间，对存储器单元执行存取操作(例如，读取操作、写入操作、重新写入操作、刷新操作或其组合)；以及在第三间隔期间将第二字线从第三电压调整到比第三电压高的第四电压。在一些实例中，所述设备可包含用于执行本文中所描述的方法1700的变化形式的特征、构件、电路或指令。
应注意，上文所描述的方法描述可能的实施方案，且可重新布置或修改所述操作及步骤，且可存在其它实施方案。此外，可对所述方法中的两者或多于两者的实例进行组合。
描述一种设备。所述设备可包含：与数字线及板线耦合的多个存储器单元，多个存储器单元中的每一者包括单元选择组件，所述单元选择组件经配置以选择性地耦合多个存储器单元中的相应一者与数字线，多个字线各自与多个存储器单元中的相应一者的单元选择组件耦合；行解码器，与多个字线中的每一者耦合；及存储器控制器。所述存储器控制器可操作以通过致使行解码器激活多个字线中与多个存储器单元中的第一存储器单元的单元选择组件耦合的第一字线来对第一存储器单元执行存取操作；及响应于对第一存储器单元执行存取操作而通过致使行解码器激活多个字线中与多个存储器单元中的第二存储器单元的单元选择组件耦合的第二字线来对所述第二存储器单元执行均衡操作。
在一些实例中，为激活多个字线中的第一字线，存储器控制器可操作以致使行解码器将第一字线与接地电压源解耦，且耦合第一字线与第一正电压源。在一些实例中，为激活多个字线中的第二字线，存储器控制器可操作以致使行解码器将第二字线与接地电压源解耦，且耦合第二字线与第二正电压源。在一些实例中，为激活多个字线中的第二字线，存储器控制器可操作以致使行解码器将第二字线与负电压源解耦，耦合第二字线与接地电压源，将第二字线与接地电压源解耦，且耦合第二字线与第二正电压源。
在一些实例中，为激活多个字线中的第一字线，存储器控制器可操作以致使行解码器将第一字线与第一正电压源解耦，且耦合第一字线与第二正电压源。在一些实例中，为激活多个字线中的第二字线，存储器控制器可操作以致使行解码器将第二字线与接地电压源解耦，且耦合第二字线与第一正电压源。存储器控制器可进一步操作以在致使行解码器执行存取操作之前将第二字线与第一正电压源解耦，且在执行存取操作之前耦合第二字线与接地电压源。
在一些实例中，为执行均衡操作，存储器控制器可操作以耦合数字线与具有第一电压的第一电压源，且耦合板线与具有第二电压的第二电压源。在一些实例中，第一电压与第二电压可以是相同的电压。
在一些实例中，为执行存取操作，存储器控制器可操作以对第一存储器单元执行读取操作，或对第一存储器单元执行写入操作，或对第一存储器单元执行读取操作及写入操作。
本文中的说明提供实例，且不限制权利要求书中所陈述的范围、适用性或实例。可在不背离本发明的范围的情况下对所论述的元件的功能及布置做出改变。一些实例可视需要省略、替代或添加各种操作、程序或组件。此外，可将关于一些实例而描述的特征组合于其它实例中。
可使用各种不同的技术及技巧中的任一者来表示本文中所描述的信息及信号。举例来说，可在以上说明通篇所提及的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号及芯片可由电压、电流、电磁波、磁场或粒子、光场或粒子或者其任何组合来表示。一些图式可将多个信号作为单个信号加以图解说明；然而，所属领域的技术人员应了解，信号可表示信号总线，其中所述总线可具有各种位宽度。
如本文中所使用，术语“虚拟接地”指代电路的保持在大约零伏(0V)电压下的节点，或更笼统来说表示可或可不与接地直接耦合的电路或包含所述电路的装置的参考电压。因此，虚拟接地的电压可短暂浮动且在稳定状态下返回到大约0V或虚拟0V。可使用各种电子电路元件(例如，由运算放大器及电阻器组成的分压器)来实施虚拟接地。还可存在其他实施方案。“虚拟接地(Virtual grounding)”或“被虚拟接地(virtually grounded)”意指连接到大约0V或装置的某一其它参考电压。
术语“电子通信”及“经耦合”指代支持组件之间的电子流的组件之间的关系。此可包含组件之间的直接连接或耦合或可包含中间组件。换句话说，“连接”或“耦合”的组件彼此进行电子通信。进行电子通信的组件可活跃地交换电子或信号(例如，在经激励电路中)或可不活跃地交换电子或信号(例如，在撤销激励的电路中)但可经配置且可操作以在电路被激励时交换电子或信号。举例来说，经由开关(例如，晶体管)物理连接或耦合的两个组件进行电子通信，而不论开关的状态(例如，断开、闭合)如何。
