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android otg主从切换 一种自动切换OTG设备主从模式下的Vbus电压的方法与电路与流程...

时间:2020-05-18 00:02:45

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android otg主从切换 一种自动切换OTG设备主从模式下的Vbus电压的方法与电路与流程...

本发明涉及otg设备的检测领域,更具体地说,涉及一种自动切换otg设备主从模式下的vbus电压的方法与电路。

背景技术:

现有技术中,具备otg功能的设备通过检测usb_id引脚的状态来判断工作为host(主模式/usb_id悬空)或者device(从模式/usb_id接地/拉高)。当作为host工作时,otg设备为外设提供vbus电源并工作于主模式,当作为device工作时,otg设备切断供应vbus电源并工作于从模式。

但是,上述的判断方式需要具有vbus监视和供电电路(ldo、限流ic),同时需要软件配合来实现供电切换,且不能做到几种usb_id触发状态(高、低、悬空)的兼容设计,在需要快速简单的判断otg工作模式的应用环境下,显得机制复杂且成本提高。

技术实现要素:

本发明的目的在于克服现有技术的不足,提供一种纯电路结构实现的自动切换otg设备主从模式下的vbus电压的方法与电路。

本发明的技术方案如下:

一种自动切换otg设备主从模式下的vbus电压的方法,当otg设备处于主模式时,usb_id引脚的电压经窗口比较器输出低电平,控制开关电路导通,vbus引脚输出从设备工作电压;当otg设备处于从模式时,usb_id引脚的电压经窗口比较器输出高电平,控制开关电路截止,vbus引脚无输出。

作为优选,usb_id引脚的电压经电阻分压后,与窗口比较器的低阀值电压、高阀值电压进行比较,当otg设备处于主模式时,usb_id引脚经分压后的电压位于低阀值电压与高阀值电压之间,窗口比较器输出低电平;当otg设备处于从模式时,usb_id引脚经分压后的电压低于低阀值电压或高于高阀值电压,窗口比较器输出高电平。

作为优选,开关电路包括级联三极管、场效应管,当窗口比较器输出高电平,级联三极管控制场效应管截止,vbus引脚无输出电压;当窗口比较器输出低电平,级联三极管控制场效应管导通,vbus引脚输出电压作为从设备工作电压。

一种自动切换otg设备主从模式下的vbus电压的电路,包括窗口比较器、开关电路,usb_id引脚与窗口比较器的接入端vid连接,窗口比较器的输出端vout与开关电路连接;当otg设备处于主模式时,窗口比较器控制开关电路的vbus引脚输出从设备工作电压;当otg设备处于从模式时,窗口比较器控制开关电路的vbus引脚无输出。

作为优选,窗口比较器包括分压电阻,usb_id引脚从接入端vid接入后,经电阻分压后的电压从窗口比较器的输入端vin进入窗口比较器的双限比较电路。

作为优选,开关电路包括级联三极管、场效应管,级联三极管中,前一级的集电极与后一级的基极连接,后一极的集电极与场效应管的栅极连接,场效应管的漏极连接vbus引脚。

作为优选,当otg设备处于主模式时,场效应管导通,场效应管的源极连接工作电压,vbus引脚的输出电压等于加载在源极的工作电压;当otg设备处于从模式时,场效应管截止,场效应管的漏极与源极经体二极管反向导通,vbus引脚从主设备接入工作电压,经源极为otg设备进行供电。

本发明的有益效果如下:

本方法通过搭建简单实用的电路结构,采用窗口比较器配合场效应管(p-mosfet),自动检测usb_id的状态来控制vbus电源的供给,进而实现触发状态不确定条件下的otg设备主从模式的硬件切换,去除了软件判断机制,由于不需要软件判断机制的配合,从而节约了cpu资源。同时利用p-mosfet自带的体二极管,实现从模式下设备工作电源供应。本发明在实现主从工作模式兼容判断的同时,配合简单元器件的特殊性能(场效应管自带的体二极管),实现device从模式下设备工作电源供应,与相有技术相比,节省了供电实现部分成本。

附图说明

图1是本发明的电路框图。

具体实施方式

以下结合附图及实施例对本发明进行进一步的详细说明。

本发明中,otg设备通过检测usb_id引脚的状态来判断工作为host(主模式/usb_id悬空)或者device(从模式/usb_id接地/拉高)。当otg设备作为host工作时,otg设备为外设提供vbus电源并工作于主模式,当otg设备作为device工作时,otg设备切断vbus电源供给并工作于从模式;

本发明提供一种自动切换otg设备主从模式下的vbus电压的方法,当otg设备处于主模式时,usb_id引脚的电压经窗口比较器输出低电平,控制开关电路导通,vbus引脚输出从设备工作电压;当otg设备处于从模式时,usb_id引脚的电压经窗口比较器输出高电平,控制开关电路截止,vbus引脚无输出。

usb_id引脚的电压经电阻分压后,与窗口比较器的低阀值电压、高阀值电压进行比较,当otg设备处于主模式时,usb_id引脚经分压后的电压位于低阀值电压与高阀值电压之间,窗口比较器输出低电平;当otg设备处于从模式时,usb_id引脚经分压后的电压低于低阀值电压或高于高阀值电压,窗口比较器输出高电平。

