光电导开关,photoconductive switch
1)photoconductive switch光电导开关
1.The experimental results by using an all solid insulation protection with Si GaAsphotoconductive switches with microstrip line electric induction output as high power ultra fast electromagnetism pulse microwave source are reported.给出了采用全固态绝缘、微带线低电感输出的Ｓｌ－ＧａＡｓ超快光电导开关作为高功率亚ＧＨｚ电磁脉冲微波源的实验结果。
2.The peculiar photoconduction in semi insulating GaAsphotoconductive switch being triggered by 1064nm laser pulse is reported.报道了用1064nm激光脉冲触发半绝缘GaAs光电导开关的一种奇特光电导现象。
3.The experimental results of wideband antenna radiating and receiving ultra fast electrical pulse that was generated by GaAsphotoconductive switch triggered by femo-second laser pulse is reported.用全固态绝缘结构的横向型半绝缘GaAs光电导开关 ,在高重复频率飞秒激光脉冲触发下产生超快电脉冲串 ,经过微带同轴过渡连接至宽带微波天线进行了超宽带电磁辐射和接收的实验 ,测试了辐射波形及频谱分布 ,得到了上升时间为 2 0 0ps、脉宽 5 0 0ps、重复频率 82MHz、辐射频带宽度达 6 0GHz以上的电磁波 ,分析了用光电导开关进行宽带辐射的机理和特
英文短句/例句
1.The Transmission Characteristic Simulation of GaAs Photoconductive Semiconductor Switches in Pspice;用Pspice模拟光电导开关的传输特性
PUTER SIMULATION OF HIGH-GAIN GaAs PHOTOCONDUCTIVESEMICONDUCTOR SWITCHES;高倍增GaAs光电导开关的计算机模拟
3.High-voltage Nanoseconds GaAs Photoconductive Switch and Its Breakdown Characteristic高压ns光电导开关及其击穿特性研究
4.Characteristics of photoconductivity oscillation in semi-insulating GaAs photoconductive semiconductor switches半绝缘GaAs光电导开关体内热电子的光电导振荡特性
5.Influence of Space-charge Field in Photoconductor to Photoconductive Semiconductor Switches and THz Photoconductor Antenna;光电导体中瞬态空间电荷电场对光电导开关及THz光电导偶极天线的影响
6.Study of Non-linearity of Laser Triggered GaAs Photoconductive Switch激光触发GaAs光电导开关非线性现象的实验研究
7.Investigation of Ultra-Wideband Microwave Generation Based on Gaas Photoconductive Semiconductor Switches;用光电导开关产生超宽带电磁辐射的研究
8.The Transmission Characteristic Study of Ultrashort Electromagnetic Pulse Based on Photoconductive Switches;基于光电导开关超短电磁脉冲传输特性的研究
9.A high-voltage and high-current photoconductive semiconductor switch and its breakdown characteristics高压超大电流光电导开关及其击穿特性研究
10.The Pattern Design and System Research of PCSS Base on Photoconductive Sampling Measurement Method基于光导采样测量方法的光电导开关设计与系统研究
11.Mechanism Analysis of Nonlinear Photoconductive Semiconductor Switches and Its Applications;光电导开关非线性模式的机理分析及应用研究
12.The Nano-Fabrication of Ultra Fast Photoconductive Switch;超高速光电导开关微纳加工方法的研究
13.Studies on the Performance Characterization of Utra Fast Photoconductive Switch;超高速光电导开关性能表征方法的研究
14.Radiation Properties of Ultra-Wideband Microwave Generation Based on GaAs Photoconductive Semiconductor Switches;横向型GaAs光电导开关超宽带辐射特性研究
