6月15日，烁科中科信宣布，12英寸中束流离子注入机顺利搬入集成电路大产线，此举标志着国产离子注入机市场化进程迈向新台阶！
CMOS工艺的发展极大推动了离子注入（Ion Implantation）工艺的发展，也可以说离子注入工艺的不断成熟进一步改善了集成电路产品的质量，尤其是CMOS产品的性能，当线宽进入亚微米后，离子注入在整个集成电路制造前工序中更成了不可或缺的一个工艺流程。
在芯片生产过程中，需要进行多次离子注入，注入到芯片的不同位置、注入的次数对于不同芯片类型和工艺节点有所差异，随着CMOS工艺的快速推进，离子注入次数也快速增加。例如1970年代处理一个的ｎ型金属氧化物半导体（NMOS）可能只需6～8次注入，而现在对于28nm逻辑器件来说需要40次注入甚至更多。
而在实际制造过程中，对离子注入的要求也不尽相同，比如在结深（在注入时给予离子的能量）、剂量（注入时所需的杂质数量大小）、均匀性、重复性等方面都有不同的需求，一般来说，离子注入的剂量取决于束流值和时间，注入深度取决于加速电场。为了满足这些不同的需求，在不同的环节中需要采用不同加工能力的离子注入机，包括中束流（Medium Current）离子注入机、大束流（High Current）离子注入机、高能（High Energy）离子注入机。
集成电路用离子注入机行业存在较高竞争壁垒，行业集中度较高。整体而言，整个市场主要由美国厂商垄断。应用材料（Applied Materials）、亚舍立（Axcelis）、汉辰科技（Advanced Ion Beam Technology，AIBT）合计占据全球80%的市场。
在各项政策的推动下，我国离子注入机的研发也取得了重大进展。日前，北京市科学技术奖励工作办公室公示了度北京市科学技术奖各评审委员会项目评审结果，“大束流离子注入机装备及工艺研发”项目荣获北京市科学技术进步一等奖，国内两大离子注入机供应商烁科中科信、凯世通携手参与。
烁科中科信是专注于集成电路用离子注入机研发、制造，始终致力于解决离子注入机关键技术自主可控难题，已形成中束流、大束流、高能、特种应用及第三代半导体等全系列离子注入机产品体系，拥有博士后科研工作站，建立了符合SEMI标准要求的离子注入机产业化平台，年产能达30台，产品广泛应用于全球知名芯片制造企业，并获客户高度认可。
此次交付的12英寸中束流离子注入机，在角度控制、剂量控制及设备工艺能力等方面的功能出色，整机性能达到国际同类产品水平。
烁科中科信负责人表示，追平主流只是开始，成体系实现国产替代才是目标。公司自主研制的离子注入机系列产品在客户产线上累计跑片650万片，稳定支撑了客户量产。除此之外，还建立了一支专业化的售后服务团队，实行7X24 On Call响应机制，持续提升客户体验，加速国产化进程。
如果觉得《烁科中科信：离子注入机国产替代步伐提速》对你有帮助，请点赞、收藏，并留下你的观点哦！