开关电路包括级联三极管、场效应管,当窗口比较器输出高电平,级联三极管控制场效应管截止,vbus引脚无输出电压;当窗口比较器输出低电平,级联三极管控制场效应管导通,vbus引脚输出电压作为从设备工作电压。

一种自动切换otg设备主从模式下的vbus电压的电路,包括窗口比较器、开关电路,usb_id引脚与窗口比较器的接入端vid连接,窗口比较器的输出端vout与开关电路连接;当otg设备处于主模式时,窗口比较器控制开关电路的vbus引脚输出从设备工作电压;当otg设备处于从模式时,窗口比较器控制开关电路的vbus引脚无输出。

窗口比较器包括分压电阻,usb_id引脚从接入端vid接入后,经电阻分压后的电压从窗口比较器的输入端vin进入窗口比较器的双限比较电路。

开关电路包括级联三极管、场效应管,级联三极管中,前一级的集电极与后一级的基极连接,后一极的集电极与场效应管的栅极连接,场效应管的漏极连接vbus引脚。

当otg设备处于主模式时,场效应管导通,场效应管的源极连接工作电压,vbus引脚的输出电压等于加载在源极的工作电压;当otg设备处于从模式时,场效应管截止,场效应管的漏极与源极经体二极管反向导通,vbus引脚从主设备接入工作电压,经源极为otg设备进行供电。

实施例

如图1所示,窗口比较器为双限比较电路,主要包括运算放大器a1、运算放大器a2构成,通过电阻设定参考比较电压高阀值电压vh和低阀值电压vl的值。如图1所示的电阻关系,可计算得出

若vinvh,则vout输出高电平;

若vl≤vin≤vh,则vout输出低电平。

开关电路为两级反向开关电路,主要包括三极管t1、三极管t2以及场效应管(p-mosfet)n1。

当vout为高电平时,三极管t1导通,三极管t2截止,三极管t2集电极上拉至高电平,场效应管(p-mosfet)n1截止,vbus_5v0=0v;当场效应管(p-mosfet)n1截止时,由于场效应管(p-mosfet)n1自带有体二极管,漏极与源极反向导通。当otg设备工作于从模式下,并接入主设备时,vbus_5v0从主设备获得工作电压,即vbus_5v0=5v,此时,连接在源极的vcc_5v0≈vbus_5v0=5v(实际运用中,可忽略元器件的电气特性带来的误差),从而实现otg设置在从模式下,由外接的主设备为otg设备提供电源。

当vout为低电平时,三极管t1截止,三极管t2导通,三极管t2集电极下拉至低电平,场效应管(p-mosfet)n1导通,vbus_5v0=5v(usb的标准工作电压为5v,因此加载的电压最终都将在vbus_5v0输出5v的电压)。

otg设备具有主从两种工作模式,总共三种状态,具体如下:

状态1:

当usb_id接地时,otg设备工作于从模式下,则vid=0v,即vin=0v

运算放大器a1输出低电平,运算放大器a2输出高电平;二极管d1截止,二极管d2导通;

vout输出高电平;三极管t1导通,三极管t2截止,场效应管(p-mosfet)n1截止;

状态2:

当usb_id拉高时,otg设备工作于从模式下,则vid=5v,

运算放大器a1输出高电平,运算放大器a2输出低电平;二极管d1导通,二极管d2截止;

vout输出高电平;三极管t1导通,三极管t2截止,场效应管(p-mosfet)n1截止;

对于上述的状态1、状态2,otg设备工作于device从模式,此时场效应管(p-mosfet)n1截止,vbus_5v0≠vcc_5v0。如果此时将otg设备连接到一个主设备(比如pc机)上,则vbus_5v0=5v(从主设备获得),通过场效应管(p-mosfet)n1自身的体二极管,漏极、源极反向导通,一般情况下,vds≈0.3v,则精确的,vcc_5v0≈4.7v,otg设备上电工作,工作电压由外接的主设备提供。

状态3:

当usb_id悬空时,otg设备工作于主模式下,则vl

运算放大器a1输出低电平,运算放大器a2输出低电平;二极管d1截止,二极管d2截止;

vout输出低电平;三极管t1截止,三极管t2导通;场效应管(p-mosfet)n1导通;

对于上述的状态3,otg设备工作于host主模式,此时场效应管(p-mosfet)n1导通,vbus_5v0=vcc_5v0=5v,otg设备可以为外设(从设备,比如u盘)提供5v电源。

本实施例中的场效应管(p-mosfet)n1也可以采用其他类型的mos管代替,具体的电路结构,本领域的技术人员在本发明公开的实施例的基础上,结合代替的mos管的特性,均可实现,无需进行创造性劳动。

上述实施例仅是用来说明本发明,而并非用作对本发明的限定。只要是依据本发明的技术实质,对上述实施例进行变化、变型等都将落在本发明的权利要求的范围内。

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