短语“耦合在…之间”可指代组件相对于彼此的次序，且可指代电耦合。在一个实例中，组件“B”电耦合在组件“A”与组件“C”之间可在电意义上指代“A-B-C”或“C-B-A”的组件次序。换句话说，电信号(例如，电压、电荷、电流)可从组件A通过组件B而传递到组件C。
组件B“耦合在组件A与组件C之间”的说明不应一定被解释为在所描述的次序中不包括其它中介组件。举例来说，组件“D”可耦合在所描述的组件A与组件B之间(例如，参考作为实例的“A-D-B-C”或“C-B-D-A”的组件次序)，而仍支持组件B电耦合在组件A与组件C之间。换句话说，使用短语“耦合在…之间”不应解释为一定指代排他性的顺序次序。
此外，组件B“耦合在组件A与组件C之间”的说明包括组件A与组件C之间的第二种不同的耦合。举例来说，组件A与组件C可在单独的耦合中彼此耦合，所述单独的耦合与经由组件B进行的耦合具有相似的电性含义。在另一实例中，组件A与组件C可经由另一组件“E”耦合(例如，组件B耦合在组件A与组件C之间，且组件E耦合在组件A与组件C之间)。换句话说，使用短语“耦合在…之间”不应被解释为组件之间的排他性耦合。
术语“隔离”指代电子目前不能在组件之间流动的组件之间关系；如果组件之间存在断开电路，那么组件彼此隔离。举例来说，通过开关物理耦合的两个组件可在开关断开时彼此隔离。
如本文中所使用，术语“短接”指代经由激活两个组件之间的单个中间组件来在所讨论的组件之间建立导电路径的组件之间关系。举例来说，短接到第二组件的第一组件可在两个组件之间的开关闭合时与第二组件交换电子。因此，短接可以是在进行电子通信的组件(或线)之间达成电压施加及/或电荷流动的动态操作。
如本文中所使用，术语“电极”可指代电导体，且在一些情形中，可用作与存储器阵列的存储器单元或其它组件的电触点。电极可包含在存储器装置100的元件或组件之间提供导电路径的迹线、导线、导电线、导电层等。
如本文中所使用，术语“端子”未必暗指电路元件的物理边界或连接点。而是，“端子”可指代电路的与电路元件相关的参考点，其还可被称为“节点”或“参考点”。
本文中所使用的术语“层”指代几何结构的层次或片。每一层可具有三个尺寸(例如，高度、宽度及深度)且可覆盖表面的一部分或全部。举例来说，层可以是两个尺寸大于第三尺寸的三维结构，例如薄膜。层可包含不同的元件、组件及/或材料。在一些情形中，一个层可由两个或多于两个子层构成。在附图中的一些中，出于图解说明目的而描绘三维层的两个尺寸。然而，所属领域的技术人员应认识到所述层本质上是三维的。
硫属化物材料可以是包含元素S、Se及Te中的至少一者的材料或合金。本文中所论述的相变材料可以是硫属化物材料。硫属化物材料可包含以下材料的合金：S、Se、Te、Ge、As、Al、Sb、Au、铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、铋(Bi)、钯(Pd)、钴(Co)、氧(O)、银(Ag)、镍(Ni)、铂(Pt)。实例性硫属化物材料及合金可包含但不限于：Ge-Te、In-Se、Sb-Te、Ga-Sb、In-Sb、As-Te、Al-Te、Ge-Sb-Te、Te-Ge-As、In-Sb-Te、Te-Sn-Se、Ge-Se-Ga、Bi-Se-Sb、Ga-Se-Te、Sn-Sb-Te、In-Sb-Ge、Te-Ge-Sb-S、Te-Ge-Sn-O、Te-Ge-Sn-Au、Pd-Te-Ge-Sn、In-Se-Ti-Co、Ge-Sb-Te-Pd、Ge-Sb-Te-Co、Sb-Te-Bi-Se、Ag-In-Sb-Te、Ge-Sb-Se-Te、Ge-Sn-Sb-Te、Ge-Te-Sn-Ni、Ge-Te-Sn-Pd或Ge-Te-Sn-Pt。本文中所使用的带连字符的化学成分记法指示特定化合物或合金中所包含的元素，且旨在表示涉及所指示元素的所有的化学计量法。举例来说，Ge-Te可包含GexTey，其中x及y可以是任何正整数。可变电阻材料的其它实例可包含二元金属氧化物材料或混合价氧化物，所述二元金属氧化物材料或混合价氧化物包含两种或多于两种金属(例如，过渡金属、碱性稀土金属及/或稀土金属)。实例并不仅限于与存储器单元的存储器元件相关联的一或多种特定可变电阻材料。举例来说，可变电阻材料的其它实例可用于形成存储器元件且可包含硫属化物材料、超巨磁阻材料或基于聚合物的材料等等。