15.Study on Photoconductive Semiconductor Switches Technology Applying to Generate Terahertz Wave应用于产生太赫兹波的光电导开关技术研究
16.Experimental and Theoretical Analysis of THz Generated by GaAs Photoconductive Switches;GaAs光电导开关产生太赫兹电磁波的实验及理论分析
17.Studies on the Techniques of Nonlinear Photoconductive Semiconductor Switches High Power Ultrashort Pulse Generators;非线性光电导开关高功率超短电脉冲产生技术的研究
18.Generation of Steady and Jitter-Free Ultra-Fast Electrical Pulses with Photoconductive Switches;用光电导开关产生稳幅无晃动超快电脉冲的研究
相关短句/例句
Photoconductive switches光电导开关
1.Monte Carlo simulation of operating modes of semi-insulting GaAs photoconductive switches;光电导开关工作模式的蒙特卡罗模拟
2.Ultrafast rising of output electric impulse of lock-on model of semi-insulated GaAs photoconductive switches半绝缘GaAs光电导开关非线性电脉冲超快上升特性研究
3.Ensemble Monte Carlo method is used to simulate the time-resolved transmission characteristic of Semi-Insulting GaAs(SI-GaAs) photoconductive switches based on "Auston" equivalent circuit model.本文应用Ensemble-Monte Carlo方法模拟了半绝缘GaAs(SI-GaAs)光电导开关基于Auston等效电路亚皮秒传输特性。
3)photoconductive semiconductor switch光电半导体开关
1.The turn-off characteristics determining the maximum operating frequency of ultra-fastphotoconductive semiconductor switches are influenced by many factors.超快光电半导体开关的最大重复工作频率由关断特性决定,而影响关断特性的因素很多。
4)GaAs photoconductive switchGaAs光电导开关
1.Some problems about generation ultrashort electronic pulses using SI-GaAs photoconductive switches are investigated in this paper.本文研究了用半绝缘GaAs光电导开关产生超短电磁脉冲的有关问题。
5)ultrafast photo conductive switch超快光电导开关
6)configuration and profile of PCSS光电导开关开关结构
延伸阅读
半导体的光电导半导体受光照而引起电导率的改变。最早是1873年W.史密斯在硒上发现的。20世纪的前40年内，又先后在氧化亚铜、硫化铊、硫化镉等材料中发现，并利用这现象制成几种可用作光强测量及自动控制的光电管。自40年代开始，由于半导体物理学的发展,先是硫化铅的,尔后是其他半导体的光电导得到了充分研究。并由此发展了从紫外、可见到红外各个波段的辐射探测器。研究这现象也是探索半导体基本性能的重要方法之一。电导率正比于载流子浓度及其迁移率的乘积。因此凡是能激发出载流子的入射光都能产生光电导。入射光可以使电子从价带激发到导带，因而同时增加电子和空穴的浓度；也可以使电子跃迁发生在杂质能级与某一能带之间，因而只增加电子浓度或只增加空穴浓度。前一过程引起的光电导称为本征光电导，后一过程引起的光电导称为杂质光电导。不管哪一种光电导,入射光的光子能量都必须等于或大于与该激发过程相应的能隙 ΔE(禁带宽度或杂质能级到某一能带限的距离),也就是光电导有一个最大的响应波长，称为光电导的长波限λ0,若λ0以??m计，ΔE 以eV计则λ0与ΔE 的关系为 。从入射光照射到半导体表面的瞬间开始，能带中的载流子浓度将不断增加。但随着载流子的增加，复合的机会也增多，经过一段时间后，就会达到载流子因光激发而增加的速率与因复合而消失的速率相等的稳定状态。这时能带中的载流子浓度减去光照之前原有的载流子浓度就得到光生载流子浓度。到达这一稳定状态所需的时间就叫做光电导的弛豫时间，或响应时间。用适当的电子线路可以测量光生载流子所输出的电流，这个电流称为光电流。入射光的单位功率所产生的光电流，称为光电导的响应率。它代表样品的光电导过程的效率，与材料的基本参量，如载流子迁移率和寿命、样品的尺寸以及入射光的波长等有关。除掉载流子浓度增加可产生光电导外，由于光照引起载流子迁移率的改变也会产生光电导。有人称这类光电导为第二类光电导，以区别于上述载流子浓度增加的第一类光电导。InSb单晶在深低温的第二类光电导已被用来制作远红外探测器。
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