本文中所论述的装置(包含参考图1、2及4所描述的存储器装置100、电路200及电路400)可形成在半导体衬底上，例如硅、锗、硅锗、砷化镓、氮化镓等。在一些情形中，所述衬底是半导体晶片。在其它情形中，衬底可以是绝缘体上硅(SOI)衬底，例如玻璃上硅(SOG)或蓝宝石上硅(SOP)或另一衬底上的半导体材料的外延层。可通过使用各种化学物种(包含但不限于磷、硼或砷)进行掺杂来控制衬底或衬底的子区域的导电率。可在衬底的初始形成或生长期间通过离子植入或通过任何其它掺杂方法来执行掺杂。
本文中所论述的一或多个晶体管可表示场效晶体管(FET)且包括包含源极、漏极及栅极的三端子装置。端子可通过导电材料(例如金属)连接到其它电子元件。源极及漏极可导电且可包括重度掺杂或退化的半导体区域。源极与漏极可被轻度掺杂的半导体区域或沟道分隔开。如果沟道是n型的(例如，大多数载流子是电子)，那么FET可被称为n型FET。如果沟道是p型的(例如，大多数载流子是空穴)，那么FET可被称为p型FET。绝缘栅极氧化物可覆盖沟道。可通过对栅极施加电压来控制沟道导电率。举例来说，分别对n型FET或p型FET施加正电压或负电压可使得沟道变得导电。当对晶体管栅极施加大于或等于晶体管的阈值电压的电压时，可“接通”或“激活”晶体管。当对晶体管栅极施加小于晶体管的阈值电压的电压时，可“关断”或“停用”晶体管。
本文中结合附图所陈述的说明描述实例性配置，且不表示可被实施或处于权利要求书范围内的所有实例。本文中所使用的术语“示范性”意指“用作实例、例子或图解说明”，并不意指“优选的”或“优于其它实例”。详细说明包含具体细节以提供对所描述的技术的理解。然而，可在无这些具体细节的情况下实践这些技术。在其它例子中，以框图形式展示众所周知的结构及装置以避免使所描述实例的概念模糊。
在附图中，类似的组件或特征可具有相同的参考标签。此外，可通过在参考标签后接在类似组件当中进行区分的破折号及第二标签来区分同一类型的各种组件。如果在说明书中仅使用第一参考标签，那么说明可适用于具有相同第一参考标签的类似组件中的任一者，而无论第二参考标签如何。
可利用通用处理器、DSP、ASIC、FPGA或其它可编程逻辑装置、离散栅极或晶体管逻辑、离散硬件组件或经设计以执行本文中所描述功能的其任何组合来实施或执行本文中结合本发明所描述的各种说明性块及模块。通用处理器可以是微处理器，但在替代方案中，处理器可以是任何常规处理器、控制器、微控制器或状态机。处理器也可实施为计算装置的组合，例如，数字信号处理器(DSP)与微处理器的组合、多个微处理器的组合、一或多个微处理器与DSP核心的结合或任何其它此类配置。
可以硬件、由处理器执行的软件、固件或其任何组合来实施本文中所描述的功能。如果以由处理器执行的软体来实施，那么所述功能可作为一或多个指令或代码存储在计算机可读媒体上或经由计算机可读媒体传输。其它实例及实施方案在本发明及随附权利要求书的范围内。举例来说，由于软件的性质，可使用处理器执行的软件、硬件、固件、硬连线或这些组件中的任一者的组合来实施上文所描述的功能。实施功能的特征还可物理地位于各种位置处(包含散布式)，使得在不同物理位置处实施功能的部分。此外，如本文中所使用，包含在权利要求书中，物项列举(举例来说，前面冠有例如“…中的至少一者”或“…中的一或多者”等短语的物项列举)时所使用的“或”指示包含性列举，因此(举例来说)A、B或C中的至少一者的列举意指A或B或C、或AB或AC或BC、或ABC(例如，A及B以及C)。
如本文中所使用，术语“基本上”意指所修饰的特性(例如，术语“基本上”所修饰的动词或形容词)未必是绝对的，而是足够接近以实现所述特性的优势，或足够接近以至于所提及的特性符合本发明的相关方面的上下文。
如本文中所使用，短语“基于”不应被视为参考封闭式条件集。举例来说，被描述为“基于条件A”的示范性步骤可基于条件A及条件B两者，而这并不背离本发明的范围。换句话说，如本文中所使用，应以相同的方式将短语“基于”解释为短语“至少部分地基于”。
提供本文中的说明以使得所属领域的技术人员能够形成或使用本发明。所属领域的技术人员将易于明了对本发明的各种修改，且本文中所界定的通用原理可适用于其它变化形式，而这并不背离本发明的范围。因此，本发明并不仅限于本文中所描述的实例及设计，而是被赋予与本文中所揭示的原理及新颖特征一致的最宽广范围。
技术特征：
1.一种方法，其包括：
激活与第一存取线及存储器阵列的第一存储器单元耦合的第一切换组件，以选择性地耦合所述第一存储器单元与所述第一存取线；
在激活所述第一切换组件之后，对所述第一存储器单元执行第一存取操作；
在对所述第一存储器单元执行所述第一存取操作之后，激活与所述第一存取线及所述存储器阵列的第二存储器单元耦合的第二切换组件，以选择性地耦合所述第二存储器单元与所述第一存取线；
停用所述第一切换组件及所述第二切换组件；及
在停用所述第一切换组件及所述第二切换组件之后，对所述第一存储器单元或所述第二存储器单元中的至少一者执行第二存取操作。
2.根据权利要求1所述的方法，其中激活所述第一切换组件包括：
经由多个第三存取线中的第一者将所述第一切换组件与接地电压源解耦；及
经由所述多个第三存取线中的所述第一者耦合所述第一切换组件与第一正电压源。
3.根据权利要求2所述的方法，其中激活所述第二切换组件包括：
经由所述多个第三存取线中的第二者将所述第二切换组件与接地电压源解耦；及
经由所述多个第三存取线中的所述第二者耦合所述第二切换组件与第二正电压源。
4.根据权利要求2所述的方法，其中激活所述第二切换组件包括：
经由所述多个第三存取线中的第二者将所述第二切换组件与负电压源解耦；
经由所述多个第三存取线中的所述第二者耦合所述第二切换组件与所述接地电压源；
经由所述多个第三存取线中的所述第二者将所述第二切换组件与接地电压源解耦；及
经由所述多个第三存取线中的所述第二者耦合所述第二切换组件与第二正电压源。
5.根据权利要求1所述的方法，其中激活所述第一切换组件包括：
经由多个第三存取线中的第一者将所述第一切换组件与第一正电压源解耦；及
经由所述多个第三存取线中的所述第一者耦合所述第一切换组件与第二正电压源。
6.根据权利要求5所述的方法，其中激活所述第二切换组件包括：
经由所述多个第三存取线中的第二者将所述第二切换组件与接地电压源解耦；及
经由所述多个第三存取线中的所述第二者耦合所述第二切换组件与所述第一正电压源。
7.根据权利要求5所述的方法，其进一步包括：
在执行所述第一存取操作之前，经由所述多个第三存取线中的第二者将所述第二切换组件与所述第一正电压源解耦；及
在执行所述第一存取操作之前，经由所述多个第三存取线中的所述第二者耦合所述第二切换组件与所述接地电压源。
8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
耦合所述第一存取线与具有第一电压的第一电压源；及
经由第二存取线耦合所述第二存储器单元与具有第二电压的第二电压源，其中激活所述第二切换组件是至少部分地基于耦合所述第一存取线与所述第一电压源且耦合所述第二存储器单元与所述第二电压源而进行。
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一电压源与所述第二电压源是相同的电压源。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一存取操作包括读取操作或写入操作或者其组合。
11.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一存储器单元及所述第二存储器单元各自包括铁电电容器。
12.一种设备，其包括：
多个存储器单元，其与数字线及板线耦合，所述多个存储器单元中的每一者包括单元选择组件，所述单元选择组件经配置以选择性地耦合所述多个存储器单元中的相应一者与所述数字线；
多个字线，其各自与所述多个存储器单元中的所述相应一者的所述单元选择组件耦合；
行解码器，其与所述多个字线中的每一者耦合；及
存储器控制器，其可操作以：
通过致使所述行解码器激活所述多个字线中与所述多个存储器单元中的第一存储器单元的所述单元选择组件耦合的第一字线来对所述第一存储器单元执行存取操作；及
响应于对所述第一存储器单元执行所述存取操作而通过致使所述行解码器激活所述多个字线中与所述多个存储器单元中的第二存储器单元的所述单元选择组件耦合的第二字线来对所述第二存储器单元执行均衡操作。
13.根据权利要求12所述的设备，其中为激活所述多个字线中的所述第一字线，所述存储器控制器可操作以致使所述行解码器：
将所述第一字线与接地电压源解耦；及
耦合所述第一字线与第一正电压源。
14.根据权利要求13所述的设备，其中为激活所述多个字线中的所述第二字线，所述存储器控制器可操作以致使所述行解码器：
将所述第二字线与接地电压源解耦；及
耦合所述第二字线与第二正电压源。
15.根据权利要求13所述的设备，其中为激活所述多个字线中的所述第二字线，所述存储器控制器可操作以致使所述行解码器：
将所述第二字线与负电压源解耦；
耦合所述第二字线与所述接地电压源；
将所述第二字线与接地电压源解耦；及
耦合所述第二字线与第二正电压源。
16.根据权利要求12所述的设备，其中为激活所述多个字线中的所述第一字线，所述存储器控制器可操作以致使所述行解码器：
将所述第一字线与第一正电压源解耦；及
耦合所述第一字线与第二正电压源。
17.根据权利要求16所述的设备，其中为激活所述多个字线中的所述第二字线，所述存储器控制器可操作以致使所述行解码器：
将所述第二字线与接地电压源解耦；及
耦合所述第二字线与所述第一正电压源，
其中所述存储器控制器可进一步操作以致使所述行解码器：
在执行所述存取操作之前，将所述第二字线与所述第一正电压源解耦；及
在执行所述存取操作之前，耦合所述第二字线与接地电压源。
18.根据权利要求12所述的设备，其中为执行所述均衡操作，所述存储器控制器可操作以：
耦合所述数字线与具有第一电压的第一电压源；及
耦合所述板线与具有第二电压的第二电压源。
19.根据权利要求18所述的设备，其中所述第一电压与所述第二电压是相同的电压。
20.根据权利要求12所述的设备，其中为执行所述存取操作，所述存储器控制器可操作以：
对所述第一存储器单元执行读取操作，或对所述第一存储器单元执行写入操作，或对所述第一存储器单元执行读取操作及写入操作。
21.一种方法，其包括：
将存储器装置的多个字线偏置到第一电压；
确定存取与所述多个字线中的第一字线耦合的存储器单元；
在第一间隔期间，将所述第一字线从所述第一电压调整到比所述第一电压高的第二电压；
在第二间隔期间，将所述多个字线中的第二字线偏置到第三电压；
在所述第二间隔期间，对所述存储器单元执行存取操作；及
在第三间隔期间，将所述第二字线从所述第三电压调整到比所述第三电压高的第四电压。
22.根据权利要求21所述的方法，其进一步包括：
在所述第一间隔期间，将所述第二字线从所述第一电压调整到比所述第一电压低的所述第三电压。
23.根据权利要求22所述的方法，其进一步包括：
在所述第三间隔期间，将所述第一字线从所述第二电压调整到所述第一电压，其中所述第四电压等于所述第一电压。
24.根据权利要求21所述的方法，其中在所述第一间隔期间将所述第一字线从所述第一电压调整到所述第二电压包括：
在将所述第一字线偏置到所述第二电压之前，将所述第一字线偏置到比所述第一电压低的第五电压。
25.根据权利要求24所述的方法，其中在所述第一间隔期间将所述第二字线从所述第一电压调整到所述第三电压包括：
在将所述第二字线偏置到所述第三电压之前，将所述第二字线偏置到所述第五电压。
26.根据权利要求24所述的方法，其中在所述第三间隔期间将所述第二字线从所述第三电压调整到所述第四电压包括：
在将所述第二字线偏置到所述第四电压之前，将所述第二字线偏置到所述第五电压，其中所述第四电压等于所述第一电压。
27.根据权利要求21所述的方法，其中所述第一电压与所述第三电压相等。
技术总结
本申请案涉及用于保护存储器装置中所存储的数据的存取方案。在一个实例中，存储器装置可包含与数字线及板线耦合的一组存储器单元。一种操作所述存储器装置的方法可包含：对所述一组存储器单元中的选定存储器单元执行存取操作；及基于执行所述存取操作而对所述多个存储器单元中的非选定存储器单元执行均衡操作。所述均衡操作可包含经由所述数字线及所述板线对所述非选定存储器单元的相对端子施加相等的电压，这可允许例如由所述存取操作所致的泄漏电荷等的累积电荷耗散。此均衡操作可减小在进行存取操作之后非选定存储器单元中发生存储损失的可能性。
技术研发人员：松原安士
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：.04.19
技术公布日：.10.29
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